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電源設(shè)計說明中使用GaN器件進(jìn)行LTspice仿真
多年來,技術(shù)進(jìn)步使得從功率器件獲得高級性能成為可能。氮化鎵 (GaN)不同于硅 (Si)。它是一種類似于晶體的材料,能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比,電...
BatchNorm是為了將層輸入的特征進(jìn)行規(guī)范化,使其具備零均值和單位方差的特性。BatchNorm對于網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練是至關(guān)重要的,它可以讓層數(shù)更深的模型工作...
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...
一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計過程詳解
近年來,寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,具有很多優(yōu)異的特性,如禁帶寬度寬、擊穿場強(qiáng)高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂...
意法半導(dǎo)體GaN晶體管推動下一代電機(jī)逆變器的發(fā)展
滿足日益增長的高能效和高功率性能需求,同時不斷降低成本和尺寸是當(dāng)今功率電子行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制意法半導(dǎo)體 6.9k 0
pSemi推出應(yīng)用于固態(tài)LiDAR的GaN FET驅(qū)動器PE29101
在LiDAR系統(tǒng)中,脈沖激光器的開關(guān)速度和上升時間直接影響著LiDAR的測量精度。為了提高分辨率,電流需要盡可能快地切換通過激光器二極管。GaN技術(shù)憑借...
一種新的碳同素異形體——protomene比氮化鎵(GaN)更適用于光電組件
protomene的熱膨脹很可能會發(fā)生在板間的結(jié)合上。當(dāng)溫度升高時,從低溫半導(dǎo)體的48原子單元結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)變?yōu)楦邷亟饘俚?4原子單元結(jié)構(gòu)特性,可能發(fā)生結(jié)構(gòu)相...
深度學(xué)習(xí)生成對抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)全解析
GANs真正的能力來源于它們遵循的對抗訓(xùn)練模式。生成器的權(quán)重是基于判別器的損失所學(xué)習(xí)到的。因此,生成器被它生成的圖像所推動著進(jìn)行訓(xùn)練,很難知道生成的圖像...
LED技術(shù)為世界帶來巨大改變,除了顯示用背光源還有LED照明的應(yīng)用,而LED 技術(shù)也不斷在革新,帶來更高效的發(fā)光效率。
LMG3410R070 GaN功率級器件的一個關(guān)鍵優(yōu)點是在硬切換時控制轉(zhuǎn)換速率,這種控制對于抑制PCB寄生電阻和EMI具有重要意義,TI這款產(chǎn)品采用可編...
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計
為了擴(kuò)大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用(圖 3),TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...
一個學(xué)習(xí)GAN的交互式網(wǎng)站:GAN Lab!
單擊工具欄上的播放按鈕即可運(yùn)行模型。 除了所選擇的分布中的實際樣本,你還會看到模型生成的假樣本。隨著訓(xùn)練的進(jìn)行,假樣本的位置不斷更新。完美的GAN創(chuàng)建的...
2018-09-07 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí) 6.6k 0
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括...
2025-09-26 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 6.6k 0
GAN 可以將任意的分布作為輸入,這里的 Z 就是輸入,在實驗中我們多取Z~N(0,1),也多取 [?1,1] 的均勻分布作為輸入。生成器 G 的參數(shù)為...
2019-02-13 標(biāo)簽:GaN機(jī)器學(xué)習(xí)圖像生成 6.5k 0
在氮化鎵(GaN)功率FET的早期階段,故障很常見。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計要求,更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一...
2018-07-10 標(biāo)簽:gan 6.5k 0
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點,被稱為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的工作原理和應(yīng)用現(xiàn)狀
根據(jù)諧振腔制造工藝的不同,半導(dǎo)體激光芯片分為 邊發(fā)射激光芯片(EEL) 和 垂直腔面發(fā)射激光芯片 (VCSEL)兩大類,其具體結(jié)構(gòu)差異如圖1所示。相比于...
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