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試想你在離家1,000英里遠(yuǎn)的地方,卻能夠監(jiān)測和控制家里和辦公樓中的每一度電。你能運(yùn)用這種能力做什么呢? ? 你有時或許想要遠(yuǎn)程調(diào)節(jié)恒溫器,開燈...
反思后硅世界中的服務(wù)器電源架構(gòu):從48Vin-1Vout直接獲取
此博文最初發(fā)表在EPC的GaN談?wù)摬┛汀|c(diǎn)擊此處了解更多有關(guān)LMG5200和TI GaN解決方案的信息。 Alex Lidow,Ph.D.,CEO和共...
如何采用GaN實(shí)現(xiàn)48V至POL單級轉(zhuǎn)換
Other Parts Discussed in Post: TPS53632G企業(yè)服務(wù)器、交換機(jī)、基站和存儲硬件設(shè)計師都在尋求在其主板上提高功率密度和...
基于GaN的高效率1.6kW CrM圖騰柱PFC參考設(shè)計TIDA-00961 FAQ
Other Parts Discussed in Post: C2000WARE, POWERSUITE, SFRA作者: TI 工程師 Aki Li,...
AMC7932單芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)GaN功放的檢測與控制
作者:Liu Seasat; Yu, Yuntao 我國于2019年進(jìn)入5G部署預(yù)商用階段,國務(wù)院要求力爭在2020年啟動5G的全面商用。5G時代,移...
具有集成式驅(qū)動器的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2023年每瓦成本低于硅?充電頭之后,電動汽車是氮化鎵的下一個戰(zhàn)場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)隨著手機(jī)等電子產(chǎn)品對于快充的需求提高,這些設(shè)備的充電功率正在不斷攀升,而氮化鎵(GaN)在移動設(shè)備快充的趨勢中,起到了不可...
順絡(luò)GaN MOS適配器用大電流磁珠產(chǎn)品特點(diǎn)
開發(fā)背景 如自從小米推出高功率65W GaN適配器,GaN適配器高頻開關(guān)MOS使得適配器的功率密度進(jìn)一步提高,產(chǎn)品尺寸更小,充電功率更高,得到市場的一致...
對緊湊但功能強(qiáng)大的電機(jī)的需求為設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機(jī)的功率輸出,工程師們開始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅(Si)金屬氧化物半導(dǎo)體場效...
PI相關(guān)InnoSwitch系列電源產(chǎn)品疑惑解答
2021年9月23日,由充電頭網(wǎng)主辦的“助力快充,選擇合適的氮化鎵功率器件”(線上直播)順利舉辦。在本次線上直播中,充電頭網(wǎng)邀請了國際知名電源芯片公司P...
將InGaN基激光器直接生長在硅襯底材料上,為GaN基光電子器件與硅基光電子器件的有機(jī)集成提供了可能。另一方面,自1996年問世以來,InGaN基激光器...
解析?國產(chǎn)GaN控制芯片在快充領(lǐng)域的優(yōu)勢與不足
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)上一期文章講述了國外廠商主流的GaN快充主控芯片,其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實(shí),除了國外的GaN控制...
Digi-Key與Power Integrations合作推出聚焦電源活動
Digi-Key Electronics 日前宣布與高壓電源轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Power Integrations 合作,供應(yīng)其采用 Powi...
GaN占據(jù)手機(jī)快充市場半壁江山,SiC該如何加入其中?
氮化鎵快充技術(shù)已非常成熟,快充市場被徹底激活,消費(fèi)電子配件市場不斷迭代更新。GaN是一種寬禁帶半導(dǎo)體,具有高功率密度、高頻率、低能耗、寬禁帶等特點(diǎn),被廣...
英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術(shù)開發(fā)
對于許多設(shè)計來說,氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色的特定動態(tài)導(dǎo)通電阻和更小的電容,因此更適于做高速開關(guān)。
工程師想要說服管理者采用GaN,就必須證明GaN的價值主張。理論參數(shù)固然重要,但決策者更看重現(xiàn)實(shí)價值。展示電路性能是設(shè)計團(tuán)隊解決這一挑戰(zhàn)的方法之一。
哪些PI InnoSwitch產(chǎn)品采用了PowiGaN技術(shù)
采用 PowiGaN 技術(shù)的 InnoSwitch3 無散熱片反激式開關(guān) IC,功率可達(dá) 100 W,效率可達(dá) 95%。 PowiGaN 是 Power...
GaN憑借其優(yōu)越的性能,成為第三代半導(dǎo)體材料中的一員,在半導(dǎo)體領(lǐng)域中備受關(guān)注。
2021-09-01 標(biāo)簽:GaN 4.8k 0
功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開關(guān)速度、更小的器件體積這個趨勢發(fā)展,而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板,很難有大幅提升的空間,因此基于...
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