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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層...
IDM廠及IC設(shè)計(jì)廠均大動作爭搶晶圓代工產(chǎn)能
據(jù)業(yè)界消息,茂矽通知至8月底前暫停工程實(shí)驗(yàn)及新產(chǎn)品試產(chǎn),未滿25片的非完整批暫緩?fù)镀?,未滿150片的爐管最小片數(shù)亦暫時降低生產(chǎn)排貨等級,交期將延長。同時...
智新半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)30萬套功率模塊的生產(chǎn)線4月將投入量產(chǎn)
智新科技前身為2001年成立的東風(fēng)電動車輛股份有限公司,作為東風(fēng)公司發(fā)展新能源汽車事業(yè)的主陣地,經(jīng)歷了“以整車為研究對象”,到“研發(fā)新能源汽車平臺和整車...
功率半導(dǎo)體價格觸底,下游需求回暖!多家廠商上半年業(yè)績預(yù)期實(shí)現(xiàn)增長
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近日,華潤微在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示,公司代工及自有產(chǎn)品的產(chǎn)能利用率均滿載,產(chǎn)品價格觸底企穩(wěn);同時,公司上半年已針對部分 MO...
2019年世界IGBT市場總值將達(dá)到48.4億美元 同比增長2.8%
據(jù)報(bào)道:電動汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長動能,預(yù)計(jì)到2021年電動汽車將達(dá)到年產(chǎn)800萬輛,為2018年的兩倍。電動汽車的關(guān)鍵零組件IGBT,是傳統(tǒng)...
安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器
AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù),提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,用于多方面的電源應(yīng)用,包括那些將得益于更低反向恢...
過去的一年,對于“三十而立”的A股來講注定是不平凡的一年,美股熔斷,A股總體平穩(wěn),茅臺市值超過“宇宙第一大行”的工商銀行,以接近3萬億市值領(lǐng)跑A股,9月...
在現(xiàn)代社會,工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
激光焊錫機(jī)在IGBT模塊封裝焊接中的優(yōu)勢分析
現(xiàn)有的IGBT模塊封裝焊接結(jié)構(gòu)主要采用兩種方式:一種是將絕緣襯板焊接在基板上封裝成IGBT模塊,再通過硅脂與散熱器配合安裝的方式,它以IGBT模塊為單元...
近幾年來,新能源汽車發(fā)展迅猛,與之配套的汽車功率器件也發(fā)展迅速,不少廠商開始針對汽車應(yīng)用開發(fā)新的產(chǎn)品。比如說SiC就是一個典型,自從特斯拉在Model ...
IGBT熱阻的研究對于延長IGBT的使用壽命和提高其應(yīng)用可靠性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義,目前獲取IGBT熱阻參數(shù)的試驗(yàn)方法多為熱敏參數(shù)法,該方法方便簡潔、對硬...
了解一下AlSiC作為IGBT的底板還有哪些優(yōu)點(diǎn)
IGBT模塊中的底板發(fā)揮著形成導(dǎo)熱通道、保證導(dǎo)熱性能、增強(qiáng)模塊機(jī)械性能的作用。底板材料一般用銅或者鋁基碳化硅(AlSiC)。
2022-08-31 標(biāo)簽:散熱器IGBT功率半導(dǎo)體 5.8k 0
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵
2010-03-04 標(biāo)簽:IGBTIGBT結(jié) 5.7k 0
比亞迪的IGBT芯片專利,通過添加導(dǎo)電類型的附加區(qū),使得含有該IGBT芯片的功率器件承受反偏時,附加區(qū)能夠通過耗盡擴(kuò)展,將柵極溝槽包圍在耗盡區(qū)中,為其增...
IGBT功率半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶嘉善經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū) 總投資達(dá)7.5億美元
7月16日,浙江省嘉善縣數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展再傳捷報(bào),IGBT功率半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約落戶嘉善經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。
新品|國內(nèi)首款兼容光耦帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動器SLMi33x
數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動器SLMi33x。
IGBT驅(qū)動芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)
IGBT驅(qū)動芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn) 介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能,并在此基礎(chǔ)上,根據(jù)IGBT驅(qū)動的實(shí)際要求...
2009-06-30 標(biāo)簽:IGBT 5.7k 1
探究大功率IGBT模塊ST20在風(fēng)電中的應(yīng)用
隨著碳中和成為世界各國新的共同目標(biāo),新能源快速發(fā)展成為必然,而風(fēng)電在我國能源消費(fèi)比重也在不斷增加。賽米控推出的低雜散電感、易于并聯(lián)、大電流、標(biāo)準(zhǔn)封裝的S...
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