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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt資訊

igbt可以反向?qū)▎幔咳绾慰刂苅gbt的通斷?

igbt可以反向?qū)▎??如何控制igbt的通斷? IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮...

2023-10-19 標簽:MOSFETIGBT晶體管 6.2k 1

基于UCC25800-Q1開環(huán)LLC 驅(qū)動器的隔離電源方案設(shè)計

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Other Parts Discussed in Post: UCC25800-Q1, UCC5350作者:Jiawei Bao, Aki Li, Bi...

2021-12-09 標簽:驅(qū)動器電源管理IGBT 6.2k 0

IGCT和IGBT的區(qū)別

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IGCT(集成門極換流晶閘管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是廣泛應(yīng)用于電力電子和電力傳輸?shù)陌雽?dǎo)體器件。雖然它們的用途相似,但它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面...

2023-11-09 標簽:IGBTIGCT功率半導(dǎo)體 6.2k 0

滿足AEC-Q101標準的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。

2019-05-29 標簽:IGBTROHM 6.2k 0

長沙比亞迪半導(dǎo)體3.96億元競得長沙創(chuàng)芯拍賣土地 或?qū)⑦M一步布局IGBT產(chǎn)業(yè)

前不久,媒體報道了長沙創(chuàng)芯集成電路有限公司(以下簡稱“長沙創(chuàng)芯”)相關(guān)資產(chǎn)被法院拍賣的信息,引起了業(yè)界關(guān)注。日前該事件有了新進展,據(jù)科創(chuàng)板日報報道,長沙...

2020-03-10 標簽:半導(dǎo)體比亞迪IGBT 6.1k 0

車規(guī)級功率半導(dǎo)體:IGBT和MOSFET是主要產(chǎn)品

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雖然如今設(shè)計的典型工業(yè)級IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時間,但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOS...

2021-01-26 標簽:芯片電路IGBT 6.1k 0

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換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩,EMI或者電壓過沖等問題。因此在電路設(shè)計的時候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊中雜散電...

2021-10-13 標簽:電流電感IGBT 6.1k 0

功率器件的開發(fā)應(yīng)用與實例(圖解)

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東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q...

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車輛運行時,特別實在擁堵的路況時的頻繁啟停,此時控制器的IGBT模塊工作電流會相應(yīng)的頻繁升降,從而導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫快速變化,對于IGBT模塊的壽命是個...

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IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。因其具備節(jié)能、安裝維修方便、...

2023-10-23 標簽:激光IGBT焊接 6k 0

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間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為:芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板...

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國外功率器件的供應(yīng)緊張,國內(nèi)可替代的功率器件廠家又有哪些呢?

需求仍然強勁的ST,目前滿產(chǎn)能。M2、M5和K5系列的規(guī)格和價格較好。其是額定200攝氏度的碳化硅場效應(yīng)管的唯一供應(yīng)商。推出650V SiC,可與高性能...

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IGBT電流的誤解和流言

IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一,顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了,但對于一...

2021-11-01 標簽:電流數(shù)據(jù)IGBT 5.9k 0

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2023-09-12 標簽:IGBT功率器件IGBT模塊 5.9k 0

捷捷微電投建MOS管、IGBT等項目,增募資不超9.11億元

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項目的實施,有利于解決產(chǎn)能限制,擴大產(chǎn)品覆蓋率,滿足業(yè)務(wù)擴張需求。

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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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