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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業(yè) IGBT選型

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日本的半導體實力如何?

近日，據(jù)日經報道，東芝和富士電機將合計投資2000億日元（合19億美元），以提高電動汽車的節(jié)能芯片的產量，以適應世界各國政府向電動汽車和卡車的急劇轉變。

2020-12-16 標簽：芯片半導體 IGBT 5.6k 0

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2020-12-31 標簽：芯片半導體晶圓 5.6k 0

數(shù)字萬用表|IGBT模塊的檢測方法

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比亞迪對外釋放IGBT大額訂單，自主供應鏈也無法滿足需求？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日，有消息稱，比亞迪已經正式向士蘭微下單車規(guī)級IGBT，訂單金額達到億元級。與此同時，有知情人士表示，獲得訂單的不止是士...

2021-12-11 標簽：比亞迪 IGBT 5.6k 0

季豐電子新增應用在MOS等高壓IV Curve和高壓熱點定位

季豐電子新增加高壓IV Curve和高壓熱點定位，主要應用在MOS，SiC，IGBT等高壓產品的失效分析，IV Curve掃描電壓范圍在±3000V，通...

2021-10-15 標簽：IC IGBT MOS 5.6k 0

全球IGBT企業(yè)TOP 55

中國IGBT發(fā)展的這20年，誕生了許多優(yōu)秀的企業(yè)。除了比亞迪、斯達半導和中車時代電氣，還有擁有國內第一條全內資8英寸專注功率器件晶圓生產線的華潤微；全球...

2024-06-17 標簽：半導體 IGBT 集成電路芯片 5.6k 0

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2023-11-23 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 5.6k 0

分享一下從PN結到IGBT的機理，掌握基礎

此時P區(qū)多子“空穴”在電場的作用下向N區(qū)運動，N區(qū)多子電子相反，使耗盡層變窄至消失，正向導電OK，也可以理解成外加電場克服耗盡層內電場，實現(xiàn)導電，該電壓...

2022-07-04 標簽：IGBT PN結 5.6k 0

IGBT工業(yè)應用驅動：從放大、隔離到保護的性能拔高

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2022-02-12 標簽：IGBT IGBT驅動 5.5k 0

分立元件構成的IGBT驅動電路

2010-02-17 標簽：IGBT 5.5k 1

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2023-04-13 標簽：mcu IGBT 半導體設備 5.5k 0

在西方國家的限芯下我國汽車行業(yè)的芯片到底缺少多少

近幾年，受制于西方國家對華芯片產業(yè)的各項限制，我國芯片行業(yè)所面臨的局勢日益嚴峻。實際上，美國對華的芯片限制，上至國家超級計算機，下至居民消費電子，全面覆...

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雜散電感對高效IGBT逆變器設計的影響

IGBT技術不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應用的需求。

2011-08-10 標簽：逆變器 IGBT 雜散電感 5.4k 0

吉萊微創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理！研發(fā)投入不足，募資8億擴增高端IGBT模塊產能

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）6月30日，江蘇吉萊微電子股份有限公司（以下簡稱：吉萊微）創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理！ ? ? 招股書顯示，本次IPO保薦機構為長江...

2022-07-12 標簽：半導體 IGBT 5.4k 0

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穩(wěn)壓電源和開關電源的優(yōu)缺點穩(wěn)壓電源和開關電源是電力電子領域兩種重要的電源類型。它們分別具有不同的工作原理、優(yōu)點和缺點。一、穩(wěn)壓電源的優(yōu)缺點穩(wěn)壓電源...

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2021-06-11 標簽：二極管 MOSFET IGBT 5.4k 0

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