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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

比亞迪半導(dǎo)體光伏裝機(jī)量增勢明顯帶火IGBT市場

光伏逆變器是太陽能光伏系統(tǒng)的“心臟”,而IGBT模塊是光伏逆變器的核心組件,占逆變器成本的10%~15%,光伏裝機(jī)量的提升成為光伏IGBT模塊需求量增加...

2022-06-29 標(biāo)簽:比亞迪IGBT 1.9k 0

碳化硅(SiC)技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力

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正在被廣泛使用的伺服技術(shù)使60年代的自動(dòng)化工程師羨慕無比。這種體積小、精確且完全電動(dòng)的技術(shù)反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導(dǎo)體控制、傳感器和電力技術(shù)的緊湊性。...

2023-12-13 標(biāo)簽:IGBT硅基伺服器 1.9k 0

IGBT到底是什么?-從名稱入手來帶您了解

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在微電子行業(yè)混久了的人,很少有不知道 IGBT 的。 圖示為IGBT模塊MG15P12P2:15A 1200V 7單元 IGBT的英文全稱和基礎(chǔ)概念對于...

2025-11-25 標(biāo)簽:元器件IGBT 1.9k 0

半導(dǎo)體未來風(fēng)向如何,功率IGBT又應(yīng)用于什么行業(yè)。

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2020年下半年開始全球疫情帶來的居家隔離和遠(yuǎn)程辦公的需求催生了PC和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求,同時(shí)“雙碳”政策下電動(dòng)車和光伏發(fā)電領(lǐng)域?qū)τ诠β拾雽?dǎo)體的需求井噴,...

2022-04-21 標(biāo)簽:芯片IGBT風(fēng)電 1.9k 0

IGBT持續(xù)缺貨的三個(gè)原因

盡管IGBT客戶和訂單規(guī)模在增長,但到下游晶圓代工廠的產(chǎn)能調(diào)節(jié)仍需要時(shí)間,晶圓代工廠的產(chǎn)能主要集中在訂單規(guī)模大且穩(wěn)定的消費(fèi)電子產(chǎn)品上。短期內(nèi),IGBT的...

2023-05-29 標(biāo)簽:IGBT晶圓廠碳化硅 1.9k 0

高頻車載AC220V逆變器能有什么國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT使用

隨著電動(dòng)汽車以及混合動(dòng)力汽車的不斷發(fā)展,對于汽車的電子系統(tǒng)應(yīng)用也要獲得更多的需求。比如車載逆變器中的高頻車載逆變器也是有新的技術(shù)要求,對于高頻車載AC2...

2023-01-04 標(biāo)簽:逆變器車載IGBT 1.9k 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導(dǎo)熱絕緣墊片

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引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...

2025-11-19 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1.9k 0

傾佳電子力推國產(chǎn)SiC功率模塊的“硬剛”之路與“徹底替代IGBT模塊”戰(zhàn)略分析

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傾佳電子力推國產(chǎn)SiC功率模塊的“硬剛”之路與“徹底替代IGBT模塊”戰(zhàn)略分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連...

2025-09-01 標(biāo)簽:IGBTSiC功率模塊 1.9k 0

IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因

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IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷是其被新一代電力電子設(shè)備加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷的本質(zhì) 材料物理特性...

2025-03-31 標(biāo)簽:電壓IGBT 1.9k 0

華潤微電子開發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)

華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IG...

2011-03-31 標(biāo)簽:IGBT華潤微電子工藝平臺(tái) 1.9k 0

安世半導(dǎo)體致力于為中國汽車半導(dǎo)體保駕護(hù)航

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安世半導(dǎo)體展位位于本屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)4.1館(展位號是4.1A3-002),展臺(tái)面積多達(dá)260平方米,將為觀眾展出汽車、工業(yè)(含5G)、移動(dòng)、計(jì)算機(jī)...

2021-11-04 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管安世半導(dǎo)體 1.9k 0

薩科微slkor宋仕強(qiáng):推動(dòng)IGBT市場高成長的重要因素

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薩科微slkor(www.slkoric.com)半導(dǎo)體總經(jīng)理宋仕強(qiáng)介紹,家電節(jié)能、電機(jī)節(jié)能與新能源等領(lǐng)域,成為推動(dòng)我國IGBT 市場高成長的重要因素。...

2023-04-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT國產(chǎn)芯片 1.9k 0

比亞迪半導(dǎo)體超級混動(dòng)DM4.0 IGBT模塊榮膺2022年全球電子成就獎(jiǎng)

2022 年 11 月 10 - 11 日,由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán) ASPENCORE 舉辦的“國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC)”在深圳隆重...

2022-11-14 標(biāo)簽:比亞迪IGBT功率半導(dǎo)體 1.9k 0

芯長征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)

在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,芯長征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過近兩個(gè)月的激烈競爭和嚴(yán)格評審...

2024-12-10 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率芯片 1.9k 0

IGBT高壓變頻調(diào)速電源

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IGBT高壓變頻調(diào)速電源 Power Supply(PS) of IGBT High- voltage Frequency Conversion Go...

2009-07-11 標(biāo)簽:IGBT 1.9k 0

企業(yè)增值逾13倍!核力創(chuàng)芯完成首輪2.95億元股權(quán)融資

1月17日消息,核力創(chuàng)芯近日完成首輪2.95億元股權(quán)融資,企業(yè)增值逾13倍,標(biāo)志著核力創(chuàng)芯在功率半導(dǎo)體質(zhì)子輻照領(lǐng)域取得的進(jìn)展和成績得到資本市場的充分認(rèn)可。

2024-01-19 標(biāo)簽:IGBT快恢復(fù)二極管功率半導(dǎo)體 1.9k 0

從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導(dǎo)致國內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元,這一案例凸顯了功...

2025-03-31 標(biāo)簽:IGBTSiC 1.9k 0

國產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段

在中國,為了適應(yīng)大環(huán)境的需求,扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展,國家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺(tái)了一系列支持性的政策措施,在政府和市場的雙重推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體行業(yè)正...

2014-03-11 標(biāo)簽:IGBT功率器件 1.9k 0

新潔能逆導(dǎo)型IGBT NCE15ER135LP概述

新潔能逆導(dǎo)型IGBT NCE15ER135LP概述

本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的逆導(dǎo)型IGBT:NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝、100℃下額定電流15A的產(chǎn)品。

2025-07-17 標(biāo)簽:封裝IGBT新潔能 1.9k 0

IGBT的保護(hù)及電路圖

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IGBT的保護(hù)措施,主要包括過壓保護(hù)和過流保護(hù)兩類。使用中,對于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓,可以采用適

2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 1.9k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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