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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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2022年功率晶體管銷售額有望增長11%,預(yù)計達245億美元
功率晶體管市場預(yù)計將在 2024 年開始另一個增長周期,到 2026 年,年銷售額將穩(wěn)步增長,達到 289 億美元,復(fù)合年增長率 (CAGR) 有望達到...
意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡化電路設(shè)計。
2022-02-15 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBTSiC 1.9k 0
機床在制造業(yè)中具有基礎(chǔ)性和戰(zhàn)略性地位,是衡量國家工業(yè)發(fā)展水平的重要標(biāo)志。在當(dāng)前我國制造業(yè)向中高端轉(zhuǎn)型升級背景下,Grecon助力機床廠家向中高端發(fā)展。
芯導(dǎo)科技推出650V/1200V高性能IGBT產(chǎn)品
能源是經(jīng)濟社會發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)和動力源泉。近些年,“雙碳”戰(zhàn)略引領(lǐng)能源轉(zhuǎn)型革命,發(fā)展綠色低碳新質(zhì)生產(chǎn)力既是解決全球環(huán)境問題的重要保障,更是國家經(jīng)濟與民...
搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場景的1200VIGBT7P7芯片,并將...
寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來可期
在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個IGBT芯片和一個驅(qū)動電路組成,用于控制高電壓和高電流的開關(guān)操作。相比...
飛虹半導(dǎo)體FHA60T65A IGBT單管在直流電焊機的應(yīng)用
IGBT單管因其能夠提供穩(wěn)定的電流輸出以及提高能量效率的特點而常用于直流電焊機中。因此對于直流電焊機在使用IGBT單管的選擇則尤為重要。
三菱電機2025年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣回顧
站在 2025 年的歲末回望,三菱電機以覆蓋芯片、模塊至系統(tǒng)級的密集創(chuàng)新成果,交出了一份亮眼的年度答卷。這不僅是一次產(chǎn)品矩陣的迭代升級,更是企業(yè)面向多行...
Diodes柵極驅(qū)動器可在半橋或全橋配置下 開關(guān)功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器,可在半橋...
X-RAY檢測的最大優(yōu)點是檢測結(jié)果直觀。圖像顯示IGBT軟件內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷的自動識別和判斷。IGBT在生產(chǎn)過程中,不僅保證了產(chǎn)品的質(zhì)量,而且在生產(chǎn)規(guī)劃階段...
IGBT 模塊接觸熱阻增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性
一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸熱阻作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素,受到諸多...
為何?因為FHA40T65A具備高可靠性,擁有反向并行的快恢復(fù)二極管,Trench Field Stop Ⅱ technology(拖尾電流非常短,出色...
日本電產(chǎn)理德推出半導(dǎo)體高速檢測裝置“NATS-1000”
“NATS-1000”將每次檢測分為室溫絕緣、高溫靜態(tài)、高溫動態(tài)和室溫靜態(tài)這四種狀態(tài),通過分散檢測及并行檢測,確保檢測的高速性,從而有助于提高生產(chǎn)率。
英飛凌半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品推薦
英飛凌(Infineon)作為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領(lǐng)者,一直致力于打造先進的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、...
富士電機直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。在海外,該模塊已被用于2012年底上市的混合動力車(H...
? ? ? 日前,華潤微在投資者互動平臺表示,由潤安科技負(fù)責(zé)實施的IGBT模塊封裝產(chǎn)線將于今年年底前通線,產(chǎn)能將隨項目建設(shè)的推進逐步提升。 華潤微IGB...
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