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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

青銅劍技術(shù)亮相2024北京國際風(fēng)能大會(huì)暨展覽會(huì)

2024北京國際風(fēng)能大會(huì)暨展覽會(huì)(CWP2024)在北京順利拉開帷幕。大會(huì)以“構(gòu)筑發(fā)展新格局·踐行時(shí)代新使命”為主題,有近1000家企業(yè)參展,聚焦風(fēng)電全...

2024-10-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT變流器 1.4k 0

雙路智能大功率 IGBT 驅(qū)動(dòng)器介紹

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2022-10-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.4k 0

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半導(dǎo)體IGBT模塊封裝中環(huán)氧灌封膠應(yīng)用的詳解;

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【博主簡介】本人“愛在七夕時(shí)”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相...

2025-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝IGBT 1.4k 0

陸芯科技推出IGBT單管YGW40N65FMA1

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陸芯科技正式推出650V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號為YGW40N65FMA1,產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO24...

2024-12-14 標(biāo)簽:封裝IGBT陸芯科技 1.4k 0

揚(yáng)杰科技針對工業(yè)變頻器等領(lǐng)域,推出IGBT變頻器系列模塊新品

IGBT 變頻器系列產(chǎn)品涵蓋C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3等多款封裝外形,具有多種靈活的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

2020-10-27 標(biāo)簽:變頻器IGBT伺服控制器 1.4k 0

JSAB瑞出應(yīng)用于乘用車電驅(qū)的750V-340A IGBT

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產(chǎn)品特點(diǎn) ● 第7代溝槽-場截止設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)更低的VCE(sat) ● 低開關(guān)損耗 ● 最高結(jié)溫175℃ ● 采用Si3N4絕緣襯...

2023-12-07 標(biāo)簽:IGBT伺服驅(qū)動(dòng)工業(yè)電機(jī) 1.4k 0

23個(gè)變頻器常見問題解析(1/2)

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1、變頻器電路板用熱風(fēng)機(jī)吹一下就能正常使用,請問是什么原因? 答:出現(xiàn)這種情況可能有以下幾個(gè)原因: (1)線路板出現(xiàn)虛焊或是脫焊,用一段時(shí)間會(huì)有錫斑,這...

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東風(fēng)汽車:智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月批量投產(chǎn)

5月22日,東風(fēng)汽車官方發(fā)布消息表示,該司已聯(lián)手中國中車在武漢共同創(chuàng)立智新半導(dǎo)體,旨在通過自主研發(fā)突破,掌握生產(chǎn)車規(guī)級IGBT模塊的技術(shù),并成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)...

2024-05-22 標(biāo)簽:IGBT碳化硅東風(fēng)汽車 1.4k 0

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2013-03-12 標(biāo)簽:IGBTIR公司 1.4k 0

光伏裝機(jī)量增勢明顯 帶火IGBT市場

在“碳達(dá)峰“、“碳中和”背景下,太陽能作為可再生、清潔能源的代表,其光伏規(guī)?;瘧?yīng)用成為世界能源發(fā)展的必然趨勢,國內(nèi)光伏市場規(guī)模也仍在不斷擴(kuò)大。

2022-06-28 標(biāo)簽:IGBT光伏逆變器比亞迪半導(dǎo)體 1.4k 0

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ROHM獨(dú)有的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),非常有助于...

2023-02-09 標(biāo)簽:二極管MOSFETIGBT 1.4k 0

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在光儲(chǔ)逆變器這一核心系統(tǒng)中,功率器件堪稱電能高效轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的“核心樞紐”,其性能表現(xiàn)直接決定了光儲(chǔ)系統(tǒng)的整體效能、運(yùn)行穩(wěn)定性以及經(jīng)濟(jì)性。隨著全球能源...

2025-05-07 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率器件 1.4k 0

三菱電機(jī)亮相2025中國電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)

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2025年11月7-10日,第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)、中國電源學(xué)會(huì)第二十八屆學(xué)術(shù)年會(huì)(CPEEC&CPSSC 2025)在深圳國...

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使用萬用表檢測IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子維修和調(diào)試中的常見操作,但因其結(jié)構(gòu)特殊且易受靜電損壞,需嚴(yán)格遵守檢測流程和注意事項(xiàng)。以下是詳細(xì)的操...

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Fairchild大幅降低IGBT損耗,助力工業(yè)和汽車應(yīng)用中效率的提升

Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制 來將IGBT 開關(guān)損耗降低30%

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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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