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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能的門極驅(qū)動(dòng)器

PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器,新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊

2023-12-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 1.4k 0

英飛凌推出EiceDRIVER? F3增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器,為電力電子系統(tǒng)提供全面的短路保護(hù)

英飛凌推出EiceDRIVER? F3增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器,為電力電子系統(tǒng)提供全面的短路保護(hù)

EiceDRIVER F3增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器采用爬電距離為8mm的DSO 16 300 mil寬體封裝。這款單路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器具有高達(dá)300 kV/u...

2022-03-10 標(biāo)簽:英飛凌IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.4k 0

IGBT廠商擴(kuò)產(chǎn),APS生產(chǎn)排產(chǎn)幫助企業(yè)充分利用設(shè)備產(chǎn)能

IGBT廠商擴(kuò)產(chǎn),APS生產(chǎn)排產(chǎn)幫助企業(yè)充分利用設(shè)備產(chǎn)能

APS生產(chǎn)排產(chǎn)可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)資源的約束,將生產(chǎn)管理標(biāo)準(zhǔn)化,幫助企業(yè)充分利用設(shè)備產(chǎn)能,提高設(shè)備利用率,將交期最大準(zhǔn)時(shí)化。

2022-11-03 標(biāo)簽:IGBTAPS 1.4k 0

森國科650V/6A IGBT的性能特點(diǎn)

森國科650V/6A IGBT的性能特點(diǎn)

森國科推出的650V/6A IGBT(型號(hào):KG006N065SD-B)在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精準(zhǔn)控制。

2024-11-13 標(biāo)簽:電源管理電機(jī)IGBT 1.4k 0

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場(chǎng)掀起了降價(jià)超過30%的IGBT模塊價(jià)格...

2025-03-21 標(biāo)簽:英飛凌IGBT 1.4k 0

上海PCIM展會(huì)圓滿落幕,木幾智能收獲滿滿!

上海PCIM展會(huì)圓滿落幕,木幾智能收獲滿滿!

2023年8月29日-8月31日,上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(PCIM Asia 2023)在上海新國際博覽中心舉行。廣東木幾智能裝備有限公...

2023-09-06 標(biāo)簽:IGBT元件貼片機(jī) 1.4k 0

IGBT的保護(hù)

IGBT的保護(hù)

IGBT的保護(hù) 摘要:通過對(duì)IGBT損壞機(jī)理的分析,根據(jù)其損壞的原因,采取相應(yīng)措施對(duì)其進(jìn)行保護(hù),以保證其安全可靠工作。 關(guān)鍵詞

2009-07-11 標(biāo)簽:IGBT 1.4k 0

探索 EVAL - IHW25N140R5L:2kW 感應(yīng)加熱評(píng)估板的深度剖析

探索 EVAL - IHW25N140R5L:2kW 感應(yīng)加熱評(píng)估板的深度剖析 在電子工程師的日常工作中,評(píng)估板是我們探索新技術(shù)、驗(yàn)證設(shè)計(jì)理念的重要工具...

2025-12-19 標(biāo)簽:IGBTEiceDRIVER感應(yīng)加熱評(píng)估板 1.3k 0

IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件,其可靠性至關(guān)重要。IGBT 在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,需通過散熱器有效散熱,以維持正常工作溫度...

2025-08-26 標(biāo)簽:封裝散熱器IGBT 1.3k 0

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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)變頻等領(lǐng)域,其封裝可靠性直接影響模塊的性能和壽命。在封裝工藝中,焊接強(qiáng)度、引線鍵合...

2025-05-14 標(biāo)簽:IGBT封裝測(cè)試功率模塊 1.3k 0

電動(dòng)汽車用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊環(huán)境試驗(yàn)要求及試驗(yàn)方法的詳解;

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【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

2025-11-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1.3k 0

中國功率半導(dǎo)體全球影響力顯著增強(qiáng)

據(jù)高盛最新數(shù)據(jù)顯示,2023年中國在全球功率半導(dǎo)體(IGBT)市場(chǎng)中占據(jù)了舉足輕重的地位,其供應(yīng)量已達(dá)到全球總量的29%,彰顯了我國在該領(lǐng)域的強(qiáng)勁實(shí)力與...

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芯未半導(dǎo)體功率項(xiàng)目一期通線投產(chǎn)

芯未半導(dǎo)體的半導(dǎo)體項(xiàng)目于去年8月開工。當(dāng)時(shí)芯片未完成項(xiàng)目共投資10億元人民幣,分兩個(gè)階段建設(shè),竣工投產(chǎn)后,將向包括igbt芯片、模塊和解決方案構(gòu)成產(chǎn)品等...

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安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺(tái),應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)

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以下文章來源于安森美,作者安森美領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵...

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 IGBT 市場(chǎng)在 2011~2012年少許反常性的下跌后, Yole 分析師預(yù)期今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步,具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在...

2013-08-15 標(biāo)簽:UPSIGBT再生能源 1.3k 0

深圳爭(zhēng)妍微電子:摘得“國家級(jí)科技型中小企業(yè)”認(rèn)證,以創(chuàng)新深耕微電子賽道

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華潤(rùn)微電子IGBT工藝平臺(tái)通過產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證

華潤(rùn)微電子IGBT工藝平臺(tái)通過產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證        由中國科學(xué)院微電子研究...

2010-03-31 標(biāo)簽:IGBT微電子 1.3k 0

英飛凌亮相PCIM Asia 2019,以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效

英飛凌以“我們賦能世界”為主題,在展會(huì)上展示了具備更高功率密度、最新芯片技術(shù)和功能更集成的一系列新產(chǎn)品和技術(shù)。

2019-07-03 標(biāo)簽:英飛凌電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1.3k 0

SiC賦能IGBT:突破硅基極限,開啟高壓高效新時(shí)代

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自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來,基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化...

2025-05-14 標(biāo)簽:IGBTSiC硅基 1.3k 0

西門康IGBT系列模塊

西門康IGBT系列模塊

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2007-12-22 標(biāo)簽:IGBT西門康 1.3k 0

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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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