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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

深度分析IGBT晶圓在1200V光伏逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用

深度分析IGBT晶圓在1200V光伏逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用

?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過將光伏電池板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率的交流電(AC),以供電網(wǎng)使用或反饋回商用輸電系統(tǒng)。逆變器的主要功能...

2024-11-14 標(biāo)簽:晶圓IGBT光伏逆變器 1.2k 0

如何克服車規(guī)級(jí)IC短缺問題

如何克服車規(guī)級(jí)IC短缺問題

車規(guī)級(jí)IC可以分為功能類別,如控制/計(jì)算芯片(MCU、CPU、FPGAs、ASICs、AI芯片等。)、功率半導(dǎo)體(IGBTs和MOSFETs)、傳感器(...

2023-11-23 標(biāo)簽:傳感器mcuIGBT 1.2k 0

英飛凌展示可滿足客戶高要求的性能一流的IGBT

英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì)上突...

2013-06-19 標(biāo)簽:英飛凌IGBTTRENCHSTOP 5 1.2k 0

龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop...

2025-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率器件 1.2k 0

美高森美為工業(yè)應(yīng)用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT...

2013-08-19 標(biāo)簽:IGBT美高森美NPT 1.2k 0

雙電源冗余供電的靜態(tài)切換方案有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

靜態(tài)切換(STS,Static Transfer Switch)是雙電源冗余供電的高端方案,核心基于晶閘管(SCR)、IGBT 等無機(jī)械觸點(diǎn)半導(dǎo)體開關(guān)實(shí)...

2026-02-25 標(biāo)簽:電源IGBT 1.2k 0

飛兆半導(dǎo)體650V場截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性

  太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效,滿足散熱法規(guī),同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairc...

2012-03-28 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換IGBT 1.2k 0

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能工業(yè)IC的廣泛產(chǎn)品陣容 

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)持續(xù)推動(dòng)高性能工業(yè)積體電路(IC)方案的電源管理。最新元件提供高度強(qiáng)固性,應(yīng)用于寬工作溫度範(fàn)圍,性能突出...

2012-11-14 標(biāo)簽:UPS安森美LDO 1.2k 0

安森美歐洲工廠獲OKI排氣處理設(shè)備,生產(chǎn)環(huán)保有保障

沖電氣(OKI)向安森美半導(dǎo)體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備,既能完成常壓CVD制膜過程的排氣處理又同時(shí)確保制膜穩(wěn)定性,支持客戶生產(chǎn)過程的環(huán)保。

2013-03-13 標(biāo)簽:MOSFET安森美IGBT 1.2k 0

半導(dǎo)體功率器件研發(fā)企業(yè)北一半導(dǎo)體完成超1.5億元B輪融資

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公司團(tuán)隊(duì)由來自國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)的成員組成,公司擁有經(jīng)驗(yàn)豐富且具有創(chuàng)新能力的國際型人才隊(duì)伍,團(tuán)隊(duì)核心成員從事半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和工藝開發(fā)20余年,擁有...

2023-06-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率器件 1.2k 0

電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):比較不同設(shè)備的效率

電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):比較不同設(shè)備的效率

MOSFET 開始流行,因?yàn)樗鼈兪茈妷嚎刂贫皇请娏骺刂?。MOSFET 不受熱漂移的影響,開關(guān)損耗較低。因此,它是電源轉(zhuǎn)換器中最常用的組件。IGBT 在...

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)電源電路 1.2k 0

安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模塊, 助力可再生能源應(yīng)用簡化設(shè)計(jì)并降低成本

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在相同的外形尺寸和熱閾值下,QDual3模塊能提供高出10%的功率 ? 2024 年6月12日-- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè) 安森美(onsem...

2024-06-14 標(biāo)簽:安森美IGBT 1.2k 0

瑞薩電子宣布為擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能重啟甲府工廠

近日,瑞薩電子宣布,考慮到EV(電動(dòng)汽車)需求不斷增長,為擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能重啟甲府工廠(山梨縣甲斐市)。

2024-04-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETIGBT 1.2k 0

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全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙...

2011-09-28 標(biāo)簽:IRIGBT 1.2k 0

BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場景適配性等方面的綜合優(yōu)勢,使其成為電力電子應(yīng)用中的首選,推動(dòng)了IGBT模塊向SiC模塊...

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翠展微電子全面加強(qiáng)體系建設(shè) 筑牢高質(zhì)量發(fā)展基石

? 翠展微電子 全面加強(qiáng)體系建設(shè); 繼往開來?開拓進(jìn)取?奮勇爭先 ? ? ? 據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計(jì)與分析,2022年IGBT因電動(dòng)...

2023-02-24 標(biāo)簽:IGBT認(rèn)證翠展微電子 1.2k 0

新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊

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新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結(jié)構(gòu),針對...

2024-08-13 標(biāo)簽:模塊散熱器IGBT 1.2k 0

硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模...

2025-05-30 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 1.2k 0

收藏!IGBT7系列分立器件核心知識(shí)點(diǎn)最全整理!

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英飛凌IGBT7單管系列,作為目前炙手可熱的光儲(chǔ)應(yīng)用新星產(chǎn)品,正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識(shí)大全,希望大家買得放心...

2024-03-13 標(biāo)簽:英飛凌芯片IGBT 1.2k 0

第二季度半導(dǎo)體庫存降底 車規(guī)MCU和IGBT交貨時(shí)間延長

報(bào)告指出,由于2023年第二季度的需求反彈,且代工廠和半導(dǎo)體供應(yīng)商的生產(chǎn)節(jié)流,預(yù)計(jì)該指數(shù)將大幅下行。不過,該指數(shù)將在整個(gè)2023年保持在盈余區(qū)域(庫存量...

2023-06-12 標(biāo)簽:ledIGBT模擬芯片 1.2k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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