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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模 芯達茂IGBT年出貨量已超千萬顆
與硅IGBT器件相比,碳化硅器件具有耐高壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低損耗等眾多優(yōu)點,使得其在電動汽車、光伏和其他新能源產(chǎn)業(yè)應(yīng)用上極有優(yōu)勢。
來源:投資界 近日,株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司(簡稱“中車時代半導(dǎo)體”)宣布增資引入26位戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺,金額為人民幣 43.278億元。 據(jù)...
國產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價格絞殺戰(zhàn)
進入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對外資功率模的瘋狂價格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊...
Vishay推出采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊
近日,全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊,這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括...
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針...
2011-10-13 標(biāo)簽:IRIGBT電源應(yīng)用 1.2k 0
華潤微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品
近日,西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品主要應(yīng)用...
上海貝嶺IGBT芯片BLG80T65FDK7-F實現(xiàn)批量交付
近日,上海貝嶺IGBT芯片BLG80T65FDK7-F在頭部客戶40KW與60KW電源模塊等項目中成功實現(xiàn)批量交付,為充電樁的高效、可靠運行注入強勁“芯”動力。
2024慕尼黑上海電子展已經(jīng)正式落下帷幕,在這個亞洲最具影響力的電子技術(shù)展會上,飛虹半導(dǎo)體作為領(lǐng)先的功率器件生產(chǎn)廠家,憑借其創(chuàng)新的IGBT、MOS管及其...
安森美公司近日發(fā)布了全新EliteSiC功率集成模塊,這款創(chuàng)新產(chǎn)品為電動汽車直流超快速充電樁賦予了雙向充電的先進功能。相較于傳統(tǒng)的硅基IGBT解決方案,...
高壓技術(shù)是實現(xiàn)更可持續(xù)未來的關(guān)鍵
隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長,高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案,使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。
IH2系列IGBT支持1350V的電壓(如今新增了1600V電壓),并采用了先進的溝槽柵極場截止 (TGFS) 架構(gòu)。該系列產(chǎn)品支持更高的擊穿電壓、較低...
2025-11-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體IGBT 1.2k 0
士蘭微:主要產(chǎn)品滿產(chǎn)、消費類產(chǎn)品承壓,國內(nèi)8吋IGBT襯底產(chǎn)量不夠分
受外部需求放緩影響,士蘭微(600460.SH)2022年度營收只完成計劃的82.82%。此外,公司增收不增利,凈利下降趨勢延續(xù)至今年Q1。 在昨日舉行...
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯...
長周期認(rèn)證下的IGBT封裝:先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢與后來者的困境
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而,IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面...
來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 受惠于電動車、5G基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域需求提升,SiC(碳化硅)功率元件正穩(wěn)步滲透到全球市場。據(jù)專業(yè)機構(gòu)統(tǒng)計,2018年全球已有超過20...
我們用的 IGBT,在核心元件表面,還有一層“果凍”,這個果凍起什么作用?我估計有以下可能目的: 1,散熱 2,絕緣 3,保護核心元件工作時不氧化? 4...
2022-12-08 標(biāo)簽:IGBT 1.2k 0
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