TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計(jì)水平的關(guān)鍵。今天，我們就來深入
2025-12-29 14:45:10
77 威兆半導(dǎo)體推出的VS7N65AD是一款面向650V高壓小功率場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源開關(guān)、小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-29 10:24:08106 
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運(yùn)行
2025-12-29 10:05:2289 探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天，功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:1575 ，能顯著降低功率MOSFET或IGBT的開關(guān)損耗，有助于提高系統(tǒng)整體效率，尤其適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行：高欠壓保護(hù)閾值和可靠的防誤觸發(fā)設(shè)計(jì)（輸入懸空默認(rèn)輸出低），確保了在電源波動或干擾復(fù)雜
2025-12-29 08:33:43
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心開關(guān)器件，其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本。南山電子代理的NCE07TD60BF是新潔能（NCE）推出的一款采用先進(jìn)第二代溝槽場
2025-12-25 16:57:49686 
下，全球能源結(jié)構(gòu)正經(jīng)歷著從化石能源向以電力為中心的可再生能源體系的根本性轉(zhuǎn)變。作為電力電子系統(tǒng)的核心“心臟”，功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)迭代直接決定了電能轉(zhuǎn)換的效率、體積與可靠性。傾佳電子（Changer Tech）作為中國工業(yè)電源、新能源汽車及電力電子產(chǎn)業(yè)鏈的核心分銷商，
2025-12-22 08:17:35170 
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)EE」知識星球-關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體可靠性全面解析-「SysPro電力電子」知識星球節(jié)選-文字原創(chuàng)，素材來源：英飛凌，網(wǎng)絡(luò)-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球
2025-12-19 08:00:52202 
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)(Robustness-Validation)。該試驗(yàn)嚴(yán)格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:545772 
延遲，我們在半橋拓?fù)渲序?qū)動650V MOSFET 并聯(lián)，開關(guān)波形干凈，幾乎沒有明顯的開啟/關(guān)斷拖尾。對比上一代方案，在100kHz下整機(jī)效率提升約1.8%，散熱壓力明顯減小。3. 高端直驅(qū)：省去隔離
2025-12-15 08:47:29
威兆半導(dǎo)體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-12 15:36:26245 
在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與電氣化浪潮的推動下，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心樞紐，其技術(shù)迭代速度正以前所未有的態(tài)勢加速。硅（Si）材料在接近其物理極限的背景下，以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體憑借高臨界擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高電子飽和漂移速度，成為了高壓、高頻、高功率密度應(yīng)用的首選。
2025-12-10 17:06:27557 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351601 
在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直是功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中的關(guān)鍵組件。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的FGHL50T65MQDT場截止溝槽IGBT，這款產(chǎn)品憑借其出色的性能和特性，在眾多應(yīng)用中展現(xiàn)出了巨大的潛力。
2025-12-08 11:21:421483 
在電力電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們就來詳細(xì)探討 ON Semiconductor 的 FGH4L50T65SQD 這款 650V、50A 的場截止型 IGBT，看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-03 15:10:33550 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 08:33:06749 
在電焊機(jī)應(yīng)用中，IGBT單管的耐壓能力、開關(guān)特性、導(dǎo)通損耗和可靠性直接影響整機(jī)的焊接性能、能耗水平和使用壽命。飛虹半導(dǎo)體推出的FHA25T120A（TO-247封裝）是一款專為電焊機(jī)優(yōu)化的場溝槽柵
2025-11-28 13:50:051595 
、可靠的系統(tǒng)保護(hù)和高度集成的設(shè)計(jì)方案，為200V以下的功率應(yīng)用提供了完善的解決方案。芯片在安全性、可靠性和系統(tǒng)集成方面的精心設(shè)計(jì)，使其成為工業(yè)控制、能源管理等高標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用的理想選擇。
#SLM2004 #高壓半橋驅(qū)動芯片 #低壓驅(qū)動芯片
2025-11-27 08:23:38
是緊密相關(guān)的。要使整個(gè)系統(tǒng)具有較高的可靠性，除了在盡可能提高硬件可靠性的前提下，軟件的可靠性設(shè)計(jì)也是必不可少的，必須從設(shè)計(jì)、測試及長期使用等方面來解決軟件可靠性。單片機(jī)系統(tǒng)的抗干擾能力是系統(tǒng)可靠性的重要
2025-11-25 06:21:27
最高結(jié)溫，可在增加運(yùn)行裕量的同時(shí)提高所有工作條件下的可靠性和耐用性。低壓降二極管和經(jīng)過優(yōu)化的關(guān)斷能耗可確保在16至60kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)有效提升單開關(guān)準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的運(yùn)行效率。
2025-11-24 10:07:331017 安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H橋功率MOSFET模塊專為汽車及工業(yè)環(huán)境中要求嚴(yán)苛的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。安森美 (onsemi
2025-11-22 11:16:271161 
安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC N溝道場截止IV高速IGBT采用新型場截止第四代IGBT技術(shù)和第1.5代SiC肖特基二極管技術(shù)。該IGBT的集電極-發(fā)射極電壓 (V ~CES
2025-11-21 15:34:38708 
列產(chǎn)品將從器件可靠性、效率最大化、應(yīng)用集成度等方面重新定義功率半導(dǎo)體性能邊界，其核心突破將為消費(fèi)電子、新能源汽車、光伏逆變器等多領(lǐng)域帶來革命性的能效躍升。Gen3技
2025-11-14 11:42:18414 
產(chǎn)品簡介柜式動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)（DHTGB/DHTRB/DH3TRB）為高性能動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，支持不同封裝形式的單管與模塊 的DGS/DRB/DH3TRB實(shí)驗(yàn)。 柜式動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)
2025-11-13 15:08:28
產(chǎn)品簡介動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)（DHTGB/DHTRB） 為開放式的動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，支持小批量不同封裝形式的單管與 模塊的DGS/DRB實(shí)驗(yàn)。 動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)（DHTGB/DHTRB
2025-11-13 14:27:58
云鎵半導(dǎo)體世界第一！云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片，向汽車電子進(jìn)發(fā)1.GaN—引領(lǐng)新能源汽車領(lǐng)域的未來隨著GaN器件在數(shù)據(jù)中心及光伏逆變等領(lǐng)域的滲透，其在工業(yè)級的應(yīng)用已日趨成熟。而在全球
2025-11-11 11:46:57624 
在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47447 
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
工作電壓范圍：兼容多種電源設(shè)計(jì)，保障MOSFET/IGBT驅(qū)動可靠穩(wěn)定。
3. 10-20V輸入引腳寬范圍：增強(qiáng)信號兼容性，降低電壓波動致驅(qū)動失效風(fēng)險(xiǎn)。
高效驅(qū)動，降低系統(tǒng)損耗
1. 4A拉/灌電流
2025-10-21 09:09:18
納微半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達(dá)800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實(shí)現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。
2025-10-15 15:54:592482 
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢，展示了其經(jīng)過實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98
2025-10-14 15:34:13804 
器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導(dǎo)體分立器件測試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)體核心功率轉(zhuǎn)換元件
2025-10-10 10:35:17
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511272 
在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，始終致力于核心工藝技術(shù)的創(chuàng)新與突破
2025-09-16 14:56:051645 
在當(dāng)今高速發(fā)展的信息社會中，電信系統(tǒng)對電源轉(zhuǎn)換器的要求越來越高：既要滿足高可靠性和高效率，又要在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)。尤其在48V通信系統(tǒng)中，電源模塊需要兼顧功率密度、保護(hù)機(jī)制和能效表現(xiàn)。今天要和
2025-09-15 10:08:43782 
傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路設(shè)計(jì)深度解析：SiC MOSFET驅(qū)動挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力
2025-09-14 22:59:12920 
功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。本文將簡單講解何為功率半導(dǎo)體IGBT模塊，和其結(jié)構(gòu)組成，介紹其應(yīng)用場景并例出部分實(shí)際產(chǎn)品。
2025-09-10 17:57:472556 
在電動車、車充、鋰電充放等多場景電源方案設(shè)計(jì)中，一款外圍簡潔、性能穩(wěn)定的驅(qū)動芯片是工程師提升設(shè)計(jì)效率與系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。Hi9103B 寬輸入電壓降壓 BUCK 恒壓恒流驅(qū)動器，憑借全面的技術(shù)優(yōu)勢
2025-09-06 11:40:15
在新能源汽車電子空調(diào)壓縮機(jī)系統(tǒng)中，壓縮機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行離不開高效、可靠的電源管理方案支撐。BT5981Q 作為一款專為高壓、高可靠性應(yīng)用場景打造的 42V微功率隔離反激式變換器 ，精準(zhǔn)適配這類嚴(yán)苛環(huán)境
2025-09-02 09:04:58
CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113434 功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664 
；?
高壓差場景適配：通過高占空比模式與低壓差（LDO-like）運(yùn)行機(jī)制，即使輸入與輸出電壓差值較小時(shí)（如 5V 輸入轉(zhuǎn) 3.3V 輸出），仍能保持低功耗與高轉(zhuǎn)換效率，無需額外搭配低壓差穩(wěn)壓器。?
三
2025-08-23 12:03:00
正文：?在工業(yè)電力系統(tǒng)、電動車載設(shè)備及電池供電場景中，高效穩(wěn)定的降壓電源轉(zhuǎn)換器是核心組件之一。SL3041H作為一款集成功率MOSFET的開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器，憑借其10V-120V超寬輸入電壓范圍
2025-08-22 16:39:25
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動器
2025-08-13 15:13:49777 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，芯片其性能與可靠性直接影響著各類電子設(shè)備的質(zhì)量與穩(wěn)定性。半導(dǎo)體可靠性測試恒溫箱作為模擬芯片苛刻工作環(huán)境的關(guān)鍵設(shè)備，在芯片研發(fā)與生產(chǎn)過程中發(fā)揮著作用。一、核心功能：模擬溫度
2025-08-04 15:15:301124 
專注于光電半導(dǎo)體芯片與器件可靠性領(lǐng)域的科研檢測機(jī)構(gòu)，能夠?qū)ED、激光器、功率器件等關(guān)鍵部件進(jìn)行嚴(yán)格的檢測，致力于為客戶提供高質(zhì)量的測試服務(wù)，為光電產(chǎn)品在各種高可靠性場景中的穩(wěn)定應(yīng)用提供堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量
2025-08-01 22:55:05906 
MGDS-150系列是GAIA電源致力于航空、航天、軍事及高端工業(yè)應(yīng)用研發(fā)的高可靠性DC-DC轉(zhuǎn)換器，其核心設(shè)計(jì)主要包括超薄型化結(jié)構(gòu)、超高功率密度、超寬頻率范圍、多功能保護(hù)系統(tǒng)四大性能，能夠滿足極端
2025-07-29 09:35:07
12.5V (開啟) / 11.5V (關(guān)斷) 的高欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)。這顯著提升了系統(tǒng)在電源波動或上電/掉電過程中的可靠性，有效防止功率管在電壓不足時(shí)發(fā)生損壞。
寬工作電壓與緊湊封裝： 支持
2025-07-28 09:07:47
B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求
2025-07-23 18:09:07687 
空間、降低研發(fā)生產(chǎn)成本，在小型家電中實(shí)現(xiàn)能效、空間與成本的優(yōu)化平衡。
突破能效瓶頸，駕馭小型化浪潮！面對家電與工業(yè)驅(qū)動領(lǐng)域?qū)Ω?b class="flag-6" style="color: red">效率、極致緊湊、超強(qiáng)可靠性與成本控制的嚴(yán)苛需求，深愛半導(dǎo)體重磅推出
2025-07-23 14:36:03
”設(shè)計(jì)，徹底消除了傳統(tǒng)光耦LED老化導(dǎo)致的性能衰減問題，帶來更高的長期運(yùn)行可靠性。-提供30V的輸入反向耐壓能力，增強(qiáng)接口保護(hù)。3.強(qiáng)大的驅(qū)動與保護(hù)：-峰值輸出電流達(dá)1.0A，可有效驅(qū)動主流IGBT/MOSFET
2025-07-21 08:56:31
家電應(yīng)用場景，包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 ? 該器件具備175℃最高結(jié)溫特性和優(yōu)異的熱阻系數(shù)，可確保30A額定電流下的高效散熱表現(xiàn)，在嚴(yán)苛工作環(huán)境中保持長期穩(wěn)定運(yùn)行。 ? 作為STPOWER產(chǎn)品組合，這是意法半導(dǎo)體第二代IH系列首款1600V電壓等級IGBT，采用先進(jìn)的溝槽柵場截止
2025-07-17 10:43:176617 1200V STGSH50M120D將采用半橋配置的二極管和IGBT集成在一個(gè)ACEPACK SMIT封裝中。該器件將M系列溝槽柵極場截止IGBT的穩(wěn)健性與頂部冷卻ACEPACK SMIT表面貼裝封裝出色的可靠性和散熱性能相結(jié)合。
2025-07-11 17:32:411862 功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。
本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
國產(chǎn)IGBT單管新品，采用飛虹半導(dǎo)體第七代場截止（Trench Field Stop VII ）技術(shù)工藝設(shè)計(jì)，能達(dá)到顯著降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。使產(chǎn)品具有極低的VCE（sat）和極短的拖尾電流，為終端設(shè)計(jì)師在優(yōu)化系統(tǒng)效率時(shí)提供有力的幫助。
2025-07-08 16:09:272425 
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031014 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計(jì)?？删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44656 
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
本文主要介紹半導(dǎo)體芯片的可靠性測試項(xiàng)目
2025-06-20 09:28:501101 
在當(dāng)今新能源和工業(yè)電力電子領(lǐng)域，高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)設(shè)備高性能運(yùn)行的核心。揚(yáng)杰推出的MG600HF065TLC2 IGBT模塊，以其卓越的性能和可靠性，成為高功率應(yīng)用的理想選擇。 產(chǎn)品
2025-06-19 16:56:42530 
，成本低
內(nèi)部集成高壓啟動，起機(jī)時(shí)間短(典型 50ms)，優(yōu)越的動態(tài)響應(yīng)
DIP7 封裝，內(nèi)置 650V 高壓 MOS，可靠性高具有過壓、欠壓、過溫、過流、輸出短路保護(hù)等功能
2025-06-19 10:38:58
近日，第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇在蘇州召開，作為國際公認(rèn)的測試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)，SGS受邀出席并發(fā)表《車規(guī)功率器件可靠性認(rèn)證與SiC適用性探討》主題演講，為車用功率半導(dǎo)體的可靠性驗(yàn)證提供系統(tǒng)性解決方案。
2025-06-17 18:08:451039 隨著功率半導(dǎo)體器件在新能源、電動汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其可靠性問題日益受到關(guān)注。塑料封裝作為功率器件的主要封裝形式，因其非氣密性特性，在濕熱環(huán)境下容易出現(xiàn)分層失效，嚴(yán)重影響器件性能和壽命
2025-06-05 10:15:45738 
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502384 
半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代制造業(yè)的核心基石，被譽(yù)為“工業(yè)的糧食”，而晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基板，其質(zhì)量直接決定芯片的性能、良率和可靠性。晶圓隱裂檢測是保障半導(dǎo)體良率和可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。晶圓檢測通過合理搭配工業(yè)
2025-05-23 16:03:17647 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，可靠性測試設(shè)備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門員”，通過模擬各類嚴(yán)苛環(huán)境，對半導(dǎo)體器件的長期穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行評估，確保其在實(shí)際使用中能穩(wěn)定運(yùn)行。以下為你詳細(xì)介紹常見的半導(dǎo)體測試可靠性測試設(shè)備。
2025-05-15 09:43:181022 
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
針對性地研究提高電機(jī)微機(jī)控制系統(tǒng)可靠性的途徑及技術(shù)措施:硬件上,方法包括合理選擇篩選元器件、選擇合適的電源、采用保護(hù)電路以及制作可靠的印制電路板等;軟件上,則采用了固化程序和保護(hù) RAM 區(qū)重要數(shù)據(jù)等
2025-04-29 16:14:56
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下，如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。
2025-04-29 14:43:471042 包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等，使用可靠性問題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
2025-04-25 09:38:272578 
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
著關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件正朝著高性能、高集成度、智能化方向發(fā)展，功率集成技術(shù)也日益成熟，為各行業(yè)帶來了更高的效率和可靠性。
2025-04-09 13:35:401445 
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場上
2025-04-02 10:59:415531 
深度分析：從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導(dǎo)致國內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元，這一案例凸顯了功率半導(dǎo)體模塊可靠性測試的極端重要性。國產(chǎn)SiC
2025-03-31 07:04:501316 VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度，逐漸成為高頻、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。然而，SiC
2025-03-24 17:43:272362 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命，還關(guān)系到整個(gè)電力電子系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性
2025-03-18 10:14:051536 
內(nèi)置650V小功率非隔離電源管理芯片-PN8008 一 概述PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件精簡的小功率非隔離開關(guān)電源.PN8008
2025-03-10 10:59:05
半導(dǎo)體器件可靠性測試方法多樣，需根據(jù)應(yīng)用場景(如消費(fèi)級、工業(yè)級、車規(guī)級)和器件類型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測試組合。測試標(biāo)準(zhǔn)(如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD)為測試提供了詳細(xì)的指導(dǎo)，確保器件在極端條件下的可靠性和壽命。
2025-03-08 14:59:291107 
輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力，高壓耐壓達(dá)650V，開關(guān)節(jié)點(diǎn)動態(tài)能力支持達(dá)50V/ns，瞬態(tài)耐壓能力達(dá)-60V (100ns）。LPD2106集成了完善的保護(hù)功能，集成了輸入最小
2025-03-08 10:11:281248 
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 16:45:55748 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890 
半導(dǎo)體集成電路的可靠性評價(jià)是一個(gè)綜合性的過程，涉及多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)和層面,本文分述如下：可靠性評價(jià)技術(shù)概述、可靠性評價(jià)的技術(shù)特點(diǎn)、可靠性評價(jià)的測試結(jié)構(gòu)、MOS與雙極工藝可靠性評價(jià)測試結(jié)構(gòu)差異。
2025-03-04 09:17:411478 
，適合關(guān)鍵應(yīng)用場景。我們的純正弦波逆變器解決方案克萊美科技提供高性能、高可靠性的純正弦波逆變器解決方案，涵蓋以下服務(wù)：定制化開發(fā)： 根據(jù)客戶需求定制功率、電壓、頻率等參數(shù)。技術(shù)支持： 提供從設(shè)計(jì)到調(diào)試的全流程技術(shù)支持。高效交付： 模塊化設(shè)計(jì)，縮短開發(fā)周期，快速響應(yīng)客戶需求。
2025-03-03 15:58:50
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
在低壓工頻逆變器設(shè)計(jì)中，MOS管的選型直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。面對IRFB7537PBF、HY3906P、CS160N06等進(jìn)口型號的供應(yīng)鏈波動，國產(chǎn)替代方案成為工程師的重要選擇。我們將從代換
2025-02-24 16:38:261017 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081124 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 如何提高半導(dǎo)體設(shè)備防震基座的制造效率？-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司提高半導(dǎo)體設(shè)備防震基座的制造效率是一個(gè)綜合性的過程，需要從多個(gè)方面進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，以下是一些可行的方法：1，優(yōu)化生產(chǎn)流程（1)價(jià)值流
2025-01-08 15:06:57751 
隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261543 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 為滿足越來越多的對穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲存溝柵場截止(FS)工藝，為工業(yè)應(yīng)用帶來高可靠性的同時(shí)，提高功率密度。
2025-01-06 14:55:521043
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