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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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長(zhǎng)晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布
長(zhǎng)晶科技本次推出了FST3.0(對(duì)標(biāo)國(guó)際Gen7.0) 650V和1200V系列的三款I(lǐng)GBT單管,主要用于光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用。
2024-12-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT長(zhǎng)晶科技 1.5k 0
薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運(yùn)算放大器SLA333等產(chǎn)品
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝,不斷推出新產(chǎn)品,驅(qū)動(dòng)公司不斷發(fā)展。
2024-02-28 標(biāo)簽:CMOSMOSFET運(yùn)算放大器 1.5k 0
近幾年,隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展,作為新能源汽車(chē)內(nèi)用控制器的主要成本構(gòu)成器件IGBT也迎來(lái)了爆發(fā),預(yù)計(jì)到2025年,中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億元...
2024-07-24 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)模塊封裝 1.5k 0
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車(chē)載電動(dòng)壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用,開(kāi)發(fā)出符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q10...
汽車(chē)芯片持續(xù)旺盛的需求下,IGBT/MCU為何還一芯難求
自去年開(kāi)始,芯片市場(chǎng)逐漸呈現(xiàn)出“冰火兩重天”的格局。一方面,在消費(fèi)電子市場(chǎng)一片萎靡下,芯片市場(chǎng)從“搶芯片”變成“去庫(kù)存”,WSTS數(shù)據(jù)顯示,1月全球半導(dǎo)...
對(duì)于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來(lái)說(shuō),功率半導(dǎo)體,包括二極管和三極管,雖然其基本功能看似簡(jiǎn)單,但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的工作。IGB...
2024-06-19 標(biāo)簽:三極管二極管電子系統(tǒng) 1.5k 0
英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) (RC) 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 產(chǎn)品系列,推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型...
?大家好,我叫宋仕強(qiáng),是薩科微和金航標(biāo)這兩個(gè)皮包公司的大股東兼大老板兼董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。薩科微公司近年來(lái)發(fā)展迅速,產(chǎn)品研發(fā)方面大投入,高端產(chǎn)品IGBT、電...
2023-07-06 標(biāo)簽:三極管二極管穩(wěn)壓二極管 1.5k 0
英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場(chǎng)熱度不減,本文為大家整理針對(duì)該產(chǎn)品系列的常見(jiàn)問(wèn)題,一看就懂,牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過(guò)了哪些可靠性測(cè)...
來(lái)源:ST社區(qū) 作為主流的新型電力電子器件之一,IGBT在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)、新能源裝備,以及工業(yè)領(lǐng)域(高壓大電流場(chǎng)合的交直流電轉(zhuǎn)換...
2022-11-15 標(biāo)簽:IGBT 1.5k 0
斯達(dá)半導(dǎo)2023年?duì)I收凈利雙增,多元化發(fā)展態(tài)勢(shì)喜人
斯達(dá)半導(dǎo)還指出,公司在車(chē)載空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車(chē)半導(dǎo)體器件市場(chǎng)份額有所提升。2023年,斯達(dá)半導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了關(guān)于車(chē)用主電機(jī)控制器的車(chē)規(guī)級(jí)IGB...
2024-04-07 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)控制器IGBT 1.5k 0
電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級(jí)與應(yīng)用策略
電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級(jí)與應(yīng)用策略 傾佳電子(Changer Tech)是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服...
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述
意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0
電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IGBT可靠性與壽命估算指南
本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語(yǔ):在之前的文章里,我們探討驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電機(jī)控制器在熱應(yīng)力、電應(yīng)力作用下的耐久,討論了為什么做?怎么...
2025-07-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 1.5k 0
探索EVAL-2EP130R-PR評(píng)估板:IGBT與MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源的理想之選
探索EVAL-2EP130R-PR評(píng)估板:IGBT與MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,對(duì)于IGBT和MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源...
2025-12-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBTEVAL-2EP130R-PR評(píng)估板 1.5k 0
中國(guó)車(chē)企下決“芯” 功率半導(dǎo)體全布局
無(wú)獨(dú)有偶,在車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車(chē)企不止吉利一家。近日,深藍(lán)汽車(chē)與斯達(dá)半導(dǎo)體達(dá)成合作,雙方組建了一家名為 " 重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司 &...
2023-06-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 1.5k 0
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生,九十年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合電力電子器...
2012-11-06 標(biāo)簽:IGBT 1.5k 0
IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差會(huì)使 IGBT 芯片受到不均勻的機(jī)械應(yīng)力
IGBT 作為功率半導(dǎo)體器件,其封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械可靠性對(duì)器件性能至關(guān)重要。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面的平整度是影響封裝機(jī)械應(yīng)力分布的關(guān)鍵因素,當(dāng)貼合...
忱芯科技完成億元戰(zhàn)略融資助力碳化硅ATE產(chǎn)品全球化征程
近日,「忱芯科技(UniSiC)」宣布完成億元戰(zhàn)略融資,本輪融資由火山石投資、華潤(rùn)旗下潤(rùn)科基金、老股東武岳峰科創(chuàng)聯(lián)合投資,融資資金將主要用于忱芯科技前瞻...
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 1.5k 0
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