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LDMOS（laterally-diffused metal-oxide semiconductor）是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。

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智芯公司榮膺第二十五屆中國專利獎金獎

近日，第十四屆中國國際專利技術(shù)與產(chǎn)品交易會（以下簡稱“專交會”）開幕式暨第二十五屆中國專利獎頒獎大會在大連舉行。本屆專交會主題為“專利轉(zhuǎn)化運用賦能創(chuàng)新發(fā)...

2025-10-18 標簽：LDMOS 隔離芯片智芯 1.2k 0

華太電子全新推出兩款LDMOS放大器

華太電子全新推出的 HTM9GO9S015P 和 H9G3438M15P 兩款 LDMOS 放大器，分別覆蓋 1.8 - 950 MHz 和 3.4 -...

2025-03-19 標簽：放大器 LDMOS 華太電子 1.3k 0

華太電子推出3K0射頻功放器件

隨著工業(yè)射頻電源、粒子加速器、醫(yī)療影像、射頻加熱等領(lǐng)域的快速發(fā)展，射頻功率放大器正面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。大功率、高效率、高可靠性已成為射頻功放器件發(fā)展...

2025-02-28 標簽：LDMOS 射頻功放華太電子 1.5k 0

羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長市場壽命

羅徹斯特電子與Ampleon合作支持授權(quán)解決方案 Ampleon創(chuàng)辦于2015年，前身是NXP的射頻功率業(yè)務部門，在射頻功率領(lǐng)域擁有50多年的領(lǐng)導地位...

2024-08-12 標簽：LDMOS 羅徹斯特射頻功率晶體管 1.9k 0

江西薩瑞微獨家研發(fā)【一種LDMOS場效應管及其制備方法】

一種LDMOS場效應管及其制備方法本發(fā)明涉及半導體器件設(shè)計領(lǐng)域，具體涉及一種LDMOS場效應管及其制備方法。在當前半導體行業(yè)競爭日趨激烈的背景下，LDM...

2024-04-13 標簽：LDMOS 半導體器件 1.1k 0

一種LDMOS場效應管及其制備方法

LDMOS場效應管，即橫向擴散金屬氧化物半導體器件。隨著對擊穿電壓要求的提高，對LDMOS場效應管中場板要求也高。

2024-03-06 標簽：場效應管 LDMOS 1.7k 0

5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場

來源：RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署，使得在基站中大量使用的功率放大器（PA,簡稱功放）芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長，成為各家射頻公司爭奪的焦點。在...

2022-12-01 標簽：GaN LDMOS 5G 4.2k 0

到2025年，整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元

報告指出，自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來，GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...

2020-09-21 標簽：GaN LDMOS 5G 3.4k 0

GaN步步緊逼，LDMOS路在何方？

在射頻和功率應用中，氮化鎵（GaN）技術(shù)正在變得日益盛行。

2019-01-19 標簽：射頻氮化鎵 LDMOS 7.8k 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年。”能訊半導體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點，抓住5G基站建...

2018-10-19 標簽：氮化鎵 LDMOS 8.5k 0

Ampleon為HF、VHF和ISM應用提供LDMOS RF功率晶體管

Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。

2016-01-13 標簽：晶體管 LDMOS Ampleon 2.4k 0

超耐用LDMOS提升功率：恩智浦發(fā)布BLF188XR

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...

2013-08-13 標簽：LDMOS 射頻功率晶體管 BLF188XR 5.1k 0

恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注...

2013-06-21 標簽：恩智浦 LDMOS 功率晶體管 2.1k 0

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有...

2013-06-09 標簽：飛思卡爾 GaN LDMOS 2.2k 0

英飛凌推出全新射頻功率LDMOS晶體管

英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達系統(tǒng)的脈沖應用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效...

2012-07-15 標簽：英飛凌晶體管 LDMOS 1.7k 0

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應用類型

眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限...

2012-05-28 標簽：射頻 ldmos 功率晶體管 2.1k 0

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

本文通過對基于 Freescale 生產(chǎn)的LDMOS 晶體管MW6IC2240構(gòu)成的射頻功率放大器研究，以及建立相應的電路模型，主要研究了射頻功率放大器...

2012-04-24 標簽：TD-SCDMA LDMOS 2.5k 0

LDMOS的性能與制造工藝

與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB

2011-12-01 標簽：LDMOS 4.7k 0

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET。

2011-12-01 標簽：VDMOS LDMOS 4.2萬 0

LDMOS器件靜電放電失效原理

通過對不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護性能的分析對比，指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護方面的優(yōu)勢。

2011-12-01 標簽：靜電放電 LDMOS 1.2萬 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導體企都選擇將制造業(yè)務剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務運營覆蓋 35 個國家的全球性半導體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導體設(shè)計與制造公司：業(yè)務覆蓋超過35個國家、服務全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責更事關(guān)重大。響應時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應用通常可以先在本地存儲數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應控制等內(nèi)容。
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復雜芯片設(shè)計。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標志識別（TSR）、僅視覺自適應巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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