mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

電源正負(fù)極接反的解決方式及避免方案

在正電源輸入端串聯(lián)一個(gè)正向二極管，充分利用二極管正向?qū)ā⒎聪蚪刂沟奶匦?。正常情況下，二級(jí)管導(dǎo)通，電路板工作。

2022-11-18 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路 MOS管 6.8k 0

BMS系統(tǒng)的硬件架構(gòu)介紹

鋰電池在生活中越來越多的方面扮演能源的角色，除了大家熟知的電動(dòng)汽車行業(yè)，在一些消費(fèi)類，工業(yè)類電子產(chǎn)品比如手機(jī)，電動(dòng)自行車，電動(dòng)工具中都有應(yīng)用，追本溯源今...

2023-03-10 標(biāo)簽：鋰電池芯片 MOS管 6.8k 0

MOS管全面知識(shí)解析

MOS管，即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...

2025-09-19 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管晶體管 6.8k 0

MOS管的安全工作區(qū)SOA詳解—如何判斷一個(gè)MOS管是否工作在SOA區(qū)？

測量MOS管的電壓和電流波形，判斷電壓和電流是否超標(biāo)

2024-03-18 標(biāo)簽：示波器 MOS管 SOA 6.8k 0

MOSFET柵極和源極的下拉電阻有什么作用

MOSFET柵極與源極之間加一個(gè)電阻?這個(gè)電阻有什么作用?

2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管柵極 6.8k 0

48V直流電機(jī)分立元件MOS管驅(qū)動(dòng)電路制作

如果你的電機(jī)工作電壓低于等于12V可能需要調(diào)整上橋臂晶體管的工作狀態(tài)。

2020-07-18 標(biāo)簽：直流電機(jī)MOS管驅(qū)動(dòng)電路 6.8k 0

徹底了解MOS管，我們應(yīng)從兩點(diǎn)入手

MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計(jì)有直接的關(guān)系，縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間可有效降低開關(guān)損耗；最后，驅(qū)動(dòng)MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部，輸出能力很強(qiáng)，通常電...

2022-08-19 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 6.8k 0

AB類輸出級(jí)中浮動(dòng)電流源偏置問題解惑

M27和M28的跨導(dǎo)是怎么保持相等的？共模輸入變化的時(shí)候，M11和M17的柵壓會(huì)隨著電流改變，這樣M28、M27的源端電位也改變了

2023-10-27 標(biāo)簽：MOS管電流源負(fù)反饋 6.8k 0

Boost升壓電路原理 Boost電路參數(shù)的設(shè)計(jì)

Boost電路是一種開關(guān)直流升壓電路，它能夠使輸出電壓高于輸入電壓。在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中算是一種較為常見的電路設(shè)計(jì)方式。

2023-08-22 標(biāo)簽：電容器二極管 MOS管 6.8k 0

MOS管的通斷過程你都理解透了嗎？

對(duì)于恒定Vds，Vgs越大，則溝道中可移動(dòng)的電子越多，溝道電阻就越小，ID就越大。當(dāng)然這個(gè)Vgs大到一定值，電壓再大，ID的變化也不會(huì)再有太大的變化了。...

2023-03-25 標(biāo)簽：電阻 MOS管漏極 6.7k 0

LLC工作原理詳細(xì)介紹

1、LLC 電路拓?fù)?LLC 電路是由 2 個(gè)電感和 1 個(gè)電容構(gòu)成的諧振電路，故稱之為 LLC。其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)根據(jù) MOS 管的配列可以分為半橋或全橋類型...

2025-10-12 標(biāo)簽：變壓器 MOS管 LLC 6.7k 0

南芯方案2023 USB-C大功率充電寶技術(shù)研討

目前充電寶新國標(biāo)開始實(shí)施發(fā)證、全球旅游市場復(fù)蘇、iPhone切換USB-C口等熱點(diǎn)頻頻，再加上電芯能量密度、放電倍率也獲得突破，充電寶芯片集成度再創(chuàng)新高

2023-09-20 標(biāo)簽：鋰離子電池 USB接口 MOS管 6.7k 0

三極管和MOS管的異?，F(xiàn)象與根本原因分析

板在環(huán)境試驗(yàn)低溫存儲(chǔ)后（機(jī)框下電，-40°存儲(chǔ)24h，恢復(fù)到常溫25°，在25°條件下保持2h）上電，發(fā)現(xiàn)有4塊單板未正常啟動(dòng)。監(jiān)控單板電源，發(fā)現(xiàn)所有問...

2022-07-04 標(biāo)簽：三極管 MOS管 SOT23 6.6k 0

MOS管G極和S極串聯(lián)電阻的作用

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的G極（柵極...

2024-07-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 6.6k 0

如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。

2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 6.6k 0

MOS管的結(jié)構(gòu)與latchup的形成原因

一般Fabless公司設(shè)計(jì)的芯片在工程批回來之后，都會(huì)做芯片級(jí)的ESD測試和latchup等測試，對(duì)很多客戶朋友來說，有可能對(duì)latchup稍微陌生，本...

2022-05-20 標(biāo)簽：ESD MOS管 latchup 6.6k 0

STM32端口復(fù)用和端口重映射？什么是端口復(fù)用重映射？

對(duì)于單片機(jī)而言，GPIO引腳配置是最基本的，也是最重要的，因?yàn)樗械模ㄐ盘?hào)）輸入和（控制）輸出都是通過這些配置起作用的。

2023-07-21 標(biāo)簽：MOS管數(shù)據(jù)寄存器 RCC 6.6k 0

講講“熱插拔”的特性和芯片應(yīng)用

隨著人類生活對(duì)現(xiàn)代通信技術(shù)的依賴程度越來越高，人們對(duì)電源系統(tǒng)的可靠性也提出了越來越嚴(yán)苛的要求，工作系統(tǒng)短暫的中斷，也會(huì)給我們?cè)斐蔁o法估量的損失。

2023-12-28 標(biāo)簽：連接器 MOS管熱插拔 6.6k 0

一文詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)

功率MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高。

2023-07-22 標(biāo)簽：MOSFET 電路設(shè)計(jì)MOS管 6.6k 0

MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算

MOS 管的開關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS管功率損耗 6.5k 0

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