mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

使用MOS管搭建雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)

　　在電路開發(fā)過程中，我們經(jīng)常遇到兩個(gè)系統(tǒng)電平不一致的情況，比如IIC通信。使用MOS管搭建雙向電平轉(zhuǎn)換電路，是比較常見的做法，電路如圖1中虛線框所示，...

2023-01-19 標(biāo)簽：三極管 MOS管電平轉(zhuǎn)換電路 6.5k 0

MOS管的隔離作用

如果我們想實(shí)現(xiàn)線路上電流的單向流通，比如只讓電流由A——> B，阻止由B——>A請問可以怎么做？

2023-02-24 標(biāo)簽：二極管 MOS管 MOS 6.5k 0

不使用輔助線圈是否可行?比如在初級線圈上檢測來做原邊反饋？

有2種檢測方法，一種是從前往后檢測，另一種就是從后往前檢測。 -從前往后檢測，是通過延遲，或者是斜率轉(zhuǎn)變的方法來找到膝點(diǎn)的時(shí)刻。 -從后往前...

2018-05-07 標(biāo)簽：線圈開關(guān)電源 MOS管 6.5k 0

MOS管的快速開啟和關(guān)閉（MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)）

MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會(huì)影響...

2023-03-06 標(biāo)簽：MOSFET 電容電路設(shè)計(jì) 6.5k 0

如何用運(yùn)算放大器構(gòu)建一個(gè)簡單的過流保護(hù)電路

過流保護(hù)電路種類繁多，電路的復(fù)雜性取決于保護(hù)電路在過流情況下的反應(yīng)速度。下面這個(gè)電路使用很常見的運(yùn)算放大器構(gòu)建一個(gè)簡單的過流保護(hù)電路。

2023-07-12 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 MOS管比較器 6.5k 0

MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/分類/應(yīng)用

MOS管是一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，也稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管（MOSFET）。它是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)中各種電路...

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET MOS管晶體管 6.5k 0

如何選用低成本MOS管搭建開關(guān)電路

　這就是基于瑞納捷半導(dǎo)體的RJGT101D6加密芯片設(shè)計(jì)的兩線加密煙彈方案，方案在不改變傳統(tǒng)煙彈外觀的情況下，做到了簡單、低成本、易于實(shí)施的設(shè)計(jì)目標(biāo)，可...

2022-04-22 標(biāo)簽：開關(guān)電路 MOS管瑞納捷半導(dǎo)體 6.5k 0

單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)選用三極管的原因

單片機(jī)io口的驅(qū)動(dòng)選用三極管的原因。

2022-12-03 標(biāo)簽：三極管單片機(jī)MOS管 6.5k 1

芯片異常漏電幾種情況分析

門電路的輸入端懸空，有可能導(dǎo)致PMOS和NMOS同時(shí)導(dǎo)通，存在短路電流，如果MOS管的尺寸越大表現(xiàn)出來的漏電流就越大.

2023-12-08 標(biāo)簽：芯片 ldo MOS管 6.5k 0

MOSFET漏極與源極之間的二極管有什么作用

在各類電路圖中，我們經(jīng)?？梢钥吹組OSFET在作開關(guān)時(shí)，其漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管，如圖1所示。那么這個(gè)二極管是用來做什么的？

2023-11-14 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 6.5k 0

MOS管的基礎(chǔ)知識

MOS管，全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一...

2023-03-13 標(biāo)簽：MOSFET 放大電路 MOS管 6.5k 0

IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...

2023-02-08 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 6.5k 0

詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2023-08-21 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 6.5k 0

一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點(diǎn)以及實(shí)用電路

MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路、靜電防護(hù)等幾個(gè)方面用工程師的話簡單描述。

2023-01-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOS管 6.5k 0

MOS管中的N型/P型是什么意思？溝道呢？金屬氧化物膜又是什么

MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)方面給大家進(jìn)行簡單的描述介紹。

2022-10-19 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管金屬氧化物膜 6.5k 0

MOS管的米勒效應(yīng)：感性負(fù)載

在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的，對各階段做了定量分析，相信看過的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。

2023-03-26 標(biāo)簽：電路負(fù)載 MOS管 6.4k 0

同步和異步buck電路的對比

四種組合模式的簡化結(jié)構(gòu)對比圖如下圖所示，通過對比，很清楚地看出同步和異步的差異是否存在續(xù)流二極管。而集成型buck和非集成型的主要差異就是將開關(guān)控制部分...

2023-10-30 標(biāo)簽：二極管 MOS管 FET 6.4k 0

基于MOSFET搭建簡易的電平轉(zhuǎn)換電路

在電子產(chǎn)品中，不同芯片的供電電壓不同，導(dǎo)致某些芯片之間的通信信號電平不同，無法直接相互連接。例如高通8155的IO是1.8V電壓域，而瑞薩RH850的I...

2023-03-10 標(biāo)簽：MOSFET MOS管體二極管 6.4k 0

MOS管極性的判斷方法

在場效應(yīng)管家族中可以分支成三類成員，第一類是比較常用的一類，它的大名叫“絕緣柵型場效應(yīng)管”（MOSFET），它的小名叫“MOS”管，也就是題目所講的MO...

2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 6.4k 0

LDO常見問題解答

　關(guān)于LDO以下至少有一個(gè)問題是你想知道的!

2023-04-19 標(biāo)簽：電容器熱電偶噪聲 6.4k 0

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　　全橋整流電路是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路，整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電路輸出電流的能力較差，所以具有高電壓，小電流的輸出特性。
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