mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

一文解析輸入輸出阻抗和MOS管柵極串聯(lián)電阻

? 本文主要的目的不在于講一個(gè)音頻耦合電容的問(wèn)題，重點(diǎn)在于分析方法。如果你碰到一個(gè)新的電路，不知道如何下手的時(shí)候，不妨按照這個(gè)方法試一試。頭腦中簡(jiǎn)單建...

2022-10-18 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻阻抗 MOS管 6.2k 0

實(shí)戰(zhàn)講解：為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管？

▼關(guān)注公眾號(hào)：工程師看海▼ 原文來(lái)自原創(chuàng)書籍《硬件設(shè)計(jì)指南從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》：根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。圖...

2024-03-06 標(biāo)簽：二極管 MOS管 PN結(jié) 6.2k 0

詳解電源和地之間的走線電感

其中W為走線寬度，l為走線長(zhǎng)度，可以發(fā)現(xiàn)PCB走線電感與敷銅厚度無(wú)關(guān)，走線電感主要由長(zhǎng)度l決定。

2023-01-19 標(biāo)簽：電源 MOS管電感 6.2k 0

N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作區(qū)間及開通過(guò)程分析

　　N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，P型襯底上制作兩個(gè)高摻雜的N區(qū)，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引...

2023-10-01 標(biāo)簽：二極管 MOS管 N溝道 6.1k 0

反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形

結(jié)合著原理圖，我試著解釋一下反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式DCM穩(wěn)態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形，不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。

2023-06-25 標(biāo)簽：RCD吸收電路 MOS管鉗位電壓 6.1k 0

IIC總線雙向電平轉(zhuǎn)換電路的工作原理

在IIC主從設(shè)備連接時(shí)，需要考慮主從設(shè)備的電平情況，常規(guī)的主要有3種：5V、3.3V、1.8V，如果電平相同，那么就直接連接;若電平不同，一個(gè)高電平是5...

2023-03-16 標(biāo)簽：MOS管總線 IIC 6.1k 0

PIN Diode射頻開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與調(diào)試

在小功率無(wú)線產(chǎn)品射頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)中，我們常常選用CMOS，GaAs，SOI等工藝的射頻器件，其外圍電路很簡(jiǎn)單，通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。

2023-07-04 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路射頻開關(guān) 6.1k 0

MOS管被擊穿的原因

MOS管的敏感性使其容易受到靜電放電（ESD）的損害，這可能導(dǎo)致器件性能下降甚至完全失效。本文將深入探討MOS管被擊穿的原因，并提出相應(yīng)的解決方案，以幫...

2024-10-04 標(biāo)簽：ESD 靜電 MOS管 6.1k 0

什么是安全工作區(qū)？SOA具體如何應(yīng)用和測(cè)試呢？

VDS（Drain-source voltage）：漏源電壓標(biāo)稱值，反應(yīng)的是漏源極能承受的最大的電壓值；

2023-01-08 標(biāo)簽：MOS管 SOA 脈沖電流 6.1k 0

LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）選型小結(jié)

最近使用LDO較多，整理出了一些它的選型要素及注意點(diǎn)，在這里同大家一起分享下，有補(bǔ)正歡迎在評(píng)論區(qū)留言。

2022-08-31 標(biāo)簽：ldo MOS管線性穩(wěn)壓器 6.1k 0

開關(guān)電源中MOS管柵極上拉電阻和下拉電阻的作用

第二個(gè)作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在，當(dāng)我們斷電時(shí)，由于這個(gè)寄生電容沒有放電路徑，這個(gè)MOS管還會(huì)處于一個(gè)導(dǎo)通狀態(tài)，那么我們下次上電時(shí)，這個(gè)...

2023-10-21 標(biāo)簽：上拉電阻下拉電阻開關(guān)電源 6.1k 0

MOS驅(qū)動(dòng)好不好？一看波形就清楚了！

如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來(lái)判斷驅(qū)動(dòng)好不好，到底是哪里出了問(wèn)題？本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動(dòng)波形。

2023-02-08 標(biāo)簽：三極管 MOS管驅(qū)動(dòng) 6k 0

電流源與電壓源的區(qū)別電流源電路分析

　　電流源輸出的是穩(wěn)定的電流，電壓源輸出的是穩(wěn)定的電壓，當(dāng)然了，穩(wěn)定只是相對(duì)的，這個(gè)世界上沒有完全穩(wěn)定的電源。

2023-03-21 標(biāo)簽：MOS管電壓源電流源 6k 0

NMOS管和PMOS管的原理、選型及應(yīng)用

如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。

2023-03-28 標(biāo)簽：二極管單片機(jī)MOS管 6k 0

為何開關(guān)電源普遍使用MOS管呢？

MOS管在開關(guān)電路的作用是信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷。

2023-02-20 標(biāo)簽：開關(guān)電路開關(guān)電源 MOS管 6k 0

低Vth加濕器MOS管解決方案與設(shè)計(jì)電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道

惠海半導(dǎo)體中低壓場(chǎng)效率管（MOSFET） MOS管型號(hào)：HC160N10LS 絲印：HC510 參數(shù)：100V5A（5N10）內(nèi)阻：145mR（VGS...

2021-01-19 標(biāo)簽：電路圖 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 6k 3

詳解大電流H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

搭建H橋驅(qū)動(dòng)電路一般都包括兩個(gè)部分：半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅(qū)動(dòng)所能通過(guò)的電流幾乎由MOS管的導(dǎo)通漏極電流所決定。

2023-01-12 標(biāo)簽：MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)芯片 6k 0

為什么MOS管要并聯(lián)一個(gè)二極管？有什么用？

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，翻譯過(guò)來(lái)是金屬-...

2023-01-14 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 6k 0

mos管gs之間電阻阻值怎么選

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的GS（柵極...

2024-09-18 標(biāo)簽：電阻 MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6k 0

MOS管的工作原理 MOS管開關(guān)電路實(shí)例

MOS管是一種具有特殊功能的半導(dǎo)體器件，其英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，...

2024-01-02 標(biāo)簽：繼電器二極管開關(guān)電路 6k 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　全橋整流電路是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路，整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電路輸出電流的能力較差，所以具有高電壓，小電流的輸出特性。
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