PD/QC快充電源芯片U6649啟動快功耗低簡析

輸出功率達(dá)27W的PD/QC快充電源芯片U6649，提供SOP-8無鉛封裝。是應(yīng)用于中小功率反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM功率轉(zhuǎn)換器。

2023-04-21 標(biāo)簽：MOS管功率轉(zhuǎn)換器電源芯片 2.7k 0

MOS管燒毀的原因分析

今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因，文字比較多點，不容易讀，希望大家可以認(rèn)真看完。

2023-04-18 標(biāo)簽：電路設(shè)計MOS管過電壓 4k 0

充電樁充電模塊常見結(jié)構(gòu)、原理以及市場調(diào)研

隨著電動汽車的快速發(fā)展，充電樁作為電動汽車產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)越來越受到中央和地方政府的重視，對充電樁電源模塊的要求也越來越高，充電模塊屬于電源產(chǎn)品中的一...

2023-04-18 標(biāo)簽：電動汽車MOS管PFC 7.7k 0

MOS管的米勒效應(yīng)：如何平衡抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI風(fēng)險的關(guān)系

關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開始整理運放相關(guān)的內(nèi)容。我個人認(rèn)為今天聊的這個話題至關(guān)重要：抑制米勒...

2023-04-17 標(biāo)簽：emiMOS管運放 10k 0

常見保護(hù)電路原理詳解（附電路圖）

在現(xiàn)實世界中，電子電路所處的周圍環(huán)境總是變幻莫測的。人體靜電、雷擊浪涌、誤操作等諸多不可預(yù)料的因素時刻威脅著電子設(shè)備的正常工作。因此保護(hù)電路的作用與意義...

2023-04-12 標(biāo)簽：電路圖保護(hù)電路過壓保護(hù) 4.8k 0

開關(guān)電源MOS管損耗?

在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...

2023-04-12 標(biāo)簽：MOS管電源電路功率管 1.5k 0

MOS管原理、選型及應(yīng)用

使用時，要特別注意內(nèi)部保護(hù)二極管。例如，電源接反時，源級S接到了電源正極，此時通過內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通，如果電源輸入沒有反接保護(hù)，NOMS管有可能燒毀。

2023-04-12 標(biāo)簽：二極管MOS管正極 4.4k 0

MOS管米勒效應(yīng)：感性負(fù)載和阻性負(fù)載差異點解析

通過AM1波形，我們能看到二極管上有電流流過（一部分的電感電流，續(xù)流），二極管處于正偏狀態(tài)。

2023-04-11 標(biāo)簽：二極管MOS管漏極電流 4.2k 1

STM32的GPIO電路原理詳解

GPIO是通用輸入/輸出端口的簡稱，是STM32可控制的引腳。GPIO的引腳與外部硬件設(shè)備連接，可實現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)據(jù)的功能。

2023-04-11 標(biāo)簽：寄存器MOS管STM32 2.5k 2

淺談Mos損壞主要原因和Mos開關(guān)原理

os是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。

2023-04-08 標(biāo)簽：MOS管MOS開關(guān)管 3.7k 0

溫度反轉(zhuǎn)效應(yīng)它到底為什么會發(fā)生呢？

在做STA Signoff時，對于Setup來說選擇Slow Corner，也就是慢工藝（SS）、低壓（Low Voltage）、高溫（High Tem...

2023-04-07 標(biāo)簽：MOS管晶體管STA 7.5k 0