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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰與抑制方法分析(上)
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來源
我們知道,MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的,高頻和低頻曲線長這樣,但是用MOS管是測不出來高頻曲線的,只能測出低頻曲線,為什么呢,下面來簡單盤一盤。
選購適配器電源IC和電池充電器IC時,應(yīng)考慮品牌及生產(chǎn)商的規(guī)模、信譽、售后服務(wù)。具備正規(guī)資質(zhì)、品質(zhì)優(yōu)良且有較好的售后服務(wù)
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們在不同的應(yīng)用場景中具有不同的特點和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 2.7k 0
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些?如何區(qū)分是什么原因失效的?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要功能是控制電流的流動。
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管EOS 1.3萬 0
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
基于PN8360電源IC的5V/2.4A電源應(yīng)用方案
PN8360電源IC 5V/2.4A電路描述 1、PN8360電路圖中R7、R8和R9為反饋分壓電阻,C5起到環(huán)路補償?shù)淖饔谩? 2、C1、D...
隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2.9k 0
MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南
驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現(xiàn),因為輸入電壓不會作用到這些電路上。
開關(guān)電源芯片U6217定位準(zhǔn)確快速有效
越來越多的游戲愛好者喜歡玩一些格斗游戲,既能享受到游戲帶來的樂趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來搭配游戲體驗。
越來越多的游戲愛好者喜歡玩一些格斗游戲,既能享受到游戲帶來的樂趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來搭配游戲體驗。國內(nèi)躋身游戲外設(shè)電子產(chǎn)品賽...
儲能用更多的 IGBT 和 SiC,涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個環(huán)節(jié)。兩種方案,光儲一體以及單獨儲能系統(tǒng)。獨立的儲能系統(tǒng),功率半導(dǎo)體器件的用量是...
2023-12-07 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1.5k 0
碳化硅MOSFET在數(shù)據(jù)中心能源管理中的應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心通常依靠高頻功率轉(zhuǎn)換來有效地分配和管理電力,而SiC MOSFET具有低開關(guān)損耗和快速開關(guān)速度,可實現(xiàn)高頻操作。
2023-12-06 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器不間斷電源 1.7k 0
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