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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程中,電源通常是必不可少的部分,很多設(shè)備(尤其是使用電池的設(shè)備)的電源都是以DC-DC為主的。這些電源一般有三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),即人們熟知的b...
新型LTC1266開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可在10A負(fù)載條件下提供高效率
新型 LTC?1266 是一款同步、降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器,能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)外部、N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)。N 溝道 MOSFET 的卓越性能使 LTC1...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET 1.7k 0
MOSFET簡(jiǎn)介金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱MOSFET。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載...
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過(guò)LLC拓?fù)浜虵REDFET來(lái)提高效率
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過(guò)LLC拓?fù)浜虵REDFET來(lái)提高效率
在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
在傳統(tǒng)的DRP系統(tǒng)中,一般要有兩個(gè)MOSFET,體積大成本高。而現(xiàn)在的方案需求,卻繞不過(guò)簡(jiǎn)單和小巧。
2025-01-09 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 1.7k 0
驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗
在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中,原本2,742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ,損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
2020-07-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻 1.7k 0
如何有效地比較CMOS開(kāi)關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來(lái)衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)后,源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器...
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過(guò)大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電...
快充和閃充只有1字之差,兩者有什么區(qū)別呢?閃充技術(shù)它采用了低高壓電流的形式,提升了手機(jī)的充電速度。而快充技術(shù)恰恰相反,采用了高低壓的電流
為了滿足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本,小型化和高功率密度成為了近年來(lái)DCDC和LDO的發(fā)展趨勢(shì),這也對(duì)方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比...
碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究
空調(diào)壓縮機(jī)是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個(gè)系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測(cè)試電路,對(duì)1200V的碳化硅MO...
2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET控制器 1.6k 0
橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中,SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
產(chǎn)品概述#UCC27714 4A、600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個(gè)...
開(kāi)關(guān)電源測(cè)試小訣竅——如何正確使用示波器
在FAE的日常工作中經(jīng)常收到有用戶反饋:明明系統(tǒng)已經(jīng)正常運(yùn)行,但是在測(cè)試量化波形數(shù)據(jù)時(shí)得到的結(jié)果卻不盡人意,為何會(huì)產(chǎn)生如此出入呢?問(wèn)題可能出在測(cè)試方法和...
2023-05-08 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源示波器 1.6k 0
高IOUT LDO穩(wěn)壓器具有出色的瞬態(tài)響應(yīng)
最初,古老的3端子線性穩(wěn)壓器具有雙極結(jié)型晶體管(BJT)發(fā)射極跟隨器輸出,可提供非常低的輸出阻抗。當(dāng)今的許多應(yīng)用要求壓差低于第一代穩(wěn)壓器(1.5V),因...
CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,主要應(yīng)用于較低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng),如風(fēng)扇電機(jī)。其內(nèi)置了 6 個(gè)快恢復(fù) MOSFET 和 ...
2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路功率模塊 1.6k 0
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