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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(1)
從本文開(kāi)始進(jìn)入具體的設(shè)計(jì),比如計(jì)算相關(guān)電路常數(shù)等。首先是變壓器T1的設(shè)計(jì)。計(jì)算步驟如下。這與“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):變壓器設(shè)計(jì)(數(shù)值計(jì)算)”中的思...
2023-02-17 標(biāo)簽:變壓器MOSFET諧振轉(zhuǎn)換器 1.7k 0
適合于高功率放大器系統(tǒng)的單元拓?fù)浜蛿?shù)字控制原理研究
功率放大器在音頻功放、發(fā)射系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)、聲納探測(cè)、振動(dòng)測(cè)試等很多領(lǐng)域都得到廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的功率放大器采用線性放大電路,其效率較低(40%~60%),...
在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,整流是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),而同步整流與非同步整流作為兩種常見(jiàn)的整流方式,它們有著諸多不同之處,這些差異直接影響著電源電路的性能表現(xiàn)。 從整流元...
與數(shù)字電路市場(chǎng)的大起大落不同,電源管理芯片保持著長(zhǎng)期、穩(wěn)定的增長(zhǎng)勢(shì)頭,各種電源管理芯片也在節(jié)能環(huán)保這一領(lǐng)域發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。
線性穩(wěn)壓器在2A時(shí)將3.3V轉(zhuǎn)換為2.9V
線性穩(wěn)壓器(相對(duì)于開(kāi)關(guān)類(lèi)型)通常是產(chǎn)生低于3.3V的電源電壓的最佳選擇。在低輸出電壓和中等負(fù)載電流下,線性類(lèi)型成本更低,需要的空間更少,但保持合理的效率...
LDO穩(wěn)壓器和串聯(lián)穩(wěn)壓器的區(qū)別
LDO穩(wěn)壓器(Low-Dropout Regulator)和串聯(lián)穩(wěn)壓器在電子領(lǐng)域中都是常見(jiàn)的穩(wěn)壓器件,它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-09-11 標(biāo)簽:MOSFETLDO穩(wěn)壓器串聯(lián)穩(wěn)壓器 1.7k 0
反向電流阻斷電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法介紹
反向MOS 反向MOS雖然可阻斷輸出到輸入的反電流,但缺點(diǎn)是從輸入到輸出總有一條體二極管通路,而且不夠智能,當(dāng)輸出大于輸入時(shí),不能關(guān)斷MOS,還需加電壓...
汽車(chē)區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢(shì)下的SmartFET應(yīng)用
汽車(chē)市場(chǎng)正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢(shì)方向,而汽車(chē)區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展,以實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動(dòng)駕駛支持。
在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類(lèi),并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
HUSB385在保留強(qiáng)大協(xié)議兼容性和安全機(jī)制的前提下,通過(guò)內(nèi)部集成兩個(gè)低Rdson的N-MOSFET,減少了外部元件數(shù)量,降低了電路板的復(fù)雜度,提升了系...
2025-06-18 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 1.7k 0
功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。對(duì)于MOSFET驅(qū)動(dòng)器而言,其功耗主要由三部分組成:驅(qū)動(dòng)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些損耗的...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 1.7k 0
采用轉(zhuǎn)換器或控制器進(jìn)行大電流電壓調(diào)節(jié)
諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、開(kāi)關(guān)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來(lái)越高,需要20A、30A、40A或更多電量,以用于它們的POL設(shè)計(jì)。然而,這些應(yīng)用對(duì)空...
2023-04-14 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器MOSFET 1.7k 0
越來(lái)越多的無(wú)線和電池供電設(shè)備越來(lái)越多地滲透到日常生活中,其中包括電動(dòng)汽車(chē)(EV)與太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用,如何對(duì)電池進(jìn)行高效率的管理將是重要課題。本文將為...
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFETGaN電源系統(tǒng) 1.7k 0
如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》,依然是我覺(jué)得比較好的。
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
利用雙 MOSFET 最大限度地提高開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率密度和性能
作者:Jens Wallmann 工業(yè)和汽車(chē)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。雙 MO...
2024-05-05 標(biāo)簽:MOSFET印刷電路板電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.7k 0
智能機(jī)器人,通常由多個(gè)子系統(tǒng)組成,而MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,在多個(gè)子系統(tǒng)中扮演著核心角色。下面我們來(lái)拆解一下:一、具身智能機(jī)器人的主要組成部...
2025-07-16 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)智能機(jī)器人 1.7k 0
利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān)
在無(wú)線收發(fā)器等應(yīng)用中,系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù),此類(lèi)應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無(wú)活動(dòng)或掛起后,需要復(fù)位系統(tǒng)...
2024-10-30 標(biāo)簽:微控制器MOSFET電源開(kāi)關(guān) 1.7k 0
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