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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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計(jì)算機(jī)、通信交換機(jī)等數(shù)據(jù)處理設(shè)備在電路密度和處理器速度不斷提高的同時(shí),電源系統(tǒng)也向低壓、大電流和更加高效、低耗、小型化方向發(fā)展。
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,電子設(shè)備的性能和能效成為了衡量其競爭力的關(guān)鍵因素。電源管理芯片作為電子設(shè)備的核心部件之一,其重要性不言而喻。新潔能NCE340...
在模擬集成電路設(shè)計(jì)中,精確的MOSFET模型是確保電路性能預(yù)測準(zhǔn)確性的基石。而溝道電荷分配原則,正是連接晶體管直流特性與交流特性的關(guān)鍵橋梁。如果簡單地認(rèn)...
新型超快速單脈沖技術(shù)解決傳統(tǒng)遷移率測量挑戰(zhàn)
溝道有效遷移率 (μeff) 通過載流子速度和驅(qū)動(dòng)電流影響MOSFET性能。它是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)之一 (CMOS) 技術(shù)。 隨著新型介電材...
浮思特 | SiC MOSFET 賦能電動(dòng)主驅(qū)逆變器:效率與動(dòng)力的雙重突破
在電動(dòng)汽車的核心動(dòng)力鏈中,主驅(qū)逆變器被譽(yù)為“動(dòng)力心臟”。它承擔(dān)著將電池直流電轉(zhuǎn)換為電機(jī)交流電的關(guān)鍵職責(zé),其性能直接決定了車輛的動(dòng)力響應(yīng)、續(xù)航能力和空間利...
2025-11-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC MOSFET 1.1k 0
基于VOMDA1271數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Semiconductors VOMDA1271汽車用MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供從隔離柵低壓一次側(cè)紅外發(fā)射器驅(qū)動(dòng)內(nèi)部電路所需的全部電流。該款汽...
2025-11-14 標(biāo)簽:MOSFET紅外發(fā)射器MOSFET驅(qū)動(dòng) 605 0
?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET,采用PowerPAK...
MDD MOSFET故障的快速定位與修復(fù)方法(通用電路篇)
在各類電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路中,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET是最常見的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快,一旦出現(xiàn)故障,往往會(huì)造成系統(tǒng)停機(jī)...
Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析:性能優(yōu)勢與應(yīng)用實(shí)踐
Vishay SiRS5700DP N溝道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET,具有非常低的R~DS~ x Q...
為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動(dòng)器指南旨在針對各類高功率主流應(yīng)用,提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動(dòng)器的專業(yè)指導(dǎo),同時(shí)探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有...
2025-11-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 467 0
?Vishay 1.5KE系列瞬態(tài)電壓抑制器應(yīng)用解析與技術(shù)指南
Vishay Semiconductors TransZorb^?^ 瞬態(tài)電壓抑制器采用玻璃鈍化芯片結(jié),耗散功率為6.5W。這些電壓抑制器具有出色的鉗位...
2025-11-12 標(biāo)簽:MOSFET電壓抑制器瞬態(tài)電壓抑制器 589 0
基于Vishay SiJK140E MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V(D-S)MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了...
?基于Vishay VOFD341A光耦驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長SO-6封裝的緊湊型、快速開關(guān)IGBT和MOSFET...
2025-11-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.6k 0
Vishay VOFD343A 大功率光耦驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設(shè)計(jì)、快速開關(guān)IGBT和M...
2025-11-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.7k 0
Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH48...
基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源電壓。該...
選型手冊:MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8...
選型手冊:MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻...
選型手冊:MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻...
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