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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的峰值功率能力及如何處理峰值功率要求
然而,某些應(yīng)用并非從電源汲取恒定功率。例如,當(dāng)打印機(jī)的打印頭處于工作狀態(tài)或處理打印紙時(shí),打印機(jī)以脈沖方式消耗功率。在此特殊案例中,轉(zhuǎn)換器的散熱設(shè)計(jì)并非針...
2021-03-12 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 6k 0
同步降壓DC/ DC穩(wěn)壓器ADP2325的主要特性及應(yīng)用
ADP2325是一款全功能,雙輸出,降壓DC-DC調(diào)節(jié)器,基于電流模式架構(gòu)。ADP2325集成了兩個(gè)高端功率MOSFET和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器,用于外部N溝道...
2021-03-12 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 4.1k 0
綜合電源解決方案TPS84621RUQ的性能特性及應(yīng)用
TI公司的TPS84621RUQ是易于使用的綜合電源解決方案,集成了6A的DC / DC轉(zhuǎn)換器和功率MOSFET,電感和無(wú)源元件。效率大于90%,9×1...
通常,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁(yè),列出了連續(xù)漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然后對(duì)于許多電子工程師來(lái)說(shuō),他們對(duì)于這些...
驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A的性能特點(diǎn)及應(yīng)用實(shí)例分析
IGBT的驅(qū)動(dòng)要求與其靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性密切相關(guān),即柵極的正偏壓、負(fù)偏壓和柵極電阻的大小,對(duì)IGBT的通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力、開(kāi)關(guān)管C、...
2021-03-11 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器變換器 5.7k 0
采用NCPl337控制器實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振式開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用方案
隨著全球業(yè)界對(duì)電源效率的要求越來(lái)越高,包括ATX電源、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品等在內(nèi)的電源需要更高的節(jié)能要求。
2021-03-09 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源控制器 5.5k 0
采用智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器增加數(shù)字電源控制器的性能可靠性
在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào),以便以最快的速度打開(kāi)和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MO...
2021-03-07 標(biāo)簽:電源mosfet驅(qū)動(dòng)器 3.4k 0
基于內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能
功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開(kāi)關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中,電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以...
2021-03-07 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 3.5k 0
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類(lèi)型
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí),驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡(jiǎn)單的,目前也有了許多優(yōu)...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中,使用有源開(kāi)關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率,尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時(shí)。在需要電流隔離的應(yīng)用中,也可使用...
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路...
2021-02-12 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 3.1k 0
低Vth加濕器MOS管解決方案與設(shè)計(jì)電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道
惠海半導(dǎo)體中低壓場(chǎng)效率管(MOSFET) MOS管型號(hào):HC160N10LS 絲?。篐C510 參數(shù):100V5A(5N10) 內(nèi)阻:145mR(VGS...
2021-01-19 標(biāo)簽:電路圖MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 6k 3
H橋到底是什么一個(gè)H橋驅(qū)動(dòng)掃盲教程詳細(xì)說(shuō)明
H橋是一個(gè)比較簡(jiǎn)單的電路,通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開(kāi)關(guān)元器件(例如 MOS-FET),它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載,比如電機(jī),至于為什么要叫H橋(H...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會(huì)指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類(lèi)似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說(shuō)明SiC MOSFET比...
2021-01-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 3.9k 0
什么是鋰離子電池集成保護(hù)電路?在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來(lái)便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的鋰離子...
同步DC/DC降壓控制器TPS40020/21的性能特點(diǎn)及應(yīng)用
TI公司推出的同步DC/DC降壓控制器TPS40020和TPS40021,它的輸入從2.25V到5.5V,輸入電流高達(dá)25A,增加了非絕緣系統(tǒng)的性能。這...
同步降壓型DC/DC控制器LTC3823的性能特點(diǎn)就應(yīng)用范圍
Linear推出的同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3823,該器件具有差分輸出電壓取樣、快速瞬態(tài)響應(yīng)、集成鎖相環(huán)同步和輸出電壓跟蹤功能。其差分放大...
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