導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
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SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運(yùn)用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計(jì)，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:004489 
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
2023-05-04 09:43:184534 
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60m
2024-01-31 15:19:343083 
，Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡(jiǎn)化大功率設(shè)計(jì)中常見的開關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)，并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品）制定了長遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降，開關(guān)損耗降低，安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個(gè)部分，首
2025-02-13 00:21:001526 通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。在150°C時(shí)，Si MOSFET的RDS(on) 導(dǎo)通電阻是25°C時(shí)的兩倍（典型值）；而SiC MOSFET的應(yīng)用溫度可達(dá)到200°C，甚至是更高的額定溫度，超高的工作溫度簡(jiǎn)化
2019-07-09 04:20:19
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會(huì)增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-03-14 06:20:14
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會(huì)增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-04-22 06:20:22
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個(gè)特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關(guān)速度與寄生電容下面通過與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開關(guān)
2018-11-30 11:31:17
低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)中有一個(gè)明顯的更大的Miller 區(qū)域，其低壓側(cè) FET 和高壓側(cè) FET 同時(shí)導(dǎo)通，從而在功率級(jí)中產(chǎn)生直通電流。當(dāng)?shù)蛪簜?cè) FET 最終關(guān)閉時(shí)，在開關(guān)節(jié)點(diǎn)處存在額外的電壓過沖。在圖 1B
2018-11-28 11:01:36
的導(dǎo)通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內(nèi)，SiC的變化范圍為20％，而Si的變化范圍為200％至300％.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結(jié)溫下工作。該技術(shù)還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
，SiC-MOSFET在25℃時(shí)的變動(dòng)很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時(shí)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
orcad里，怎么做溫度分析，從哪里看元件隨溫度的變化比較靈敏？
2010-05-21 11:07:28
壓，可提高并聯(lián)使用的可靠性
二極管的導(dǎo)通損耗主要由正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓VF值決定，當(dāng)VF值越小，二極管導(dǎo)通損耗越小，但VF是與溫度相關(guān)的參數(shù)。下圖為實(shí)測(cè)的正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓VF與溫度關(guān)系曲線，在測(cè)試范圍內(nèi)，SiC
2023-10-07 10:12:26
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
潛在的電擊危險(xiǎn)?！ “凑照J(rèn)證機(jī)構(gòu)的規(guī)定，例如歐盟的CE認(rèn)證、美國和加拿大的UL認(rèn)證，電氣產(chǎn)品制造商應(yīng)該使用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀來驗(yàn)證其性能。若未經(jīng)CE、CSA或UL認(rèn)證標(biāo)識(shí)，產(chǎn)品不允許在相應(yīng)的國家進(jìn)行
2017-09-30 09:38:49
熱敏電阻 熱敏電阻是用半導(dǎo)體材料，大多為負(fù)溫度系數(shù)，即阻值隨溫度增加而降低。溫度變化會(huì)造成大的阻值改變，因此它是最靈敏的溫度傳感器。但熱敏電阻的線性度極差，并且與生產(chǎn)工藝有很大關(guān)系。制造商給不出標(biāo)準(zhǔn)化
2011-07-14 08:54:33
熱偶并不適合高精度的應(yīng)用?！ ? 熱敏電阻 熱敏電阻是用半導(dǎo)體材料， 大多為負(fù)溫度系數(shù)，即阻值隨溫度增加而降低。溫度變化會(huì)造成大的阻值改變，因此它是最靈敏的溫度傳感器。但熱敏電阻的線性度極差，并且
2018-11-13 10:42:32
RONp和RONn。●第1步：考慮系統(tǒng)的穩(wěn)定狀態(tài)① 線圈電流在一個(gè)周期內(nèi)不變② 電容器的電荷量在一個(gè)周期內(nèi)不變公式中中增加了導(dǎo)通電阻相關(guān)的項(xiàng)（紅色）?！竦?步：.求出對(duì)干擾的變化量，描述傳遞函數(shù)
2018-11-30 11:48:22
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會(huì)增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-05-07 06:21:51
通電阻分別在不同的功能區(qū)域。將阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，解決了阻 斷電壓與導(dǎo)通電阻的矛盾，同時(shí)也將阻斷時(shí)的表面PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時(shí)，阻斷電壓還可進(jìn)一步提高。`
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
以上的金屬氧化物進(jìn)行充分混合、成型、燒結(jié)等工藝而成的半導(dǎo)體陶瓷，可制成具有負(fù)溫度系數(shù)（NTC）的熱敏電阻。其電阻率和材料常數(shù)隨材料成分比例、燒結(jié)氣氛、燒結(jié)溫度和結(jié)構(gòu)狀態(tài)不同而變化?，F(xiàn)在還出現(xiàn)了以碳化硅
2020-12-31 17:30:41
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
了?！ 」逃袃?yōu)勢(shì)加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
請(qǐng)問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問有人知道這個(gè)是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
本文概述了與低頻MOSFET工作相關(guān)的各種特性和規(guī)格。相關(guān)信息了解MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)的漏源電阻MOSFET溝道長度調(diào)制假設(shè)您正在設(shè)計(jì)一個(gè)電動(dòng)機(jī)控制電路，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，一個(gè)反極性保護(hù)電路或一個(gè)
2019-10-25 09:40:30
的矛盾。 即便如此，高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)
2023-02-27 11:52:38
電阻的溫度系數(shù)
表示物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時(shí)，電阻率的增加量與原來的電阻率的比值，通常以字
2009-04-17 10:26:575121
FET導(dǎo)通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051716 
TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p
2012-06-20 16:57:37
95 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 10K_NTC熱敏電阻隨溫度變化情形曲線圖，描述電阻阻值及溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系
2016-01-12 11:34:3936 MTM非晶硅反熔絲導(dǎo)通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:120 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 熱電阻是基于電阻的熱效應(yīng)進(jìn)行溫度測(cè)量的，即電阻體的阻值隨溫度的變化而變化的特性。
2018-09-24 11:31:0022706 MOSFET。該最新系列 FemtoFET MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。如欲了解更多詳情，訂購樣片與 SPICE 模型，敬請(qǐng)?jiān)L問：。 2013-11-11
2018-10-13 11:03:01728 普通電阻器的阻值受溫度變化影響很小，但是熱敏電阻器完全不同，它的阻值隨溫度的變化而變化，是一種用溫度控制電阻阻值大小的元件。熱敏電阻器利用半導(dǎo)體的電阻值隨溫度顯著變化這一特性制成的熱敏元件。它是由
2018-11-28 18:38:423563 眾所周知，任何導(dǎo)體的電阻在溫度改變時(shí)都是會(huì)發(fā)生變化，如金屬的電阻總是隨溫度的升高而增大，這是因?yàn)楫?dāng)溫度升高時(shí)，金屬中分子熱運(yùn)動(dòng)加劇的結(jié)果。當(dāng)導(dǎo)體電阻為1Ω時(shí)，溫度變化1℃，其電阻變化的數(shù)值稱為電阻溫度系數(shù)。由于可見，溫度對(duì)不同物質(zhì)的電阻值均有不同的影晌。那么您知道電阻與溫度的關(guān)系公式是怎樣的嗎？
2019-06-19 11:38:22127934 壓敏電阻特點(diǎn)，與普通電阻有什么不同？
2020-01-09 13:54:395176 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404976 Charger：OBC）等領(lǐng)域擁有很高的市場(chǎng)份額。此次，導(dǎo)通電阻和短路耐受時(shí)間之間取得更好權(quán)衡的第4代SiC MOSFET的推出，除現(xiàn)有市場(chǎng)之外，還將加速在以主機(jī)逆變器為主的市場(chǎng)中的應(yīng)用。
2020-06-19 14:21:075094 
對(duì)于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小，高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低，能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。
2020-12-26 14:51:242307 《SiC MOSFET在實(shí)際應(yīng)用柵極開關(guān)運(yùn)行條件下的參數(shù)變化（AC BTI）》 多年來，英飛凌一直在進(jìn)行超越標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量認(rèn)證方法的應(yīng)用相關(guān)試驗(yàn)，以期為最終應(yīng)用確立可靠的安全運(yùn)行極限。閾值電壓和導(dǎo)通電阻在
2021-02-12 17:40:003917 
一般的都是鎳鎘合金絲，它的電阻率比較大，而且電阻比較穩(wěn)定，不怎么隨溫度變化，一般作為定值電阻用。材料的電阻率大，高溫耐氧化性能好，高溫強(qiáng)度高。
2021-02-23 15:21:1214361 導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測(cè)量導(dǎo)通電阻的方法有測(cè)量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測(cè)量法、接地?fù)u表測(cè)量法以及專用儀器測(cè)量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 的9mOhm導(dǎo)通電阻，擴(kuò)大了性能領(lǐng)先地位。 新型碳化硅 FET 采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低的 RDS（on），是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時(shí)間額定值的器件（參見Figure 1）。
2022-08-01 12:14:082356 甲碳化硅（SiC） JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型，它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個(gè)強(qiáng)大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件相比，JFET 不太容易發(fā)生故障，并且適合
2022-08-05 10:31:171715 
直接比較為半導(dǎo)體技術(shù)提供的總體性能數(shù)據(jù)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)。在溫度等動(dòng)態(tài)條件下，Rds(on) 等參數(shù)的可變性表明情況更為復(fù)雜。
2022-08-08 10:26:053309 
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:171750 已經(jīng)證實(shí)，與目前的SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)能夠在不影響可靠性的前提下，將導(dǎo)通電阻[1] (RonA)降低約20%。[2]
2022-12-12 18:01:531837 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
SIC MOSFET的特性 1、導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小，高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低，能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。2、隨著門極電壓的升高，導(dǎo)通電阻越小，表現(xiàn)更接近于壓控電阻。3、開通需要門極電荷較小
2023-02-27 14:37:385 新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
RTD（
電阻溫度探測(cè)器）是一種傳感器，其
電阻隨溫度的
變化而
變化。其
電阻隨傳感器
溫度升高而增大。
電阻與
溫度的關(guān)系是眾所周知的，并且可隨著時(shí)間的推移而重復(fù)。RTD是一種無源設(shè)備。它不會(huì)單獨(dú)
產(chǎn)生輸出?？墒?/div>
2023-06-06 17:55:584080 
熱敏電阻隨溫度的升高而怎么樣 熱敏電阻是一種利用材料隨溫度變化而改變電阻值的傳感器。隨著溫度升高，熱敏電阻的電阻值會(huì)發(fā)生變化，這是由于材料的特性決定的。熱敏電阻的這種特性被廣泛應(yīng)用于溫度測(cè)量、控制
2023-09-02 10:20:564273 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隨溫度變化的動(dòng)態(tài)電壓縮放實(shí)現(xiàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 17:45:510 SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較
2023-09-27 15:08:291010 
和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應(yīng)電流和電壓，導(dǎo)致效率降低，組件受到應(yīng)力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導(dǎo)通電阻通常以毫歐為單位進(jìn)行
2023-09-20 18:15:011219 
導(dǎo)通電阻測(cè)試就是用來檢測(cè)導(dǎo)線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個(gè)導(dǎo)體間在一定電壓下通過的電流所引起的電壓降之比，通俗的說就是導(dǎo)線通電后的電阻值。芯片引腳導(dǎo)通性測(cè)試是一個(gè)必要的步驟，用于驗(yàn)證和檢測(cè)芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:343115 
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34913 
Q A 問： 電阻的溫度系數(shù)和 PPM 解釋 電阻 的 溫度系數(shù) 表征了觀察到的電阻阻值如何隨器件溫度的變化而變化。溫度系數(shù)也可以應(yīng)用于其他部件，如 電位器 、 振蕩器 、 晶體 、 RTD
2023-12-07 10:25:032066 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 (on)。作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品，其最高可達(dá)60mΩ的導(dǎo)通電阻值，使其在電動(dòng)汽車（EV）領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，尤其適用于車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等關(guān)鍵應(yīng)用。
2024-02-01 10:18:061404 熱敏電阻材料的電阻值會(huì)隨溫度變化而變化。一般來說，熱敏電阻有兩種溫度敏感特性：負(fù)溫度系數(shù)（NTC）和正溫度系數(shù)（PTC）。
2024-02-02 10:58:3012413 熱敏電阻（NTC）是一種能夠根據(jù)溫度變化而改變電阻值的元件。在溫度上升時(shí)，熱敏電阻的電阻值會(huì)相應(yīng)地下降。其工作原理基于熱敏材料的特性，下面將詳細(xì)介紹熱敏電阻的工作原理及其隨溫度升高的變化過程。 一
2024-02-02 17:09:456451 熱敏電阻是一種應(yīng)用于測(cè)量溫度的傳感器元件，它的電阻值隨溫度的變化而改變。一般情況下，熱敏電阻的電阻值隨溫度的升高而遞增。 熱敏電阻的工作原理是基于材料的溫度對(duì)電阻值的影響，當(dāng)溫度升高時(shí)，材料內(nèi)原子或
2024-02-19 15:24:117195 在一般情況下，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，FET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。
2024-03-06 16:44:5018812 
近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
熱敏電阻是一種具有溫度敏感性的電阻器，其電阻值隨溫度的變化而變化。 一、熱敏電阻的工作原理 熱敏電阻的工作原理主要基于材料的電阻率隨溫度變化的特性。當(dāng)溫度升高時(shí)，材料中的載流子濃度增加，導(dǎo)致電阻
2024-07-18 10:37:385218 的。 1. 金屬的電阻率與溫度的關(guān)系 對(duì)于大多數(shù)金屬，電阻率隨溫度的升高而增加。這是因?yàn)榻饘僦械淖杂呻娮?b class="flag-6" style="color: red">在移動(dòng)時(shí)會(huì)與晶格原子發(fā)生碰撞，這種碰撞的頻率隨著溫度的升高而增加，從而增加了電子的散射，降低了電導(dǎo)率，因此電阻率增加
2024-07-18 10:41:228421 熱敏電阻是一種利用半導(dǎo)體材料的電阻隨溫度變化的特性來測(cè)量溫度的元件。它的溫度系數(shù)是描述電阻隨溫度變化的參數(shù)，對(duì)于不同類型的熱敏電阻，其溫度系數(shù)可以是正的，也可以是負(fù)的。 一、熱敏電阻的基本原理
2024-07-18 14:19:032948 原因，以及這種變化對(duì)電子設(shè)備的影響。 一、熱敏電阻的基本原理 熱敏電阻是一種半導(dǎo)體材料，其電阻值隨溫度的變化而變化。這種變化是由于半導(dǎo)體材料中的載流子（電子和空穴）濃度隨溫度變化而變化。在負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻中，電阻值隨著溫
2024-07-18 14:39:502375 影響MOS管的性能，還對(duì)其在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性具有重要影響。以下是對(duì)MOS管導(dǎo)通電壓和溫度的關(guān)系的詳細(xì)探討。
2024-07-23 11:44:078617 導(dǎo)體的電阻隨溫度變化 金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高而增加，這是由于金屬導(dǎo)體內(nèi)部的自由電子在溫度升高時(shí)受到更多的熱激發(fā)，從而增加了與原子核的碰撞次數(shù)，導(dǎo)致電阻增加。根據(jù)電阻定律，電阻R與電阻率ρ、導(dǎo)體的長度L和截面積A之間
2024-08-27 16:28:164552 的流動(dòng)，保護(hù)電路不受過大電流的損害。 熱敏電阻 ：是一種電阻值隨溫度變化而變化的電阻器。它們可以是正溫度系數(shù)（PTC）或負(fù)溫度系數(shù)（NTC）的。PTC熱敏電阻在溫度升高時(shí)電阻增加，而NTC熱敏電阻在溫度升高時(shí)電阻減少。 應(yīng)用領(lǐng)域 ： 普
2024-09-06 09:34:592254 基于電阻的溫度傳感器，即電阻式溫度傳感器（RTD，Resistance Temperature Detector），其原理是利用導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料的電阻值隨溫度變化而變化的特性來測(cè)量溫度。以下是對(duì)該
2024-10-31 09:36:532460 電阻值隨溫度的變化而變化。這種變化可以通過精確的電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為電壓或電流的變化，從而實(shí)現(xiàn)溫度的測(cè)量。熱敏電阻通常分為兩類：負(fù)溫度系數(shù)（NTC）和正溫度系數(shù)（PTC）。NTC熱敏電阻的電阻隨溫度升高而降低，而PTC熱敏電阻的
2024-12-06 09:58:083216 損傷，如斷裂、燒毀或腐蝕。 檢查連接 ：確保熱敏電阻的連接沒有松動(dòng)或腐蝕。 2. 電阻測(cè)量 常溫下測(cè)量 ：使用萬用表測(cè)量熱敏電阻在常溫下的電阻值，與標(biāo)稱值進(jìn)行比較。 溫度變化下的測(cè)量 ：將熱敏電阻加熱或冷卻，并測(cè)量其電阻值的變
2024-12-06 10:01:492123 熱敏電阻是一種特殊的電阻，對(duì)溫度感知靈敏，其電阻值會(huì)隨著溫度的變化而變化。因熱敏電阻具有體積小，靈敏度高，響應(yīng)速度快，溫度范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，在現(xiàn)代工業(yè)和消費(fèi)電子中，熱敏電阻被廣泛用于溫度測(cè)量、控制和保護(hù)
2024-12-06 17:06:541723 
熱敏電阻是一種特殊的電阻，對(duì)溫度感知靈敏，其電阻值會(huì)隨著溫度的變化而變化。
因熱敏電阻具有體積小，靈敏度高，響應(yīng)速度快，溫度范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，在現(xiàn)代工業(yè)和消費(fèi)電子中，熱敏電阻被廣泛用于溫度測(cè)量、控制和保護(hù)。
2024-12-06 18:00:00990 
應(yīng)用： 精確的溫度測(cè)量 ：NTC熱敏電阻的電阻值隨溫度的變化而產(chǎn)生非線性變化，這一特性允許在很寬的范圍內(nèi)進(jìn)行精確的溫度測(cè)量。通過測(cè)量NTC熱敏電阻的電阻值，并使用校準(zhǔn)曲線將其與溫度相關(guān)聯(lián)，可以獲得準(zhǔn)確的溫度讀數(shù)。 寬范圍的溫度測(cè)量 ：NTC熱
2024-12-17 18:01:142560 NTC熱敏電阻與數(shù)字溫度傳感器在溫度測(cè)量領(lǐng)域都有其獨(dú)特的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)，以下是兩者的比較： 一、工作原理 NTC熱敏電阻 ：NTC熱敏電阻是一種特殊的電阻器，其電阻值隨著溫度的變化而變化，且為負(fù)溫度系數(shù)
2024-12-17 18:04:422423 在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
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