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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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?UCC27302A 半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該UCC27302A是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋或同步降壓配置的N溝道MOSFET,絕對(duì)最大自舉電壓為120V。其3.7A峰值源電流...
?UCC21351-Q1 汽車級(jí)隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC21351-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MO...
?TPSM65630 高密度同步降壓DC/DC電源模塊技術(shù)文檔總結(jié)
TPSM656x0 是 3A、2A、1A、65V(70V 容差)輸入同步降壓 DC/DC 功率模塊系列,將功率 MOSFET、集成電感器和無(wú)源器件集成在...
德州儀器MCT8316ZTEVM評(píng)估模塊技術(shù)解析
Texas Instruments MCT8316ZTEVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 讓工程師可以設(shè)計(jì)、實(shí)施和驗(yàn)證MCT8316ZT的參考硬件。MCT...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 655 0
?TPS22991I 負(fù)載開關(guān)器件技術(shù)文檔總結(jié)
TPS22991I是一款小型、低 RON、單通道負(fù)載開關(guān),具有受控壓擺率。該器件包含一個(gè)N溝道MOSFET,可在1.0V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)輸入電壓 776 0
UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.6k 0
LM74910H-Q1系列汽車?yán)硐攵O管控制器技術(shù)文檔總結(jié)
LM749x0-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制的理想二極管整流器,并具有過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET控制器過(guò)壓保護(hù) 750 0
?TPS7H410x-SEP系列多通道同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)文檔摘要
TPS7H4104和TPS7H4102為7V、每通道3A、多通道、峰值電流模式、同步降壓轉(zhuǎn)換器,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適用于區(qū)域敏感的空間環(huán)境應(yīng)用。該器件集成了四個(gè)...
2025-10-08 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器輸入電壓 750 0
TPS22992x系列負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22992x負(fù)載開關(guān)是一款具有8.7m Ω功率MOSFET的單通道負(fù)載開關(guān),設(shè)計(jì)用于在高達(dá)5.5V、6A的應(yīng)用...
2025-09-24 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)單通道 1.2k 0
TPSM33610-Q1 3V至36V輸入,1A同步降壓模塊技術(shù)手冊(cè)
TPSM336xx-Q1 是一款 0.6A、1A 或 2A、36V 輸入、汽車、同步降壓 DC/DC 電源模塊,將引線倒裝芯片封裝、集成功率 MOSFE...
?UCC27735-Q1 汽車級(jí)高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由...
?LM66200雙輸入理想二極管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM66200 2.5A雙輸入理想二極管是一款雙輸入理想二極管器件,具有1.6V至5.5V的額定電壓和每通道2.5A...
?UCD7100低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCD7100低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款數(shù)字控制兼容型驅(qū)動(dòng)器,適用于使用數(shù)字控制技術(shù)、需要快速提供本地峰值電流限制...
2025-09-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)字控制技術(shù) 687 0
三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是Si...
基于LM74502EVM的理想二極管控制器評(píng)估模塊技術(shù)解析
Texas Instruments LM74502EVM控制器評(píng)估模塊 (EVM) 用于評(píng)估LM74502和LM74502H帶開關(guān)輸出的理想二極管控制器...
2025-09-22 標(biāo)簽:MOSFET控制器評(píng)估模塊 594 0
DRV8328三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments DRV832860V三相柵極驅(qū)動(dòng)器是一款集成柵極驅(qū)動(dòng)器,用于三相應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)...
LM74701-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74701-Q1理想二極管控制器是符合AEC-Q100汽車類標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器。它采用外部N溝道MOSFET...
浮思特 | 高壓高效,SiC新力量——至信微SMD600HB200EDA1功率模塊
在新能源、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源等領(lǐng)域,功率器件正在迎來(lái)一場(chǎng)深刻變革。硅基器件逐漸向碳化硅(SiC)過(guò)渡,而如何在高壓、大電流環(huán)境下兼顧效率、可...
使用理想二極管控制器實(shí)現(xiàn)汽車反向電池保護(hù)設(shè)計(jì)
汽車電池連接多個(gè)負(fù)載,包括電子控制單元 (ECU)、繼電器和電機(jī)。一些系統(tǒng)級(jí)事件(例如打開或關(guān)閉電感負(fù)載)會(huì)導(dǎo)致電池電源線路上產(chǎn)生電壓瞬變。所有反極性保...
在之前的課程里,我們已經(jīng)了解了負(fù)載開關(guān)IC的一些實(shí)用功能,這些知識(shí)為我們?cè)趯?shí)際設(shè)計(jì)中運(yùn)用負(fù)載開關(guān)IC提供了思路。今天,芝子將帶著大家更進(jìn)一步,詳細(xì)探討負(fù)...
2025-09-19 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)開關(guān)IC 3.4k 0
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