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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?

如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。

2022-12-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT飽和 8.3k 0

MOSFET陣列并聯(lián)放置多個(gè)功率MOSFET以減輕系統(tǒng)負(fù)擔(dān)

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在強(qiáng)悍的動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)者應(yīng)該知道所有關(guān)于MOSFET和他們的特殊電氣特點(diǎn),但與MOSFET的陣列工作還可以另有一個(gè)獸。您可能會(huì)在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中看到的一種布...

2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器DC-DC轉(zhuǎn)換器 8.3k 0

IGBT模塊的常規(guī)檢查以及常見故障問題維修方法

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;

2023-07-14 標(biāo)簽:RCD吸收電路二極管MOSFET 8.3k 0

SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗解決方案解析

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碳化硅(SiC)MOSFET的快速開關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。

2021-02-02 標(biāo)簽:MOSFETemi緩沖器 8.3k 0

高壓電源新型預(yù)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)方案推薦

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討論幾種設(shè)計(jì)故障容受型電源的方法,其中包括新的預(yù)穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)可簡化電路設(shè)計(jì)及元件選擇。 對抗相位故障 如果交流電源到電表之間出現(xiàn)錯(cuò)誤連接故障,...

2018-01-09 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器高壓電源 8.3k 0

Buck電源基礎(chǔ)知識講解

我們設(shè)計(jì)的這個(gè)Buck方案中對事件的最小開關(guān)時(shí)間是有要求的,這是第一點(diǎn),第二點(diǎn)就是開關(guān)電源的頻率是有要求的,雖然可以稍低一點(diǎn),但是電感要大,開關(guān)頻率低了...

2019-05-10 標(biāo)簽:MOSFETuc3842TL431 8.3k 0

雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理 自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹

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如今整個(gè)電路系統(tǒng),性能要求越來越高,功耗要求越來越低,其設(shè)計(jì)也越來越復(fù)雜,在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)中會(huì)存在各個(gè)元器件之間的工作電壓不一致的情況;

2023-12-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器場效應(yīng)管 8.3k 0

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2017-08-02 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源 8.3k 1

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前幾期講的MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性是我們研究MOSFET的基礎(chǔ),只掌握這些在實(shí)際電路中是沒法用的,今天講的內(nèi)容才是我們在電路設(shè)計(jì)中所用到的,但是...

2023-02-16 標(biāo)簽:放大器MOSFETNMOS 8.2k 0

MOSFET的電性能相關(guān)參數(shù)

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本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的,相關(guān)的參數(shù)如下表所示。

2023-04-26 標(biāo)簽:二極管MOSFET電壓 8.2k 1

三端穩(wěn)壓器與LDO穩(wěn)壓器的區(qū)別

典型三端穩(wěn)壓器(也稱標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器)的輸出晶體管使用NPN型晶體管或N溝道MOSFET。

2023-04-12 標(biāo)簽:MOSFET線性穩(wěn)壓器LDO穩(wěn)壓器 8.2k 0

什么是功率器件,具有什么特性

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2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功率器件 8.2k 0

場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管,是較新型的半導(dǎo)體材料,利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流,因而得名...

2022-09-20 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管 8.2k 0

MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥

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在本文中,我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。 1. MOSFET溫度參數(shù)的重要性 ...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOSFET元器件 8.2k 0

H橋的工作原理 H橋的控制方式有哪些

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H橋是一種用于控制電機(jī)方向和速度的電力電子電路。它由四個(gè)開關(guān)器件(可以是晶體管、MOSFET、IGBT等)組成,其布局類似于字母“H”,因此得名。

2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 8.2k 0

如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過程中有效消除MOSFET的過應(yīng)力

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本應(yīng)用筆記主要從三個(gè)方面探討“如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過程中有效消除 MOSFET 的過應(yīng)力”:第一,具有立锜專有嵌入式軟啟動(dòng)功能的反激式控制器設(shè)計(jì);其次...

2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET反激式控制器 8.2k 0

0-300V可調(diào)MOSFET無變壓器電源電路圖

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這種簡單的MOSFET控制的無變壓器電源電路可用于提供0至300V的連續(xù)可變直流輸出和100 mA至1 A的電流控制。

2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET電源電路無變壓器 8.2k 0

遠(yuǎn)距離紅外發(fā)射電路圖解析

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這里的遠(yuǎn)距離/遠(yuǎn)距離紅外發(fā)射器電路,為您的紅外發(fā)射器提供額外的功率。大多數(shù)紅外遙控器在5米范圍內(nèi)可靠地完成工作。

2022-06-06 標(biāo)簽:MOSFET發(fā)射器電路紅外發(fā)射器 8.2k 0

MOSFET功率放大器電路圖分享

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MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)技術(shù)的電子設(shè)備,用于增強(qiáng)輸入信號的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放...

2024-02-19 標(biāo)簽:電路圖MOSFET功率放大器 8.1k 0

SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)高頻大功率變換——固態(tài)變壓器應(yīng)用案例剖析

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在傳統(tǒng)的配電網(wǎng)結(jié)構(gòu)中,工頻變壓器是實(shí)現(xiàn)電能分配和電壓等級變換的主要電氣設(shè)備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組,常采用油浸式或者干式,具有可靠性高,效...

2024-05-17 標(biāo)簽:變壓器MOSFETSiC 8.1k 0

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