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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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#參考設(shè)計#低側(cè) MOSFET 控制功能的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)電池包監(jiān)測器
一款具有高電芯電壓精度的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)鋰離子 (Li-ion)、磷酸鐵鋰 (LiFePO4) 電池包設(shè)計。該設(shè)計能夠非常精確地監(jiān)測各個電芯的電壓和...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOSFET電池包監(jiān)測器 8.1k 0
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評估研究進(jìn)展
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2022-09-09 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 8.1k 0
通過采用CMOS求和比較器實現(xiàn)開關(guān)電源電流PWM控制
開關(guān)電源1是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET...
2018-12-12 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源pwm 8.1k 0
電機驅(qū)動短路保護(hù)時間設(shè)定的技術(shù)指標(biāo)
通常采用MOSFET飽和的短路電流,使用單脈沖持續(xù)的時間來評估功率MOSFET抗短路沖擊的性能。從圖3的應(yīng)用測試波形可以看到,在短路過程中,發(fā)生了連續(xù)多...
SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開關(guān),無需機械觸點即可工作,而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導(dǎo)體來切換電氣負(fù)載。
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器SSR 8k 0
Boost電路是一種開關(guān)直流升壓電路,它能夠使輸出電壓高于輸入電壓。在電子電路設(shè)計當(dāng)中算是一種較為常見的電路設(shè)計方式。本文將給大家介紹boost基本原理...
充電器市場高穩(wěn)定方案 思睿達(dá)TT5259+TT3017L_12V2A SMPS工程樣機測試
1、樣機介紹 ? 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率24W,恒壓輸出的工程樣機,控制IC采用了思睿達(dá)微電子的TT5259、TT3017...
n溝道場效應(yīng)管和p溝道場效應(yīng)管能互換嗎
純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差,但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會引入額外可移動的負(fù)電荷(電子),此時為N型(N溝道)參雜,在N型...
功率元器件應(yīng)用秘訣,采用專用MOSFET提高效率
金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達(dá)到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù),以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
符合ISO 7637-2和ISO 16750-2標(biāo)準(zhǔn)的可靠汽車電源保護(hù)
圖8中的設(shè)計可保護(hù)下游電子設(shè)備免受ISO 16750-2和ISO 7637-2瞬變的影響,同時提供高達(dá)4A的輸出電流。同時,它可以保護(hù)上游系統(tǒng)免受下游電...
近年來,以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場強度...
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