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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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LLC電源設(shè)計(jì)的核心原理與詳細(xì)步驟
提到高性能的DC-DC變換器,LLC絕對(duì)是繞不開(kāi)的話(huà)題。它能輕松實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通(ZVS),大幅降低開(kāi)關(guān)損耗,使得電源的效率和功率密度再上一個(gè)臺(tái)階。
2026-02-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)零電壓開(kāi)關(guān) 1.5萬(wàn) 0
基于東芝產(chǎn)品的無(wú)繩電動(dòng)工具解決方案
無(wú)繩電動(dòng)工具日益普及,卻面臨續(xù)航短、動(dòng)力弱的核心挑戰(zhàn)。關(guān)鍵時(shí)刻的“罷工”或高負(fù)荷下的“疲軟”,背后是電池管理、電機(jī)控制與功耗設(shè)計(jì)的復(fù)雜博弈。
2026-02-10 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體電動(dòng)工具 380 0
MAX16128/MAX16129:負(fù)載突降/反極性電壓保護(hù)電路的卓越之選
MAX16128/MAX16129:負(fù)載突降/反極性電壓保護(hù)電路的卓越之選 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,電源保護(hù)至關(guān)重要。尤其是在汽車(chē)、工業(yè)、航空電子以及電信等...
2026-02-10 標(biāo)簽:MOSFET電源保護(hù)MAX16128/MAX16129 148 0
BTP1521P構(gòu)建SiC碳化硅MOSFET門(mén)極隔離驅(qū)動(dòng)電源供電方案的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)...
2026-02-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)電源 748 0
新潔能NCE30H12K高效穩(wěn)定的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
新潔能NCE30H12K是南山電子代理的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,有著出色的電氣性能和可靠的品質(zhì),可以提供極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和低柵...
諸如雙向電容-電感-電感-電感-電容 (CLLLC) 的單級(jí)隔離式轉(zhuǎn)換器,是儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS) 中常見(jiàn)的轉(zhuǎn)換器類(lèi)型,用于節(jié)省系統(tǒng)成本并提高功率密度。
2026-02-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET諧振轉(zhuǎn)換器 1.2萬(wàn) 0
AP10G02LI無(wú)線(xiàn)充MOSFET選型:效率與成本權(quán)衡
你是否還在為無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端MOSFET的效率瓶頸和散熱難題頭疼?在有限的BOM成本下,如何實(shí)現(xiàn)高頻諧振驅(qū)動(dòng)與低損耗并存?
2026-01-31 標(biāo)簽:MOSFETemi無(wú)線(xiàn)充電 838 0
安森美T2PAK封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù)
T2PAK應(yīng)用筆記重點(diǎn)介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面:T2PAK封裝詳解:全面說(shuō)明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù);焊接注意事項(xiàng):...
由此可以看出,對(duì)于Boost電路,電感電流連續(xù)模式與電感電流非連續(xù)模式有很大的不同,非連續(xù)模式輸出電壓與輸入電壓,電感,負(fù)載電阻,占空比還有開(kāi)關(guān)頻率都有...
新潔能NCE6020AQ高效能N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET解析與應(yīng)用
新潔能(NCE)推出的NCE6020AQ是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件在低柵極電荷條件下實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的導(dǎo)通電阻特性,適用于多...
解析FCB110N65F - N通道SuperFET? II FRFET? MOSFET
解析FCB110N65F - N通道SuperFET? II FRFET? MOSFET 一、前言 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件,廣泛...
2026-01-26 標(biāo)簽:MOSFETON SemiconductorFCB110N65F 468 0
深入剖析 FCB290N80 N-Channel SuperFET? II MOSFET
深入剖析 FCB290N80 N-Channel SuperFET? II MOSFET 一、前言 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,廣...
Onsemi FCA20N60F MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)利器
Onsemi FCA20N60F MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)利器 在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里,尋找一款性能卓越、適配性強(qiáng)的MOSFET至關(guān)重要。今天,我們就...
2026-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源Onsemi FCA20N60F 208 0
深入解析 onsemi FCA47N60 與 FCA47N60 - F109 MOSFET
深入解析 onsemi FCA47N60 與 FCA47N60 - F109 MOSFET 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其性能...
2026-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源onsemi 475 0
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹
基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列,采用新一代碳化硅芯片技術(shù),結(jié)合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板封裝...
2026-01-23 標(biāo)簽:MOSFET功率模塊基本半導(dǎo)體 1.4k 0
新潔能250V超快反向恢復(fù)SGT MOSFET產(chǎn)品介紹
在通信、電機(jī)控制、工業(yè)電源等硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中,功率MOSFET的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)效率及可靠性有著重要影響。功率MOSFET反向恢復(fù)電荷大,將導(dǎo)致系統(tǒng)效...
新潔能NCE60P16AK:高效可靠的P溝道功率MOSFET
南山電子代理的新潔能NCE60P16AK是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件在低柵極電荷條件下仍能提供優(yōu)異的導(dǎo)通電阻(RDS...
在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)。它量化...
2026-01-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 4.8k 0
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