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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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使用安森美新型SiC模塊構(gòu)建25kW快速電動汽車充電樁
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
基于ADI MAX17598的二次自整流電路設(shè)計(jì)
對于有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC),占空比是一個關(guān)鍵參數(shù),會影響輸出電壓和效率。通常,正激轉(zhuǎn)換器的最大占空比以50%為限。采用有源鉗位技術(shù),占空比可以高...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的核心元件之一,其參數(shù)與工藝對于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOS...
?DRV8306-Q1汽車級三相無刷直流電機(jī)控制器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8306 器件是一款集成柵極驅(qū)動器,適用于三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)應(yīng)用。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝...
引言:在進(jìn)行工程設(shè)計(jì)時,我們常常關(guān)注電壓的安全性,因?yàn)殡娏鞯牟缓弥苯訙y量,導(dǎo)致對電流的關(guān)注比較少,但其實(shí)電流中隱藏的浪涌也往往有很大的隱患。當(dāng)接通子系統(tǒng)...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET熱敏電阻電源開關(guān) 4k 0
設(shè)計(jì)驅(qū)動電路該使用MOS管還是三極管?(文末領(lǐng)BJT和MOSFET對比資料)
晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而,它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管,通常稱為 BJT...
低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)的關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢分析
功率半導(dǎo)體開關(guān)通常在用于電路設(shè)計(jì)時,能夠在不增加開關(guān)損耗的情況下減小電流傳導(dǎo)期間的損耗,這是其一大優(yōu)勢。在各種電路保護(hù)應(yīng)用中,器件需要連續(xù)傳送電流,較低...
如何利用運(yùn)算放大器和MOSFET構(gòu)建電流負(fù)載
測試電源和電池需要電流負(fù)載,該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個運(yùn)算放大器和一個功率MOSFET就可以構(gòu)建一個簡單而準(zhǔn)確的電流負(fù)載,如圖...
MOSFET場效應(yīng)管工頻100W逆變電源,100W power inverter
本裝置電路簡單,易于調(diào)試,性能可靠,逆變和充電自動轉(zhuǎn)換,帶電瓶電量指示。由于使用了大功率VMOS管,故效率高而成本又較低,適合電子愛好者組裝。
2019-02-09 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管 3.9k 0
基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成
CMOS技術(shù)是無數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計(jì)算工具的大腦。60多年來,CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能成本方面持續(xù)增長,這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...
晶體管篇:關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時的浪涌電流
關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時的浪涌電流 負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時,向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大...
由閾值電壓的公式可看出,閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān),所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時,此模型不再精確,閾值電壓與L、...
共源級放大電路的偏置設(shè)計(jì) 共源級放大電路的小信號分析
前幾期的內(nèi)容介紹了MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性、電路模型,這些都是分析MOSFET放大電路的基礎(chǔ)。介紹了MOSFET放大器一般有三種類型即三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),...
開關(guān)直流電源如何同步整流?開關(guān)電源同步整流控制的優(yōu)勢分析
開關(guān)直流電源使用范圍更加廣泛,降低低壓大電流的功耗已經(jīng)成為電力工程師的難題。 開關(guān)電源損耗主要由斷路器管損耗、高頻變壓器損耗、插座集電器損耗等組成。同步...
2022-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 3.9k 0
在該電路中,MN1 連接在充電器/負(fù)載和電池端子之間連接的低側(cè)。
在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計(jì)的重要方向。車規(guī)級 PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品,以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...
傳統(tǒng)上,過流保護(hù)使用的是保險(xiǎn)絲。但是,保險(xiǎn)絲體積龐大,響應(yīng)速度慢,跳閘電流公差大,需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應(yīng)速度快的1...
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