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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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討論在PFC中應(yīng)用的新型超級結(jié)MOSFET器件的特點
眾所周知,超級結(jié)MOSFET的高開關(guān)速度自然有利于減少開關(guān)損耗,但它也帶來了負(fù)面影響,例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅(qū)動設(shè)計中,一個...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護者可能會指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...
開關(guān)電源設(shè)計之MOS管驅(qū)動電路
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計 3.9k 0
羅姆第4代SiC MOSFET在電動汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢
羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET,是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面,通常使用氧化硅(SiO2)等絕緣材料,用于隔離控制電極(柵極)與功率電極(P區(qū)和N+區(qū))。
開關(guān)電源的尖峰干擾是一個復(fù)雜而重要的問題,它主要源于開關(guān)電源內(nèi)部高頻開關(guān)器件的快速通斷過程。這種干擾不僅影響開關(guān)電源本身的性能,還可能對周圍的其他電子設(shè)...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源尖峰干擾 3.9k 0
輻射這東西,看不見摸不著,整改還按小時算,一不小心幾萬塊就沒了。不得不說,EMC整改,真難。本文主要分享理論+實際案例,文章篇幅較長,建議先收藏再閱讀。
2023-05-29 標(biāo)簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 3.9k 0
基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計方案
介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計與實現(xiàn)。該電路設(shè)計方案具有抗干擾能力強、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點。通過試驗驗證了該方案的正確...
線性穩(wěn)壓器是一種電源管理集成電路,用于將輸入電壓穩(wěn)定在恒定的輸出電壓。它的工作原理是通過一個調(diào)節(jié)元件(通常是晶體管)來調(diào)整輸入電壓,使輸出電壓保持在設(shè)定...
2024-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電壓線性穩(wěn)壓器 3.9k 0
英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的參數(shù)分析與研究
在上篇文章中,介紹了功率MOSFET的基本參數(shù)Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs、和Vgs。為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數(shù),本文仍...
通過采用CPLD芯片實現(xiàn)對MOSFET器件電路的保護設(shè)計
功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的,它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓,從而實現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動[1].功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力...
我一直認(rèn)為,對于電子工程師來講,最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊,可能一開始讀起來會很吃力,但只要你能堅持住,并且本著一種不懂就問,不會就查...
Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列可完美替換5ARxx
Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列,可完美替代進口工業(yè)級芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 標(biāo)簽:MOSFET過壓保護器跨導(dǎo)放大器 3.8k 0
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