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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
圖一為N溝通增強型VDMOSFET斷面示意圖及等效電路圖,在電路圖中一般使用圖二所示的兩種圖形符號。圖形符號中的箭頭方向與反并聯(lián)寄生二極管的方向是一致的...
2022-10-08 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管 3.7k 0
在電子工程中,柵極電阻的取值對于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。雖然100歐姆是一個常見的取值,但這個選擇并非隨意,...
繼電器開關(guān)電路的設(shè)計和類型非常龐大,許多小型電子項目都使用晶體管和MOSFET作為其主要開關(guān)設(shè)備。
2023-11-14 標(biāo)簽:繼電器開關(guān)電路MOSFET 3.7k 0
提高開關(guān)電源效率的方法 怎樣提高開關(guān)電源效率
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率。但是,一個高質(zhì)量的電源效率可以達到非常高的水平,效率接近95%。
2023-07-20 標(biāo)簽:電源二極管轉(zhuǎn)換器 3.7k 0
AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器的拓撲結(jié)構(gòu)選型
本白皮書將重點圍繞實現(xiàn)上述目標(biāo)的轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體技術(shù)展開探討。 內(nèi)容主要聚焦于原邊的拓撲選擇與半導(dǎo)體器件;副邊假定采用低壓硅基 MOSFET , ...
2026-03-02 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET半導(dǎo)體 3.7k 0
基于分段模型的CRM boost電路軟開關(guān)時間優(yōu)化設(shè)計
臨界導(dǎo)通模式(critical conduction mode,CRM)下的DC-DC變換器能夠降低系統(tǒng)階數(shù),并且可以實現(xiàn)更高的效率而廣泛應(yīng)用于中小功率場景中。
綜合電源解決方案TPS84621RUQ的性能特性及應(yīng)用
TI公司的TPS84621RUQ是易于使用的綜合電源解決方案,集成了6A的DC / DC轉(zhuǎn)換器和功率MOSFET,電感和無源元件。效率大于90%,9×1...
此外,襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時,耗盡區(qū)被加寬,實現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加,以適應(yīng)更大的Qsc。
安森美半導(dǎo)體門極驅(qū)動器方案的快速評估和測試解決方案
這些板設(shè)計為直接插入基板或易于替換為現(xiàn)有的應(yīng)用板。圖3顯示了幾種架構(gòu),其中迷你驅(qū)動器板已連接以驅(qū)動采用TO-247封裝的開關(guān)。
SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
MOSFET打開的過程中,是對電感進行充電,所以電流的變化斜率是斜向上的。二極管續(xù)流的過程,是電感放電的過程,所以電流的變化斜率是斜向下的。
2022-04-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源同步控制器 3.6k 0
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強度的定義,失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高...
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