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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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增強(qiáng)的體二極管特性可優(yōu)化Qrr和Vsd
MOSFET的體二極管能夠讓感性負(fù)載電流在MOSFET處于“關(guān)斷”狀態(tài)時(shí)繞開(kāi)MOSFET。因此,它在同步整流(AC-DC和DC-DC)和電機(jī)控制(全橋和...
MOSFET的非理想特性對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面,包括電容、體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速...
安森美四大eFuse系列產(chǎn)品賦能汽車電氣化發(fā)展
保險(xiǎn)絲是汽車電路中歷史悠久的一個(gè)存在。當(dāng)電路系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)比如某個(gè)負(fù)載損壞,其損害可能是危險(xiǎn)的,比如負(fù)載短路引起設(shè)備被整體毀壞,引發(fā)起火等更進(jìn)一步的嚴(yán)重...
三菱電機(jī)SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用
SiC器件具有低開(kāi)關(guān)損耗,可以使用更小的散熱器,同時(shí)可以在更高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行,減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源,可以實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。三...
MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,在開(kāi)關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài):導(dǎo)通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過(guò)程對(duì)于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。
2024-04-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開(kāi)關(guān)電源 3.6k 0
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動(dòng),并且能夠在使用合適的器件時(shí)提供安全柵...
2022-12-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器總線 3.6k 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)過(guò)程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)...
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關(guān)斷器件,是指通過(guò)控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器LV5980MC的主要特性及應(yīng)用電路
該OnSemi公司的LV5980MC是單個(gè)內(nèi)嵌P MOSFET的單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器,工作電壓范圍為4.5V至23V,最大輸出電流為3A??蓪?shí)現(xiàn)低功率...
2021-03-15 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器mosfet 3.6k 0
SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過(guò)程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)參考!
穩(wěn)壓器產(chǎn)生預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無(wú)論其輸入電壓或負(fù)載條件如何變化,該輸出電壓都保持不變。有兩種類型的穩(wěn)壓器:線性穩(wěn)壓器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。
碳化硅功率模塊封裝中4個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題的分析與研究
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
SiC基DNPC轉(zhuǎn)換器器件電壓不平衡問(wèn)題分析與解決
SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進(jìn)步,給電力電子領(lǐng)域帶來(lái)了一場(chǎng)革命。這些器件具有快速開(kāi)關(guān)、高電荷密度和高效設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。它們?cè)诟吖β蕬?yīng)用中非常有...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 3.5k 0
電力場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3.5k 0
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