mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 3.5k 0

高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器FAN3XXX系列產(chǎn)品的特點(diǎn)與典型應(yīng)用電路分析

FAN3XXX系列是飛兆公司（FAIRCHILD）2007年10月推出的新產(chǎn)品，是一種高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列。該系列各種驅(qū)動(dòng)器與PWM控制器及功...

2020-07-26 標(biāo)簽：mosfet 驅(qū)動(dòng)器功率 3.5k 0

小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試

負(fù)載瞬態(tài)通常使用電子負(fù)載（E-Load）進(jìn)行測(cè)試，前面提到，負(fù)載的跳變斜率（Slew Rate）將對(duì)測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生關(guān)鍵影響，然而受設(shè)備內(nèi)部電路限制，常規(guī)電...

2023-02-03 標(biāo)簽：測(cè)試轉(zhuǎn)換器 MOSFET 3.5k 0

為減少開(kāi)關(guān)管損耗的BSCO16NO3LSG型開(kāi)關(guān)電源MOSFET

近年來(lái)，電源的輸出電壓越來(lái)越低、輸出電流越來(lái)越大（某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設(shè)計(jì)中采用開(kāi)關(guān)電源控制器、加上多個(gè)驅(qū)動(dòng)器及功率 MOS...

2018-06-08 標(biāo)簽：電源 mosfet 電容 3.5k 0

使用泰克MP5000系列實(shí)現(xiàn)高密度并行測(cè)試

受人工智能的快速發(fā)展和電氣化轉(zhuǎn)型的推動(dòng)，半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)要求制造商在不犧牲測(cè)試精度的情況下，提高測(cè)試和驗(yàn)證的吞吐量。

2025-10-24 標(biāo)簽：測(cè)試 MOSFET 半導(dǎo)體 3.5k 0

MOSFET為什么有“體二極管”

2023-12-14 標(biāo)簽：MOSFET 體二極管同步控制器 3.5k 0

如何區(qū)分MOS管，“電路符號(hào)”和“實(shí)物”介紹

讓我們來(lái)看看MOS管，分辨一下他們?cè)趺磪^(qū)別，怎么用吧。而且，我們不談原理，只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來(lái)看。

2022-12-30 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 3.5k 0

空調(diào)用電流連續(xù)模式PFC電路：利用MOSFET和二極管提高效率的案例

上一篇文章中介紹了在LED照明電路中提升效率并降低噪聲的案例，本文將介紹在空調(diào)中的案例。近年來(lái)，隨著表示全年能效比的APF（Annual Perform...

2023-02-10 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 晶體管 3.5k 0

MOSFET導(dǎo)通過(guò)程詳解

在設(shè)計(jì)基于 MOSFET 的電路時(shí)，您可能想知道打開(kāi) MOSFET 的正確方法是什么？或者簡(jiǎn)單地說(shuō)，應(yīng)該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開(kāi)？

2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通 3.5k 0

移相ZVS變換器使用MOSFET器件的潛在風(fēng)險(xiǎn)分析

在過(guò)去的幾年中，對(duì)具有足夠效率來(lái)管理大功率的系統(tǒng)的市場(chǎng)需求促使開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)具有低電損耗的拓?fù)?。帶PWM相移控制全橋變換器是一種非常流行的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...

2022-04-01 標(biāo)簽：MOSFET PWM ZVS 3.5k 0

負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的具體功能操作

在之前的課程里，我們已經(jīng)了解了負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的一些實(shí)用功能，這些知識(shí)為我們?cè)趯?shí)際設(shè)計(jì)中運(yùn)用負(fù)載開(kāi)關(guān)IC提供了思路。今天，芝子將帶著大家更進(jìn)一步，詳細(xì)探討負(fù)...

2025-09-19 標(biāo)簽：MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)IC 3.5k 0

功率放大器的連接方式功率放大器的基本類型

　　功率放大器主要解決低功率信號(hào)放大的問(wèn)題，它可以將來(lái)自低功率信號(hào)源的電信號(hào)放大為高功率信號(hào)，以便驅(qū)動(dòng)需要更高功率的負(fù)載。功率放大器的種類繁多，包括晶體...

2023-02-24 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 功率放大器 3.5k 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。

2023-04-01 標(biāo)簽：MOSFET JFET SiC 3.5k 0

使用MOSFET輸出級(jí)的放大器電路圖

這里介紹的電路是使用 MOSFET 輸出級(jí)的放大器電路，作為基于雙極晶體管的輸出級(jí)的替代品。該項(xiàng)目適合那些想要嘗試功率 MOSFET 的人。無(wú)需贅述，M...

2023-08-24 標(biāo)簽：放大器電容器二極管 3.5k 0

基于內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能

功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以...

2021-03-07 標(biāo)簽：mosfet 開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 3.5k 0

為什么需要注意SiC MOSFET柵極？

作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使...

2021-03-11 標(biāo)簽：MOSFET SiC MOSFET 3.5k 0

電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用三種不同的dV/dt控制方法

在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中，放緩開(kāi)關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。

2022-12-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 柵極電阻 3.5k 0

功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計(jì)過(guò)程中的局限性

一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為在有限時(shí)間內(nèi)承受一定量的雪崩電流，因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會(huì)在雪崩開(kāi)始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計(jì)和制造。

2021-06-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體器件寄生元件 3.5k 0

淺析NAND閃存工藝

閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片，廣泛用于電子產(chǎn)品，特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET 存儲(chǔ)器閃存芯片 3.5k 0

具有自動(dòng)防擊穿保護(hù)的MOSFET器件在各種H橋配置中的應(yīng)用

MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中，它們不僅可是分立器件也可集成到IC。

2019-12-19 標(biāo)簽：mosfet 控制器馬達(dá) 3.5k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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