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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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英飛凌FS03MR12A6MA1LB功率模塊產(chǎn)品概述
英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 (1200V/400A),針對(duì)混合動(dòng)力和電動(dòng)汽...
在有些電子系統(tǒng)中,需要斷開電源線路的連接。例如,可能是切斷電池電壓,以保持電池電量,或者是斷開負(fù)載與帶電線路的連接。理想情況下,可以使用機(jī)械開關(guān)來實(shí)現(xiàn)這...
2023-06-14 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 3.5k 0
根據(jù)MOSFET傳輸特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的熱穩(wěn)定性不如NXP MOSFET,因?yàn)镹XP的熱穩(wěn)定性(曲線相交)在37,5A...
2018-09-25 標(biāo)簽:MOSFET 3.5k 0
近年來,半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場強(qiáng)(MV/cm)和...
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種方法,最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。
SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì),在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的...
三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用(1)
隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機(jī)的SiC M...
2025-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車二極管MOSFET 3.5k 0
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子 (CHC) 誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流...
三電平電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及碳化硅MOSFET應(yīng)用深度分析報(bào)告
傾佳電子三電平電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及碳化硅MOSFET應(yīng)用深度分析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。他...
2025-08-17 標(biāo)簽:MOSFET三電平電源拓?fù)?/a> 3.5k 0
開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里MOSFET驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)
MOSFET 功率開關(guān)是開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件,如果它被集成進(jìn) IC里,這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器;如果它被外置,能夠驅(qū)動(dòng)它的器件便可以被稱作...
2020-12-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源轉(zhuǎn)換器 3.4k 0
提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。為達(dá)到這個(gè)目標(biāo),需要提高開關(guān)頻率,從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。對(duì)于當(dāng)今的開關(guān)電源(SMPS)而言...
柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵控制及400W CCM PFC中的效率比較
基于電荷平衡技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能,這通常需要權(quán)衡取舍。
DC-DC變換器,即直流-直流變換器,是一種在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓值的電能的裝置。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要不同電...
功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié) 功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理
實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容,三個(gè)溝道電阻,和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān),而門極的溝道電阻一...
德州儀器方案 | 使用熱插拔控制器應(yīng)對(duì)48V AI服務(wù)器的保護(hù)挑戰(zhàn)
新興的 48V AI 服務(wù)器在峰值和穩(wěn)定狀態(tài)下都需要更大的功率。在使用熱插拔控制器和并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)前端保護(hù)時(shí),高功耗以及快速和瞬態(tài)動(dòng)態(tài)特性帶來...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 3.4k 0
本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品,在個(gè)人計(jì)算...
基于LAMP和MOSFET的Hi-Fi耳機(jī)放大器電路圖
任何追求高品質(zhì)音頻再現(xiàn)的發(fā)燒友都需要一個(gè) Hi-Fi 耳機(jī)放大器。強(qiáng)大的混合設(shè)計(jì)結(jié)合了真空管 (LAMP) 和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFE...
三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用(2)
隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC...
2025-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET三菱電機(jī) 3.4k 0
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