完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:6795個(gè) 瀏覽:234034次 帖子:1154個(gè)
下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測(cè)試
在當(dāng)今這一代,電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的...
了解有關(guān)齊納二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
齊納二極管是電子電路的一個(gè)基本構(gòu)建模塊,其作用是在達(dá)到特定反向電壓(常稱為齊納電壓)時(shí)允許大量電流反向流動(dòng)。達(dá)到或超過(guò)此反向擊穿電壓后,齊納二極管便以恒...
電機(jī)控制器中的MOS驅(qū)動(dòng),你懂了嗎?
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來(lái)設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒(méi)有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部...
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱MOSFET)是現(xiàn)...
第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...
功率MOSFET的分類及優(yōu)缺點(diǎn) 功率MOSFET的選型要求
在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括:選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測(cè)試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn),或者出于營(yíng)銷或客戶目的...
如何針對(duì)特定設(shè)計(jì)選擇正確的MOSFET
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
用SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的燈或電機(jī)
改變大功率燈或電機(jī)亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車電子系統(tǒng)中,一段時(shí)間以來(lái),控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
峰岹FU6812S+FD2606S+N MOSFET 油煙機(jī)方案
FD2606S是高壓、高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器, 能夠驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S內(nèi)置VCC和VB欠壓(UVLO)保護(hù)功能,防止功率管...
引言:一位朋友要求更一期Snubber的詳細(xì)介紹,這個(gè)拖更好久了,今天就補(bǔ)上!切斷電路中的電流時(shí),電路中的雜散電感會(huì)導(dǎo)致電壓急劇增加,緩沖器電路提供...
2023-09-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET緩沖器 3.2k 0
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心,它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多,不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:集成電路MOSFET半導(dǎo)體材料 3.2k 0
東芝半導(dǎo)體微波爐電路設(shè)計(jì)解決方案
用戶對(duì)微波爐產(chǎn)品的期望值可謂日益提高,例如智能化,用戶期望微波爐能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)程控制、語(yǔ)音操作、智能菜譜推薦等;多功能,微波爐不僅需要具備基本的加熱功能,還...
2025-06-28 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)晶體管 3.2k 0
大電流IGBT驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)應(yīng)用中的作用
為了保障高頻開關(guān)所需的快速上升和下降時(shí)間,載流導(dǎo)體應(yīng)保持長(zhǎng)度最小。每厘米長(zhǎng)度增加約 8 nH 的電感,因此 95 A/μs 的 di/dt 會(huì)產(chǎn)生每厘米...
碳化硅MOSFET對(duì)比硅IGBT的優(yōu)勢(shì)
開關(guān)器件在運(yùn)行過(guò)程中存在短路風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過(guò)程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開關(guān)器件 3.2k 0
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |