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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注149人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：6799個 瀏覽：234041次 帖子：1154個

      mosfet技術(shù)

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      當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。

      2023-04-15 標(biāo)簽：二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 3.2k 0

      電機驅(qū)動電路的兩種設(shè)計方案解析

      通過電機驅(qū)動模塊控制驅(qū)動電機兩端電壓來對電機進行制動，我們可以采用飛思卡爾半導(dǎo)體公司的集成橋式驅(qū)動芯片 MC33886。

      2023-01-11 標(biāo)簽：MOSFET電機驅(qū)動 3.2k 0

      使用H橋電路驅(qū)動有刷直流電機的原理

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      　　從本文開始，我們將介紹如何使用H橋電路來驅(qū)動有刷直流電機。在介紹具體的使用H橋電路來驅(qū)動有刷直流電機的驅(qū)動方法之前，本文將介紹H橋電路的原理。

      2023-03-02 標(biāo)簽：MOSFET直流電機電機 3.2k 0

      龍騰半導(dǎo)體MOSFET和IGBT在戶用光伏儲能上的應(yīng)用

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      戶用儲能，也被稱為家庭儲能，是一種將分布式光伏與家庭儲能相結(jié)合的能源系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用太陽能發(fā)電設(shè)備為家庭提供電力，并將多余的電能儲存起來，供給電網(wǎng)或供家庭使用。

      2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體太陽能發(fā)電 3.2k 0

      基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

      交流充電樁：本質(zhì)是一個帶控制的插座，主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)較為簡單，需要車載充電機自己進行變壓...

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET充電樁碳化硅 3.2k 0

      如何計算MOSFET實際應(yīng)用中的損耗

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      功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...

      2023-08-31 標(biāo)簽：二極管MOSFET晶閘管 3.2k 0

      鋰離子電池充電器電流擴展電路設(shè)計方案

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      原充電器以1A電流充電，若擴流電流為1A，則在恒流充電階段時充電電流為2A。圖5中紅線為充電電池電壓特性、黑線為充電電流特性，實線為加擴流特性，虛線為未...

      2024-04-27 標(biāo)簽：鋰離子電池MOSFET充電器 3.2k 0

      MOSFET特性參數(shù)詳解

      任何情況下都不允許超過的最大值。

      2023-03-20 標(biāo)簽：MOSFET封裝參數(shù) 3.2k 0

      耗盡型MOSFET構(gòu)成電流源給IC供電的應(yīng)用電路

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      當(dāng)電路工作時，電阻R兩端的電壓會隨著流過的電流的增加而升高，但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性，其最大電壓值不會超過對應(yīng)電流下的閾值電壓，即V R_...

      2023-11-07 標(biāo)簽：電源MOSFET應(yīng)用電路 3.2k 0

      12W開關(guān)電源芯片U6210的主要特點

      顯示器對上班族和游戲黨都至關(guān)重要，有的品牌是相對貴一點，盡管明面參數(shù)上可能看不出多大區(qū)別，但做工、用料、品控等肯定會不一樣。硬件市場一直是如此。深圳銀聯(lián)...

      2023-10-25 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源適配器 3.2k 0

      MOSFET導(dǎo)通電壓的測量方法

      MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓，也稱為閾值電壓（Vth），是MOSFET...

      2024-08-01 標(biāo)簽：MOSFET電子設(shè)備電壓 3.2k 0

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      碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

      2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFETJFET功率器件 3.2k 0

      i.MX8 SoM在適合生產(chǎn)的封裝中的性能

      邊緣周圍的接觸墊有助于檢查并實現(xiàn)輕松布線，甚至允許使用兩層基板，包括基板。特殊的接地平面布局意味著模塊在回流期間可以有效地“浮動”到位

      2021-06-26 標(biāo)簽：MOSFETNXP雙核 3.2k 0

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      MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動電流大小并不是一個固定的值，它受到多種因素的影響，包括MOSFET的具體型號、工作條件（如開關(guān)頻率、柵...

      2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 3.2k 0

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      當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時，電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散，稱為擴散運動。當(dāng)電子進入p型區(qū)域，空穴進入n型區(qū)域后，即與對方多子復(fù)合，留下了固定...

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      即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的...

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      2013-02-22 標(biāo)簽：MOSFETDC/DC電感 3.2k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
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      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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