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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何在使用SiC MOSFET時(shí)最大限度地降低EMI和開(kāi)關(guān)損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開(kāi)關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS(on) 使其對(duì)電源設(shè)計(jì)人員極具吸引力,這些設(shè)計(jì)人員不斷尋找提高效率和功率密...
簡(jiǎn)單電路產(chǎn)生多個(gè)隔離電源電壓
在該設(shè)計(jì)中,雙功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX628與電容和全波整流器配合使用,產(chǎn)生隔離電源電壓。在數(shù)字振蕩器IC中添加二極管電容網(wǎng)絡(luò),以產(chǎn)生額外的隔離電源電壓。
2023-01-16 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 3.1k 0
MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
MOSFET工作在飽和區(qū)時(shí),具有信號(hào)放大功能,柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導(dǎo)保持一定的約束關(guān)系,柵極的電壓和漏極的電流的關(guān)系就是MOSFET的傳輸特性。
如何通過(guò)使用外部電路擴(kuò)展低邊電流檢測(cè)并提高DRV8952的檢測(cè)精度
DRV8952是一款高度集成的半橋驅(qū)動(dòng)器件,內(nèi)置4個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、8個(gè)MOSFET和電流放大器。內(nèi)部放大器在 40% 至 100% 的額定電流下提供 ...
2023-04-19 標(biāo)簽:放大器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 3.1k 0
在當(dāng)今全球汽車工業(yè)駛向電動(dòng)化的滾滾浪潮中,一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動(dòng)汽車整體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的新格局,它便是基于碳化硅(SiC)材料打造的主驅(qū)逆變器。
該模塊內(nèi)置三個(gè)充電線圈,滿足手機(jī)不同擺放位置充電,內(nèi)置散熱風(fēng)扇,加快空氣流通,能夠有效降低大功率無(wú)線充電的溫升,帶來(lái)更加快速的無(wú)線充電體驗(yàn),內(nèi)置三個(gè)充電...
SiLM94112芯片應(yīng)用中過(guò)流保護(hù)功能及大電容負(fù)載啟動(dòng)的應(yīng)對(duì)策略
SiLM94112 是一款帶有多種保護(hù)功能的十二路半橋驅(qū)動(dòng)芯片,廣泛應(yīng)用于汽車應(yīng)用中的各種電機(jī)控制。
IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性,例如溫度,能量,機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡(jiǎn)要介紹...
該輸入電容器的電流所產(chǎn)生的電壓(波形)因電容器的“靜電電容”之外存在的寄生成分“ESR(等效串聯(lián)電阻)”及“ESL(等效串聯(lián)電感)”的差異而不同。
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線性模式和開(kāi)關(guān)模式。在線性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過(guò)通道,但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過(guò)通道...
2024-06-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)損耗 3k 0
LM3409HV 用于大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器的 75V PFET 降壓控制器技術(shù)手冊(cè)
LM3409、LM3409-Q1、LM3409HV 和 LM3409HV-Q1 是 P 溝道 MOSFET (PFET) 控制器用于降壓(降壓)電流調(diào)節(jié)...
碳化硅(SiC)技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。
非隔離式LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)方案介紹
變壓器的匝數(shù)比為18:6:1。初級(jí)電感為800μH,額定電流為750mA(峰值),占空比始終小于50%。
功率半導(dǎo)體(IGBT/MOSFET)在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用
電動(dòng)汽車的電能控制主要是把電從電池輸出到電機(jī)上,怎么隨心所欲地實(shí)現(xiàn)輸出?
2023-05-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3k 0
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)知識(shí)之輸出預(yù)偏置保護(hù)
DC/DC轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)時(shí)的Vout電壓基本上假設(shè)為零伏,但實(shí)際上由于電路構(gòu)成和短時(shí)間內(nèi)的重新啟動(dòng)等因素影響,啟動(dòng)前Vout可能存在電壓,也就是說(shuō)可能并非為零。
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC轉(zhuǎn)換器 3k 0
SiC MOSFET相對(duì)于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20A 的大...
MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全工作面積介紹(2)
了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全工作面積(SOA)下
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