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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
MOSFET數(shù)據(jù)手冊常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds(on)/Coss
MOSFET數(shù)據(jù)手冊常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds(on)/Coss
數(shù)字示波器是大多數(shù)工程實驗室的常態(tài),但您可能還沒有充分探索它們的功能。數(shù)字示波器更有趣的功能之一是“數(shù)學”通道,它可以以新穎的方式應(yīng)用于簡化和擴展熱插拔...
如何為中壓SiC-MOSFET轉(zhuǎn)換器的濾波電感器的接地電流建模
在設(shè)計使用寬帶隙 (WBG)的電子轉(zhuǎn)換器時,高 dv/dt 瞬變是挑戰(zhàn)背后的原因通常以存在于它們的有源和無源組件中的寄生參數(shù)的形式引起的設(shè)備 [1][2...
2022-08-04 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電感器 2.3k 0
一段時間以來,高壓應(yīng)用的要求迫使設(shè)計師不得不依賴傳統(tǒng)功率封裝,例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而,隨著開關(guān)頻率越來越高,這些傳統(tǒng)封...
離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟性,電網(wǎng)友好性等特點蓬勃發(fā)展,其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下,不平衡負載帶載能力,諧波畸變度等都是其...
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動電路
說實話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對三極管的理解。但真正在實際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說到這里,也給在學校的大學生們...
2023-05-14 標簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 2.3k 0
電壓監(jiān)控器通過監(jiān)控電源,在電源發(fā)生故障時將微控制器置于復位模式,可防止系統(tǒng)出現(xiàn)錯誤和故障,從而提高基于微控制器系統(tǒng)的可靠性。
2023-12-22 標簽:MOSFET開關(guān)電源smps 2.3k 0
三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導體器件,但是Si...
柵極驅(qū)動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號,從而實現(xiàn)功率器件更有效的導通和關(guān)斷。今天給大家推薦一款國產(chǎn)汽車級H橋智能柵極驅(qū)動器。
電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述
拿到一個ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標題的問題沒找到答案。有...
高效DC/DC轉(zhuǎn)換器從3.3V背板提供兩個15A輸出
3.3V 直流母線在寬帶網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中廣受歡迎,用于各種較低電壓,為 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。這些較低的電壓范圍為1V至2.5V,通常需要高負...
2022-12-13 標簽:電源MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 2.3k 0
在 PCT 期間,當 DUT 開啟時,由于電流從漏極流向源極,DUT 溫度會升高(圖 1a)。當 DUT 關(guān)閉時,通過從源極到漏極的感測電流測量體二極管...
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