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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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由三個端子組成的器件,可通過控制三端的電流或電壓實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷,包括雙極型(BJT)、場效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.4k 0
柵極驅(qū)動器(Gate Driver)是一種電路,其主要功能在于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制器能夠...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:連續(xù)電流額定值
然后是我們考慮的“芯片限值”,通常通過將外殼溫度保持在25?C來指定?;旧?,這個條件假定了一個理想的散熱片,只使用結(jié)至外殼熱阻來計(jì)算器件能夠處理的最大...
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展,對具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中,源極和漏極構(gòu)成硅化物...
如何有效地比較CMOS開關(guān)與固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容,CDS(關(guān)閉),是衡量關(guān)斷開關(guān)阻止源極信號耦合到漏極的能力的指標(biāo)。它是固態(tài)繼電器(也稱為 PhotoMOS、OptoMOS、光...
碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 2.4k 0
MOSFET,全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),...
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝,使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能;采用深溝槽、...
超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式
在過去的二十年,MOSFET主要用作開關(guān)器件,得到了長足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對較小的開關(guān)損耗,但其通態(tài)功耗較高,要降低通態(tài)功耗,導(dǎo)通電阻受擊穿...
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)是什么
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe...
具備驅(qū)動器源極引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給MOSFET驅(qū)動。
使用數(shù)字控制器設(shè)計(jì)多相降壓轉(zhuǎn)換器
近幾十年來,服務(wù)器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)隨著電力輸送 (PD) 需求的增加而增加。這使穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)復(fù)雜化,因?yàn)樗枰谔岣咝屎涂焖賱討B(tài)響應(yīng)之間以及在更低功率損...
2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET數(shù)字控制器 2.4k 0
美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
2023-10-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管漏極 2.4k 0
提升開關(guān)電源效率的理論分析與實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)
在這里有電源技術(shù)干貨、電源行業(yè)發(fā)展趨勢分析、最新電源產(chǎn)品介紹、眾多電源達(dá)人與您分享電源技術(shù)經(jīng)驗(yàn),關(guān)注我們,與中國電源行業(yè)共成長! 提升開關(guān)電源效率的理論...
2025-01-09 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2.4k 0
安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢,SiC JFET cascode應(yīng)用指南...
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