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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)和應(yīng)用
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為...
新能源汽車?yán)锩娴呐潆娤到y(tǒng)和E-Fuse
傳統(tǒng)車的配電系統(tǒng),ECU主要通過保險(xiǎn)絲和繼電器完成車載電器的電源控制,包括鑰匙開關(guān)繼電器、燈光繼電器、喇叭繼電器等,還有一些常供電的負(fù)載直接通過保險(xiǎn)絲接...
TPS61187 白光LED驅(qū)動(dòng)器芯片技術(shù)文檔總結(jié)
TPS61187器件為筆記本電腦LCD背光提供高度集成的白光二極管(WLED)驅(qū)動(dòng)器解決方案。該器件具有內(nèi)置的高效升壓穩(wěn)壓器,集成了2A、40V功率MO...
2025-09-01 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2.5k 0
基于他對(duì)理解半導(dǎo)體物理學(xué)的理論貢獻(xiàn)和他發(fā)明的結(jié)型晶體管,肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng),以表彰“半...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
雙通道8A DC/DC ΜModule穩(wěn)壓器可輕松并聯(lián)16A
兩款穩(wěn)壓器的輸入電源電壓范圍為 2.375V 至 5.5V,可調(diào)輸出電壓范圍為 0.6V 至 5V,連續(xù)輸出電流高達(dá) 8A (峰值為 10A)。對(duì)于較高...
表示熱傳導(dǎo)的難易程度。熱阻值越小,散熱性能越好。如果使用手冊(cè)上沒有注明熱阻值時(shí),可根據(jù)額定功耗PT及Tch將其算出。
溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性,在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種單極型半導(dǎo)體器件。 MOSFET的基本概念 MOSFET是一種利用電場(chǎng)控制半導(dǎo)體材料中電流流動(dòng)的器件。...
什么是MOSFET?MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物...
2022-10-11 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.5k 0
1200V 300A SiC MOSFET開關(guān)性能評(píng)估
由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加,碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán),該框架減小了尺寸并提高了...
開關(guān)電源中,功率器件高頻開通、關(guān)斷操作導(dǎo)致電流和電壓的快速變化是產(chǎn)生EMI的主要原因。
SiC MOSFET電動(dòng)汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)
工程師面臨著對(duì)現(xiàn)代電動(dòng)汽車 (EV) 性能和里程的權(quán)衡。更快的加速和更高的巡航速度需要更頻繁、更耗時(shí)的充電站。另外,更長(zhǎng)里程要求造成了各項(xiàng)進(jìn)展的不確定性...
2022-07-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET牽引逆變器 2.5k 0
基于onsemi NTTFSSCH1D3N04XL MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計(jì)用于處理大電流,這對(duì)于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要。這款40V...
2025-11-22 標(biāo)簽:MOSFET大電流電源轉(zhuǎn)換 2.5k 0
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動(dòng)器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515,專為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.5k 0
如何在挑戰(zhàn)性環(huán)境中優(yōu)化 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的熱性能
作者:Jeff Shepard 投稿人:DigiKey 北美編輯 無刷直流 (BLDC) 電機(jī)越來越多地用于熱條件苛刻的環(huán)境中,如電動(dòng)汽車 (EV) 等...
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