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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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TO-252封裝N溝道MOSFET,智能機器人領域的首選器件
從工廠流水線到家庭服務,人形機器人正掀起新一輪革命。但無論是奔跑跳躍的關節(jié)電機,還是精準避障的傳感器,背后都離不開最基礎的“隱形功臣”——二極管、三極管...
MOSFET深度指南:一文帶您了解現(xiàn)代電子工業(yè)的基石——金屬-氧化物-半導體場效應管
前言MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應管)是電子學中最為基礎和重要的器件之一,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強等電性能優(yōu)勢,以及兼...
半導體的常規(guī)散熱方法 車用功率MOSFET熱管理設計
頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢外,還具有明顯的散熱優(yōu)勢,因為這種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導率(通常在100~210W/mk之間),因此...
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案
柵極參數(shù)設計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件。它結...
LED 照明的設計人員已經(jīng)很快熟悉了各類適用的安全標準,如針對美國通用 LED 燈的 IEC 62560、針對 LED 陣列和模塊的 IEC 62031...
森國科650V超結MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ,相較...
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