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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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MOSFET功率放大器電路原理圖

這是Mosfet功率放大器5200W RMS的電路設(shè)計，原理圖是單通道的。該電路使用 16x IRFP250 在 2 歐姆負載下獲得 5200W RMS...

2023-07-31 標(biāo)簽：原理圖 MOSFET 功率放大器 2.7k 0

MOS場效應(yīng)晶體管的特性與原理

MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區(qū)，其中一個稱源，用S表示，...

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 MOS管 2.7k 0

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

2023-10-27 標(biāo)簽：MOSFET 封裝技術(shù)SiC 2.7k 0

構(gòu)建完整的超低功耗精密高邊電流檢測電路的理想選擇！

精密微安級高邊電流測量需要一個小阻值檢測電阻和一個低失調(diào)電壓的放大器。

2024-03-14 標(biāo)簽：放大器 MOSFET PMOS 2.7k 0

電容器在RC延時電路中的作用

說到電容器，應(yīng)該是全民皆知的器件了。它在電子技術(shù)領(lǐng)域有著許多重要的應(yīng)用，無論是“超級電容”還是“固態(tài)電容”，本職工作依然離不開充電、放電以及存儲電量。

2023-09-05 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 電容 2.7k 0

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導(dǎo)致電...

2023-03-13 標(biāo)簽：電流轉(zhuǎn)換器 MOSFET 2.7k 0

副邊同步后置穩(wěn)壓器為多輸出隔離電源提供精密調(diào)節(jié)和高效率

LT3710 控制器為多輸出隔離式電源應(yīng)用帶來了簡單性、高效率和精準的調(diào)節(jié)。LT?3710 是一款特殊的同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器，具有雙通道 N 溝道 ...

2023-05-08 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器控制器 2.7k 0

碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護隔離驅(qū)動 IC 研究報告：基于兩級關(guān)斷 (2LTO) 機制的競品分析與技術(shù)對比

碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護隔離驅(qū)動 IC 研究報告：基于兩級關(guān)斷 (2LTO) 機制的競品分析與技術(shù)對比傾佳電子（Changer Te...

2025-12-14 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅隔離驅(qū)動 2.7k 0

柵極驅(qū)動ic和源極的區(qū)別柵極驅(qū)動ic選型看哪些參數(shù)

一、柵極驅(qū)動IC與源極的區(qū)別柵極驅(qū)動IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色，它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。功能差異：柵極驅(qū)動IC ：柵極驅(qū)動...

2024-10-07 標(biāo)簽：MOSFET 參數(shù)電子器件 2.7k 0

LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例

從本文開始將介紹在具體應(yīng)用中效率等的改善案例。LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例，下面的電路摘自實際...

2023-02-10 標(biāo)簽：led 轉(zhuǎn)換器 MOSFET 2.7k 0

MOSFET的失效機理：什么是SOA（Safety Operation Area）失效

MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET 失效機理 SOA 2.7k 0

浪涌抑制器簡化了MIL-STD-1275D合規(guī)性

MIL-STD-1275D 合規(guī)性可以通過蠻力實現(xiàn)，使用笨重的無源元件將高能級分流到地面。這種方法不能保證向下游電子設(shè)備供電，并且可能需要在工作時更換損...

2023-04-20 標(biāo)簽：MOSFET 抑制器電池 2.7k 0

MOSFET的基本工作原理和特性

以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時的特性，會出現(xiàn)與結(jié)型場效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。

2023-06-03 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 2.7k 0

安森美EliteSiC MOSFET與柵極驅(qū)動器在電動汽車電力系統(tǒng)的應(yīng)用

在歐盟2035年零排放目標(biāo)等雄心勃勃的計劃推動下，從化石燃料向電動汽車(EV)的轉(zhuǎn)型正在加速。為了吸引消費者，電動汽車必須擁有足夠的續(xù)航里程，支持快速充...

2025-07-10 標(biāo)簽：MOSFET 安森美電力系統(tǒng) 2.7k 0

圖騰柱PFC階段隨著SiC FET的成熟而成熟

這種布置的要點是，它可以被解構(gòu)為相當(dāng)于一個全橋交流整流器，然后是一個功率因數(shù)校正升壓電路，但實際上與功率流一致的元件更少，損耗更低。圖騰柱電路中只需要兩...

2023-02-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 2.7k 0

射頻功率放大器中常用的MOSFET類型有哪些

在射頻功率放大器中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的選擇對于實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率放大至關(guān)重要。雖然射頻功率放大器的設(shè)計可能涉及多種不同類型...

2024-08-23 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管射頻功率放大器 2.7k 0

如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴重情況？

穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，產(chǎn)生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏出...

2024-03-27 標(biāo)簽：二極管電流 MOSFET 2.7k 0

Si整流器與SiC二極管的性能特點及應(yīng)用比較

肖特基二極管比PN結(jié)器件的行為特性更像一個理想的開關(guān)。肖特基二極管最重要的兩個性能指標(biāo)就是它的低反向恢復(fù)電荷（QRR）和它的恢復(fù)軟化系數(shù)。

2020-07-26 標(biāo)簽：二極管 mosfet 整流器 2.7k 0

動態(tài)測試確認SiC開關(guān)頻率的準確性

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅，因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受，專家們?nèi)圆粩鄼z查其真實性。

2022-08-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 動態(tài)測試 2.7k 0

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特...

2024-03-28 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 安森美 2.7k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計算機和外圍設(shè)備；安裝和配置計算機軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計算機軟硬件故障。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運動處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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COMSOL集團是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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服務(wù)機器人是機器人家族中的一個年輕成員，到目前為止尚沒有一個嚴格的定義。不同國家對服務(wù)機器人的認識不同。
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四軸飛行器

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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個螺旋槳都是電機直連的簡單機構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細節(jié)在“基本運動原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。

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