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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!
在做電力電子設(shè)計(jì)的朋友,經(jīng)常會遇到一個(gè)選擇題:IGBT和MOSFET,到底該用哪個(gè)?這兩個(gè)器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手,常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動(dòng)...
2025-08-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.6k 0
低電壓、高電流降壓型μModule穩(wěn)壓器可獨(dú)立完成電源設(shè)計(jì)
LTM4604 和 LTM4608 LTC μModule 開關(guān)穩(wěn)壓器能夠以最小的工作量創(chuàng)建高密度設(shè)計(jì)。兩款器件均為高密度電源,適用于 ≤5.5V 輸入...
關(guān)于手機(jī)快充技術(shù)與鋰電池保護(hù)元件
鋰電池由于化學(xué)特性非?;钴S,所以增加充放電保護(hù)電路。隨著智能手機(jī)快速普及,手機(jī)電池容量越來越大,出現(xiàn)了快速充電的需求,在快速充電前30分鐘的大電流沖擊...
工程師已經(jīng)研究和開發(fā)了可以代替機(jī)械繼電器的固態(tài)繼電器設(shè)備。與機(jī)械繼電器相比,這些固態(tài)繼電器具有更高的可靠性,更快的切換時(shí)間,沒有切換彈跳以及更小的尺寸。...
2021-05-25 標(biāo)簽:繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2.5k 0
如何選取MOSFET,關(guān)于MOSFET相關(guān)基礎(chǔ)知識
插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有:雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封...
2023-02-07 標(biāo)簽:pcbMOSFET開關(guān)電源 2.5k 0
芯片DNA如何物理不可克隆的功能技術(shù)保護(hù)嵌入式系統(tǒng)
基于硬件的安全性提供了針對網(wǎng)絡(luò)攻擊的強(qiáng)大保護(hù),當(dāng)實(shí)現(xiàn)加密功能的芯片使用時(shí),物理不可克隆功能(PUF)技術(shù)可以進(jìn)一步增強(qiáng)該級別的保護(hù)。本應(yīng)用筆記討論了一種...
半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使IC能夠取代許多機(jī)械繼電器,但繼電器在大電流電路中仍然占主導(dǎo)地位,這些電路必須承受任意極性的高電壓。然而,這些繼電器中的觸點(diǎn)反彈可能會...
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOSFET就...
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 2.5k 0
在離線應(yīng)用中采用UCC28056來優(yōu)化效率和待機(jī)功耗
隨著產(chǎn)品法規(guī)持續(xù)要求在這些關(guān)鍵領(lǐng)域提高性能,效率和待機(jī)功耗已成為離線應(yīng)用中關(guān)注的重點(diǎn)。這種關(guān)注需要采用復(fù)雜的功率策略以滿足這些要求,例如在低功耗模式下關(guān)...
2023-03-30 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 2.5k 0
?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)
該UCC21330是一個(gè)隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MO...
DC/DC變換器數(shù)據(jù)表:計(jì)算系統(tǒng)損耗
傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開后,負(fù)載電流就會從其中...
小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測試
在DCDC電源測試中,負(fù)載瞬態(tài)測試(Load Transient Test)是十分重要的一環(huán),利用負(fù)載瞬態(tài)測試,可以快速評估所測電源的穩(wěn)定性與快速性,而...
電源是所有電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),為了滿足不同應(yīng)用在功率、交直流轉(zhuǎn)換上的各種要求,便需要各式各樣的功率元器件、模塊,來提供合適、安全的電源,使系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運(yùn)作。...
2023-09-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器太陽能 2.5k 0
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 2.5k 0
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來調(diào)整的。
承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器絕緣能力的最大功率限制
對于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器電氣過應(yīng)力測試(EOS測試),設(shè)置了一個(gè)非常接近真實(shí)條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
2022-12-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.5k 0
不同 IGBT 架構(gòu)的高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
IGBT 提供驅(qū)動(dòng)重要逆變器級所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動(dòng)器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...
2022-08-31 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.5k 0
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