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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

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科銳推出650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，為應用領域提供高功率解決方案

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MOSFET的結構和電學特性小結

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2020-04-04 標簽：MOSFET 電荷 2k 0

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2020-03-18 標簽：MOSFET 門極驅動器 4.2k 0

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2020-03-12 標簽：MOSFET AO3400A AOS 899 0

ROHM開發(fā)出內(nèi)置MOSFET的4通道線性LED驅動器IC

兩項新技術有助于大幅削減車載LED燈的電路板面積和設計周期

2020-03-10 標簽：MOSFET led驅動器 Rohm 1.2k 0

東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦

新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。

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Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊適用于汽車等應用

Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示：“開發(fā)和優(yōu)化快速開關SiC電源模塊并可靠地驅動它們?nèi)匀皇且粋€挑戰(zhàn)，這款SiC智能電源模塊是針對極端溫...

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CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

內(nèi)置的柵極驅動器包括3個板載隔離電源（每相1個），可提供每相高達5W的功率，從而可以在高達125°C的環(huán)境溫度下輕松驅動頻率高達25KHz的功率模塊。

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2020-03-04 標簽：英飛凌 MOSFET 整流器 1.9k 0

比亞迪基于SiC形成的MOSFET制備方法專利

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2020-03-02 標簽：mosfet 比亞迪 sic 4k 0

英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

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2020-02-26 標簽：MOSFET 不間斷電源碳化硅 1.8k 0

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2020-02-21 標簽：MOSFET 功率器件 1.9萬 0

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英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰(zhàn)，來實現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進。源極底置是...

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