臺(tái)北一年一度舉行的Computex科技盛會(huì)上，各大廠商都爭相展出自己最新的技術(shù)成果，如同我們今天看到的這款A(yù)cer S7觸控超極本。這款A(yù)cer S7是一款11.6英寸小尺寸超極本，雖然只有11.6英寸
2012-06-05 09:35:59
1924 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:002072 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS（on）。另外，得益于低開關(guān)損耗，還可在任何負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)能效改進(jìn)。
2013-05-20 11:31:282996 更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 通過立足于超結(jié)技術(shù)創(chuàng)新和20多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其CoolMOSTM產(chǎn)品組合，推出全新PFD7系列，該系列不僅具備一流的性能
2020-02-14 18:50:133171 Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361578 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301501 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:371464 
和可靠性。 ? CoolMOS_S7T ? SSR是各種電子設(shè)備的基本配置，如果能夠?qū)鞲衅骱?b class="flag-6" style="color: red">超結(jié) MOSFET集成到同一
2023-12-19 15:22:261727 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445848 
理應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7TA超級結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計(jì)，其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品（CoolMOS? S7T）取得的進(jìn)步基礎(chǔ)上，顯著提高了結(jié)溫傳感
2024-06-24 16:18:221537 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
我們來介紹下S7-200 Smart PLC的S7單邊通信指令。
2021-01-06 06:12:42
這是S7-1200與S7-200 Smart系列PLC的S7通信教程的第1篇文章。本章我們打算和大家聊聊西門子的S7通信協(xié)議。
2020-12-30 07:47:04
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個(gè)普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計(jì)工
2018-12-06 09:46:29
，如圖5和圖6所示。圖5和圖6將新一代基于C6技術(shù)的650V CFD2器件與英飛凌前代基于C3技術(shù)的600V CFD進(jìn)行對比。 圖5Qrr 與通態(tài)電阻關(guān)系，測量條件為25°C 。將80 m?、310 m
2018-12-03 13:43:55
SIMATIC是什么？SIMATIC包括哪些？SIMATIC S7 PLC是什么？SIMATIC S7 PLC分為哪幾類？
2021-09-27 08:16:19
高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。顯然，要想顯著減小RDS(on)的值，就需要找到一
2017-08-09 17:45:55
低內(nèi)阻超結(jié)MOS NCE08N608A 600V內(nèi)阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
國內(nèi)第一顆量產(chǎn)超結(jié)MOS（可替代英飛凌coolmos）大家好！我司是國內(nèi)專業(yè)設(shè)計(jì)大功率MOS器件的公司?，F(xiàn)我司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了SJ-MOS的量產(chǎn)，可替代英飛凌的coolmos。這是我公司的網(wǎng)址
2011-01-05 09:49:53
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項(xiàng)技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
如何去搭建一種基于S7-PLCSIMAdvanced的S7通信仿真環(huán)境？在搭建好仿真環(huán)境后需注意哪幾個(gè)地方？
2021-08-09 07:23:49
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
增加，外延層需要更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。顯然，要想顯著
2018-10-17 16:43:26
摘 要： 對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺點(diǎn)以及提出的改進(jìn)方法；并對其他基于超結(jié)
2008-11-14 15:32:10
0 SIMATIC(西門子) S7 STEP7 V5.0使用入門:介紹STEP 7，SIMATIC管理器，用符號編程，組態(tài)中央機(jī)架，下載和調(diào)試程序等內(nèi)容。
2009-10-17 12:17:3071 超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731 SIMATIC S7系統(tǒng)概述
2010-08-05 23:14:5647 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44728 CX92735 科勝訊推出面向網(wǎng)絡(luò)數(shù)碼相框和互動(dòng)顯示設(shè)備
科勝訊系統(tǒng)公司宣布按計(jì)劃推出面向日益增長的“網(wǎng)絡(luò)”數(shù)碼相框和互動(dòng)顯示設(shè)備（IDA）市場的
2009-07-20 10:54:26931 TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸
2010-01-14 08:16:52672 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31555 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:051039 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:471055 TI推出面向便攜式應(yīng)用的集成 HDMI 配套芯片
德州儀器 (TI) 宣布推出面向便攜式應(yīng)用核心 HDMI 控制器的業(yè)界首款集成型 HDMI 接口配套芯片，該 TPD12S015
2010-03-27 10:41:15963 TI推出面向便攜式應(yīng)用的集成HDMI配套芯片TPD12S015
德州儀器 (TI) 宣布推出面向便攜式應(yīng)用核心 HDMI 控制器的業(yè)界首款集成型 HDMI 接口配套芯片，該 TPD12S015 高度整合了 HDMI
2010-03-29 10:14:451545 ADI推出面向微波點(diǎn)對點(diǎn)和專有移動(dòng)無線電應(yīng)用、內(nèi)置高壓電荷泵的新型PLL頻率
-- 新型 ADF4150HV PLL 頻率合成器集成30V 電荷泵 ，最高工
2010-05-22 08:52:02689 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）“RC-E系列”（英文發(fā)布資料）。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361744 3月7日消息 2月28日，三星首先面向S7/edge國行版內(nèi)測用戶推送了安卓7.0正式版更新，但沒有加入測試計(jì)劃的三星S7、S7 edge用戶還在苦苦等待，甚至有跳票的消息傳出。而今天一切已定，三星現(xiàn)在已經(jīng)為全部的S7、S7 edge國行版手機(jī)用戶開始推送Android 7.0正式版更新。
2017-03-07 10:12:158429 
3月8日消息 昨日，三星給所有的S7、S7 Edge國行版手機(jī)用戶推送了Android 7.0正式版系統(tǒng)更新，不過升級放開后不久，有不少網(wǎng)友反饋，國行版S7、S7 Edge在更新安卓7.0時(shí)可能會(huì)遇到無法下載更新問題。
2017-03-08 14:02:556399 
S7 協(xié)議是SIEMENS S7 系列產(chǎn)品之間通訊使用的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，其優(yōu)點(diǎn)是通信雙方無論是在同- -MPI 總線上、同一PROFIBUS 總線上或同- 工業(yè)以太網(wǎng)中，都可通過S7 協(xié)議建立通信連
2017-09-26 17:53:2939 S7 路由就是跨網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送?？梢钥缭綆讉€(gè)網(wǎng)絡(luò)將信息從發(fā)送方傳送到接收方。S7 路由功能提供從一個(gè)S7 子網(wǎng)到一個(gè)或多個(gè)其它子網(wǎng)的路由。S7 路由可以通過各種S7 子網(wǎng)（例如PROFINET
2017-09-29 13:59:269 S7通訊（S7-communication）主要英語S7-400/400、S7-400/300 PLC之間的通訊，是S7系列PLC基于MPI、PROFIBUS和工業(yè)以太網(wǎng)的一種優(yōu)化的通訊協(xié)議。工業(yè)以太網(wǎng)：工業(yè)級的以太網(wǎng)，開放的、獨(dú)立于制造商的通信系統(tǒng)。
2017-09-29 15:16:3219 比亞迪S7電路圖
2017-10-09 14:40:29121 近日，調(diào)研公司IHS發(fā)布報(bào)告稱，三星新一代旗艦智能手機(jī)Galaxy S7的成本調(diào)研報(bào)告。經(jīng)拆解發(fā)現(xiàn)，Galaxy S7的成本僅為255美元。 近日，調(diào)研公司IHS發(fā)布報(bào)告稱，經(jīng)拆解發(fā)現(xiàn)，Galaxy
2018-01-20 11:06:051271 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 金立S7又稱金立ELIFE S7，是金立發(fā)布的最新旗艦機(jī)。金立S7采用5.2英寸Super AMOLED屏，分辨率為FHD（1920×1080）級別，搭載64位架構(gòu)的聯(lián)發(fā)科MT6752八核處理器
2019-03-06 10:03:006941 英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:301693 S7-1200 的 PROFINET 通信口可以做 S7 通信的服務(wù)器端或客戶端(CPU V2.0及以上版本)。S7-1200 僅支持 S7 單邊通信，僅需在客戶端單邊組態(tài)連接和編程，而服務(wù)器端只準(zhǔn)備好通信的數(shù)據(jù)就行。
2019-08-17 10:51:2030830 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 WinFuture報(bào)告說，Tab S7和Tab S7 Plus之間最大的不同在于屏幕。據(jù)報(bào)道，S7 Plus將配備分辨率為2800 x 1752的12.4英寸OLED顯示屏和顯示屏內(nèi)指紋傳感器。
2020-07-28 10:32:453339 隨著發(fā)布會(huì)的臨近，vivo S7的相關(guān)信息陸續(xù)得到官方確認(rèn)。本周二，vivo官方發(fā)布了劉昊然的視頻短片，正式確認(rèn)其代言人身份，隨后更是接連發(fā)布vivo S7自拍賣點(diǎn)視頻，向消費(fèi)者傳遞其超S自拍理念
2020-07-30 13:49:031555 開發(fā)人員已迅速努力使其應(yīng)用程序在三星軟件的Android棉花糖版本中運(yùn)行，Galaxy S7和S7 Edge將立即可用。請記住，廣告攔截器是專門與三星的瀏覽器一起編碼的。
2020-07-30 15:37:103274 看看三星提供的最新Galaxy Tab S7 +。這是一款基于Android的平板電腦。我已經(jīng)使用Galaxy Tab S7 +已有一段時(shí)間了。我嘗試用筆記本電腦替換Tab S7 +失敗。
2020-09-29 10:28:325191 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是西門子的SIMATIC S7 STEP7 V5.0使用手冊免費(fèi)下載。
2021-01-19 16:17:2337 推出搭載超鋰S 7技術(shù)的 超鋰 S7家族系列產(chǎn)品：產(chǎn)品全新升級、更多服務(wù)保障、更廣泛適用場景以及更靈活定制化服務(wù)等，再一次聚焦了行業(yè)目光。 兩次重量級發(fā)布，不僅讓廣大消費(fèi)者猜想，究竟什么是超鋰 S7？用一句話來說，它就是：超鋰S7產(chǎn)品=超鋰
2021-04-08 13:14:075430 TIA博途V12 S7—1500追蹤功能
2021-05-26 09:29:063 近日，中國移動(dòng)公司正式推出新款5G智能終端NZONE??S7新旗艦，這款NZONE S7手機(jī)主要面向年輕市場，價(jià)格在1699元起售，將于1月7日在各大官網(wǎng)正式開售。
2022-01-06 15:25:033407 S7協(xié)議是SIEMENS S7系列產(chǎn)品之間通訊使用的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議 ，其優(yōu)點(diǎn)是通信雙方無論是在同一MPI總線上、同一PROFIBUS總線上或同一工業(yè)以太網(wǎng)中，都可通過S7協(xié)議建立通信連接，使用相同的編程
2022-08-10 10:06:492965 
S7協(xié)議是SIEMENS S7系列產(chǎn)品之間通訊使用的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議 ，其優(yōu)點(diǎn)是通信雙方無論是在同一MPI總線上、同一PROFIBUS總線上或同一工業(yè)以太網(wǎng)中，都可通過S7協(xié)議建立通信連接，使用相同的編程方式進(jìn)行數(shù)據(jù)交換而與使用何種總線或網(wǎng)絡(luò)無關(guān)。
2022-08-10 10:11:314698 使用 STEP7 V14 在同一個(gè)項(xiàng)目中，新建兩個(gè)S7-1500站點(diǎn)，然后做 S7 通訊。
2022-11-23 09:53:514448 ? 2022 年 11 月 29 日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 ?(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET
2022-12-01 14:40:38846 
維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221504 
S7容錯(cuò)連接是S7-400H（High available高可用性）系列CPU才能支持的冗余通訊方式?？梢詫?shí)現(xiàn)基于2/4個(gè)子鏈接的冗余通訊。
2023-01-30 10:12:303010 S7協(xié)議是SIEMENS S7系列產(chǎn)品之間通訊使用的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議 ，其優(yōu)點(diǎn)是通信雙方無論是在同一MPI總線上、同一PROFIBUS總線上或同一工業(yè)以太網(wǎng)中，都可通過S7協(xié)議建立通信連接，使用相同的編程
2023-02-22 09:37:272649 S7-1200 CPU 固件版本 V2.0 及其以上，本體集成的 PROFINET 通信接口可以做 S7 通信客戶端。S7-1200 僅支持 S7 單邊通信，做客戶端僅需單邊組態(tài)連接和編程，而做
2023-04-19 15:14:434534 S7-200 SMART CPU 固件版本 V2.0 及其以上，本體集成的 PROFINET 通信接口支持 S7 通信，可以通過向?qū)Щ蚴褂?GET/PUT 指令兩種方式實(shí)現(xiàn)，最多可以建立 16 個(gè) S7 連接，其中包括：8 個(gè)客戶端，8 個(gè)服務(wù)器。
2023-05-06 14:49:469015 
S7-200 SMART CPU 固件版本 V2.0 及其以上，本體集成的 PROFINET 通信接口支持 S7 通信
2023-05-06 14:49:551844 
S7協(xié)議和Profinet協(xié)議都是工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中常用的通信協(xié)議，其中S7協(xié)議是傳統(tǒng)的工控領(lǐng)域常用的通信協(xié)議，而Profinet是近年來出現(xiàn)的基于以太網(wǎng)的工業(yè)通信協(xié)議。
2023-05-08 16:19:2328552 S7-1200 的 PROFINET 通信口可以做 S7 通信的服務(wù)器端或客戶端(CPU V2.0及以上版本)。S7-1200 僅支持 S7 單邊通信，僅需在客戶端單邊組態(tài)連接和編程，而服務(wù)器端只準(zhǔn)備好通信的數(shù)據(jù)就行。
2023-05-15 17:13:416913 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162413 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要。超結(jié)
2023-08-18 08:32:562019 
要點(diǎn) — ? 第一代高通S7和S7 Pro平臺(tái)利用無與倫比的終端側(cè)AI水平打造先進(jìn)、個(gè)性化且快速響應(yīng)的音頻體驗(yàn)。 ?? 全新平臺(tái)的計(jì)算性能是前代平臺(tái)的6倍，AI性能是前代平臺(tái)的近100倍，并以低功耗
2023-10-25 10:30:02944 
供應(yīng)高壓超結(jié)mos管7A,700V SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3，提供SVS70R600DE3關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 16:14:272 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:061085 
》中發(fā)現(xiàn)，人們使用耳塞和耳機(jī)的頻率正在提高、時(shí)間更長、用途也更廣泛； 更關(guān)注卓越音頻體驗(yàn)，同時(shí)對音質(zhì)的要求也達(dá)到新高。 為此，高通推出了面向耳塞、耳機(jī)和音箱設(shè)計(jì)的 第一代高通S7和S7 Pro音頻平臺(tái) 。 第一代高通S7和S7 Pro音頻平臺(tái)
2023-12-14 20:15:011728 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
第一代高通S7和S7 Pro音頻平臺(tái)經(jīng)過全面重新設(shè)計(jì)的架構(gòu)，擁有聽力損失補(bǔ)償、自適應(yīng)主動(dòng)降噪（ANC）、透傳和噪聲管理專用內(nèi)核，支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術(shù)等諸多創(chuàng)新音頻特性，將
2024-01-23 19:06:361 余承東曾在月末的微博中透露，多臺(tái)智界 S7 已從生產(chǎn)線駛出，正趕赴推送給用戶的途中。該車款由華為與奇瑞聯(lián)手打造，去年 11 月正式上市，共推出四種型號——智界 S7 Pro、智界 S7 Max、智界 S7 Max+及智界 S7 Max RS
2024-04-11 16:22:551479 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅
2024-06-26 18:12:00939 
西門子S7-200 Smart PLC因其穩(wěn)定性和易用性而廣泛應(yīng)用。通過使用S7協(xié)議，可以實(shí)現(xiàn)對PLC數(shù)據(jù)的高效讀取和控制。本文將詳細(xì)介紹如何使用S7協(xié)議讀取西門子S7-200 Smart PLC的數(shù)據(jù)。
2024-07-11 11:55:3815056 
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 英飛凌推出的CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET，集成了先進(jìn)的溫度傳感器技術(shù)，專為工業(yè)和汽車領(lǐng)域設(shè)計(jì)，顯著提升了結(jié)溫測量的精準(zhǔn)度與穩(wěn)定性。這一創(chuàng)新不僅簡化了溫度監(jiān)測流程，還增強(qiáng)了功能安全性，為低頻大電流開關(guān)應(yīng)用樹立了新標(biāo)桿。
2024-09-03 14:51:391102 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價(jià)比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一
2024-09-03 08:02:39930 在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 14:47:482578 
600V CoolMOS S7T集成溫度傳感器，提高了結(jié)溫測量的精度和魯棒性，同時(shí)容易使用。該器件針對低頻和大電流開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，它是固態(tài)繼電器、固態(tài)斷路器和SMPS中有源整流電路的理想選擇。集成溫度傳感器提供CoolMOS S7結(jié)溫測量功能，提高了器件利用率。
2024-11-13 11:36:231027 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布，因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結(jié)MOSFET更適合于高壓、大功率的應(yīng)用場景。
2025-05-06 15:05:381499 
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016 龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188
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