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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>AOS推出 600V 50mohm aMOS7?超結(jié)高壓 MOSFET

AOS推出 600V 50mohm aMOS7?超結(jié)高壓 MOSFET

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英飛凌推出采用突破性結(jié)技術(shù)的CoolMOS C7

英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY)進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合,推出采用全新650V結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外,得益于低開關(guān)損耗,還可在任何負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)能效改進(jìn)。
2013-05-20 11:31:282996

TI推出業(yè)內(nèi)速度最快的600V柵極驅(qū)動(dòng)器

 近日,德州儀器 (TI) 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:113206

支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7結(jié)MOSFET器件

更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744

AOS新一代電源設(shè)計(jì):基于FRD MOSFET的高效、高可靠設(shè)計(jì)解決方案

結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo),長(zhǎng)期主導(dǎo)著耐壓超過600V的功率MOSFET市場(chǎng)。本文闡述了工程師在應(yīng)用結(jié)功率器件時(shí)需關(guān)注的關(guān)鍵問題,并提出了一種優(yōu)化解決方案,可顯著提升電源應(yīng)用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144448

性價(jià)比一流:英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOSTM S7結(jié)MOSFET

英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對(duì)于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言,新推出600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。
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band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
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2024-06-24 16:18:221537

600V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明, 高性能適配器等。
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600V高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片BDR6307B

BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路,用來驅(qū)動(dòng)雙 N 型 MOS 半橋。 BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

海飛樂技術(shù)有限公司是一家以快速恢復(fù)二極管(FRD)、快恢復(fù)模塊、結(jié)MOSFET等新型功率半導(dǎo)體芯片及器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為主營(yíng)業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復(fù)二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15

高壓半橋驅(qū)動(dòng)如何兼顧效率、抗擾?SiLM22868帶來600V/4A為你解答

在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器等高功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)中,你是否也在高壓驅(qū)動(dòng)的門檻前反復(fù)權(quán)衡? 如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作,驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET或IGBT,什么樣的門極驅(qū)動(dòng)器才能在高頻開關(guān)
2025-12-03 08:25:35

ADP2386集成44 mohm高側(cè)功率MOSFET和11 mohm同步整流MOSFET

使用內(nèi)部軟啟動(dòng)的典型應(yīng)用電路,VIN = 12 V,VOUT = 1.8 V,IOUT = 6 A,fSW = 600 kHz,用于ADP2386 20V,6A,同步降壓DC-DC穩(wěn)壓器
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2025-10-31 09:35:26

SA2601A馬達(dá)驅(qū)動(dòng)600V單相雙NMOS半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601A馬達(dá)驅(qū)動(dòng)600V單相雙NMOS半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片 SA2601A是一款針對(duì)于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:36:07

SLM2101S兼容NCP5106 高低邊欠壓保護(hù)600V IGBT/MOS驅(qū)動(dòng)芯片 電風(fēng)扇解決方案

具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓,dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19

SLM21814CJ-DG 600V高低邊門極驅(qū)動(dòng)器解析與應(yīng)用探討

一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動(dòng)通道
2025-11-20 08:47:23

SLM2184SCA-13GTR 600V耐壓、3.3V邏輯兼容的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片

,是各種高壓半橋和全橋拓?fù)涞暮?jiǎn)潔解決方案。核心優(yōu)勢(shì)解析: 高壓與強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力: 芯片的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)支持高達(dá)600V的工作電壓,并能耐受負(fù)壓瞬變,抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40

SiLM2285 600V/4A高可靠性半橋門極驅(qū)動(dòng)器

600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285,超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì),解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題,實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18

SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A半橋驅(qū)動(dòng),直擊高壓高功率應(yīng)用痛點(diǎn)

升/下降時(shí)間及170ns典型傳播延遲,顯著降低開關(guān)損耗,提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。 高邊直驅(qū)設(shè)計(jì): 獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì),支持直接驅(qū)動(dòng)600V高邊N溝道MOSFET/IGBT,無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25

三分鐘讀懂超級(jí)結(jié)MOSFET

高壓。額定電壓每增加一倍,維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對(duì)于額定電壓為600VMOSFET,超過95%的電阻來自外延層。顯然,要想顯著減小RDS(on)的值,就需要找到一種
2017-08-09 17:45:55

低內(nèi)阻結(jié)MOS NCE08N60

低內(nèi)阻結(jié)MOS NCE08N608A 600V內(nèi)阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26

在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi),意法半導(dǎo)體結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)比較

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2018-11-20 10:52:44

如何為電源用高壓結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性?

本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?,F(xiàn)在有一種為高壓結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法,以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15

用2變比的高頻變壓器,高壓側(cè)600V降壓到300v,升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過600V嗎?

各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側(cè)600V降壓到300v,升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓,請(qǐng)問有懂這個(gè)的能說一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54

芯源的MOSFET采用什么工藝

采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的,用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻,并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度,基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51

超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

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2018-10-17 16:43:26

采用半橋設(shè)計(jì)的500V600V高壓集成電路

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2018-08-31 11:23:15

鈺泰ETA7524 1.8-9V/3A 集成四顆 50mohm 功率開關(guān)的 H 橋線圈驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用于5W、10W無線充成本有優(yōu)勢(shì)。

1.8-9V/3A 集成四顆 50mohm 功率開關(guān)的 H 橋線圈驅(qū)動(dòng)器功能描述:ETA7524 是一款集成了雙半橋(一個(gè) H 橋)驅(qū)動(dòng)和四個(gè)內(nèi)阻為 50mohm 的 9V/3A 功率開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器
2018-12-22 15:41:47

銳駿200V低壓和600V高壓MOS對(duì)于電機(jī)控制和電源管理

) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:高壓結(jié)工藝,效率更高、更可靠,適用于600V以上高壓應(yīng)用領(lǐng)域,行業(yè)前沿拓展產(chǎn)品。 應(yīng)用場(chǎng)景:PC電源開關(guān)、電池、逆變器等。 此為RU15P12C的部分參數(shù) 可無償分享 原廠一級(jí)代理可為您答疑解惑 行業(yè)內(nèi)率先通過 ISO9001、ISO14001質(zhì)量體系認(rèn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
2024-09-23 17:07:50

高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類與特征

加深理解,最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表?!緲?biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05

結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響

摘 要: 對(duì)結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例,介紹了結(jié)器件的工作原理、存在的缺點(diǎn)以及提出的改進(jìn)方法;并對(duì)其他基于結(jié)
2008-11-14 15:32:100

600V20A高壓結(jié)mos管SVS20N60P7D2 士蘭微mos代理

 供應(yīng)600V20A高壓結(jié)mos管SVS20N60P7D2 ,提供SVS20N60P7D2參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>  
2022-05-18 15:16:15

SVSP24N60FJDD2 結(jié)mos管24A 600V 士蘭微cool mos

供應(yīng)士蘭微cool mos SVSP24N60FJDD2 24A 600V,提供 結(jié)mos管SVSP24N60FJDD2參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>  
2022-05-18 16:09:17

SVSP24NF60FJDD2 結(jié)mos 耐壓600V,24A 士蘭微代理

SVSP24NF60FJDD2 結(jié)mos 耐壓600V,24A,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>> 
2022-09-06 14:32:05

14A,600V新型結(jié)MOS器件SVS14N60FJD2-士蘭微mos代理商

供應(yīng)14A,600V新型結(jié)MOS器件SVS14N60FJD2,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?,照明,適配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>  
2022-11-02 15:31:47

結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響

結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對(duì)結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例,介紹了結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731

芯朋微電子ID7S625 600V高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片

芯朋微電子ID7S625  600V高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片 一、概述ID7S625半橋驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于P襯底、 P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-08-15 15:12:20

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600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction

600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)    日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
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500V600V高壓MOSFET  安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
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IR推出汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC

IR推出汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC 國(guó)際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、微型逆變器驅(qū)動(dòng)和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411787

新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028

Vishay推出600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器

8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)推出600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:431012

IR推出優(yōu)化的600V車用IGBT系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對(duì)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170

IR推出600V車用柵極驅(qū)動(dòng)芯片AUIRS2332J

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,適用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:211990

Vashay推出下一代D系列高壓功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:422109

瑞薩推出導(dǎo)通電阻僅為150mΩ的600V耐壓結(jié)MOSFET

瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值)的600V耐壓結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004

Vishay發(fā)布其E系列器件的首顆500V高壓MOSFET

MOSFET--- SiHx25N50E,該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點(diǎn)。
2014-10-09 12:59:191841

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:112189

Littelfuse推出可處理600V 40Arms和150°C結(jié)溫的首款SCR晶閘管

,例如電壓調(diào)節(jié)器、加熱和電機(jī)速度控制。 全新SJxx40x系列是Littelfuse首款能夠處理600V、40Arms和高達(dá)150°C結(jié)溫的SCR晶閘管。
2017-07-21 16:01:371413

600V半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器BP6903A

高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233

bp6904a 600V半橋預(yù)驅(qū)動(dòng)器

高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346

結(jié)MOS管65R380的特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域

結(jié)MOS也叫COOlMOS,是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的MOS管。結(jié)MOS管主要在500V600V、650V及以上高電壓場(chǎng)合使用。
2022-07-15 17:12:369503

ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625 600V大電流驅(qū)動(dòng)芯片

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。 ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作電壓范圍10V~20V ■ 輸入
2022-07-30 16:48:442927

維安高壓結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌

維安高壓結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221505

WAYON維安高壓結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌

WAYON維安高壓結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌
2023-01-06 13:04:511315

N 溝道 50V,0.90mOhm、410A 邏輯電平 LFPAK88中的特定應(yīng)用 MOSFET-PSMNR90-50SLH

N 溝道 50 V、0.90 mOhm、410 A 邏輯電平 LFPAK88 中的特定應(yīng)用 MOSFET-PSMNR90-50SLH
2023-02-09 21:57:060

LFPAK56E中的N溝道 50V,1.7mOhm、200A 連續(xù)邏輯電平專用 MOSFET-PSMN1R5-50YLH

LFPAK56E 中的 N 溝道 50 V、1.7 mOhm、200 A 連續(xù)邏輯電平專用 MOSFET-PSMN1R5-50YLH
2023-02-14 18:34:100

650V,50mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN063-650WSA

650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245

LFPAK56中的N溝道 40V,7.0mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y7R0-40H

LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、7.0 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y7R0-40H
2023-02-17 19:59:220

TO-220中的N溝道 80 V 8.7mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R7-80PS

TO-220 中的 N 溝道 80 V 8.7 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R7-80PS
2023-03-02 22:24:430

N 溝道 60 V 7.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN7R6-60PS

N 溝道 60 V 7.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN7R6-60PS
2023-03-02 22:24:540

TO-220中的N溝道 30 V 2.7mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R7-30PL

TO-220 中的 N 溝道 30 V 2.7 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R7-30PL
2023-03-02 22:25:440

LFPAK中的N溝道 30 V 7mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R0-30YL

LFPAK 中的 N 溝道 30 V 7 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R0-30YL
2023-03-02 22:37:070

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 30 V 7mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R0-30MLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V 7 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R0-30MLC
2023-03-03 18:50:160

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產(chǎn)品陣容又增新品

同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻,可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:081617

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160

森國(guó)科650V結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V結(jié)MOSFET系列新品 ,相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162414

美浦森N溝道超級(jí)結(jié)MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的結(jié)MOS,由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大,故在高壓領(lǐng)域,普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大,難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要。結(jié)
2023-08-18 08:32:562019

ir2104驅(qū)動(dòng)芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預(yù)驅(qū)方案

逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:353257

600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500

ID2304D 高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片600V替代L6388

驪微電子是芯朋微一級(jí)代理商,提供ID2304D高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片600V,可兼容代換L6388,更多驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2021-12-29 14:25:4910

SVS11N60FJD2 600V11A 結(jié)高壓mos

SVS11N60FJD2600V11A結(jié)高壓mos,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-30 15:59:032

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓結(jié)mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:57:508

高壓結(jié)mos管700V,7A SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 參數(shù)規(guī)格書

供應(yīng)高壓結(jié)mos管7A,700V SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3,提供SVS70R600DE3關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 16:14:272

50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:15:593

電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:106

美格納推出第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:011859

碳化硅MOS/結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用,推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:151700

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能,使其在長(zhǎng)期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:153071

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

【 2024 年 6 月 26 日 , 德國(guó)慕尼黑 訊 】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS? 8 高壓結(jié)(SJ)MOSFET
2024-06-26 18:12:00939

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266

新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展,在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價(jià)比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930

LN4203南麟600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器,具有高低邊輸出,用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:024

600V CoolMOS S7T集成溫度傳感器介紹

 600V CoolMOS S7T集成溫度傳感器,提高了結(jié)溫測(cè)量的精度和魯棒性,同時(shí)容易使用。該器件針對(duì)低頻和大電流開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,它是固態(tài)繼電器、固態(tài)斷路器和SMPS中有源整流電路的理想選擇。集成溫度傳感器提供CoolMOS S7結(jié)溫測(cè)量功能,提高了器件利用率。
2024-11-13 11:36:231027

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代結(jié)MOSFET高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代結(jié)MOSFET高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代結(jié)MOSFET,電源客戶從結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441054

新潔能Gen.4結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

電壓的平衡。另結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布,因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快,有助于減少電路中的開關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比,結(jié)MOSFET更適合于高壓、大功率的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-05-06 15:05:381499

HPD2606X 600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè):高壓高速MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù),能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

新品 | 650V CoolMOS? 8結(jié) (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017

STTH30RQ06L2高壓整流器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STTH30RQ06L2高壓整流器采用HU3PAK封裝,是一款采用ST 600V技術(shù)的600V、30A器件。該器件具有高結(jié)溫能力和快開關(guān)速度。STMicroelectronics STTH30RQ06L2非常適合用作二次側(cè)整流二極管的應(yīng)用。
2025-10-27 15:13:18401

選型手冊(cè):MOT65R600F 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-31 17:28:48199

?Vishay Gen 5 600V/1200V 快恢復(fù)整流器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay Semiconductors Gen 5 600V快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224

高壓濾波車規(guī)電容 600V 耐壓 換電站接口電壓穩(wěn)定保障

高壓濾波車規(guī)電容在600V耐壓條件下的應(yīng)用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,換電模式作為重要的能源補(bǔ)給方式正獲得廣泛應(yīng)用。在換電站系統(tǒng)中,高壓濾波電容作為關(guān)鍵電子元件,其性能
2025-12-05 15:11:03270

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