賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 10 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39mΩ～600mΩ，將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級(jí)結(jié)技術(shù)，使公司進(jìn)入使用功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的增量市場(chǎng)，包括照明、適配器和高功率可再生能源系統(tǒng)。

　　今天發(fā)布的器件使600V E系列MOSFET的器件數(shù)量增加到27個(gè)。所有的E系列器件都具有超低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，從而在功率因數(shù)校正、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、適配器和太陽能電池逆變器等高功率、高性能的開關(guān)應(yīng)用中節(jié)約能源。

　　器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖，保證通過100% UIS測(cè)試時(shí)達(dá)到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。