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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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采用ST F7 LV MOSFET技術(shù)的單片肖特基二極管:提高應(yīng)用性能
摘要 –當(dāng)一個(gè)功率MOSFET管被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流管時(shí),體漏二極管的特性以及品質(zhì)因數(shù)將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr 數(shù)值很低的軟反向恢...
2017-03-01 標(biāo)簽:二極管mosfet意法半導(dǎo)體 2.1k 0
瞻芯電子參與編制SiC MOSFET可靠性和動(dòng)態(tài)開關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
日前,在第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)發(fā)布了9項(xiàng)碳化硅 (SiC) MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)...
小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開關(guān),它可以減小待機(jī)模式下的漏電流,抑制浪涌電流,實(shí)現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌,大部分負(fù)載...
2022-12-12 標(biāo)簽:MOSFET東芝柵極驅(qū)動(dòng)IC 2.1k 0
英唐智控?cái)M取得上海芯石40%股權(quán),加碼SiC功率器件
英唐智控?cái)M取得上海芯石40%股權(quán)并成為第一大股東,加碼SiC功率器件 英唐智控發(fā)布關(guān)于收購(gòu)上海芯石股權(quán)的進(jìn)展公告稱,英唐微技術(shù)收購(gòu)?fù)瓿珊?,公司正在持續(xù)推...
意法半導(dǎo)體(ST)推出五款新一代SiC MOSFET功率模組
相較于傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅元件尺寸更小,可以處理更高的工作電壓,還有更快的充電速度及卓越的車輛動(dòng)力性能。除此之外,碳化硅還能提升性能及可靠性并延長(zhǎng)...
深入探討電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
隨著汽車電氣化程度的提高,電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重視程度也得到了前所未有的提升。一輛電動(dòng)汽車的耗電量比傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車高 20 倍。這一功耗的增加,需要增加電源電...
2022-02-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源MOSFET 2.1k 0
2023年5月30日,工信部發(fā)布了一則最新通告,標(biāo)題是《無(wú)線充電(電力傳輸)設(shè)備無(wú)線電管理暫行規(guī)定》,適用于生產(chǎn)或進(jìn)口在國(guó)內(nèi)銷售、使用的移動(dòng)通信終端無(wú)線...
日前,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“東芝電子元件”)正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過(guò)將雙方擁...
英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
ADI宣布推出 Power by Linear?的LTM4662
Analog Devices, Inc. (ADI)宣布推出 Power by Linear?的LTM4662,該器件是一款采用 BGA 封裝的雙通道 ...
浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 產(chǎn)品設(shè)計(jì)師必須有能力在多種限制因素之間進(jìn)行平衡——封裝大小、成本、可靠性和上市時(shí)間。...
2025-10-02 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1k 0
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代Cool...
新型EMIPAK 1B 封裝二極管和MOSFET功率模塊,滿足車載充電應(yīng)用
Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù) 在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置 Vishay? 針...
通過(guò)測(cè)試和認(rèn)證確保GaN的可靠性
該 氮化鎵產(chǎn)業(yè) 的目的是證明氮化鎵的解決方案至少有相同的預(yù)期壽命為硅MOSFET,理想,美好的生活。該行業(yè)和 JEDEC JC-70 委員會(huì)正在努力為 ...
NP3400AMR(30 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP3400A使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用
因此,如果要提高驅(qū)動(dòng)效率及延長(zhǎng)系統(tǒng)的工作壽命時(shí),遷移到SiC 肖特基顯然是有利的。那么我們何以采取更進(jìn)一步的方案呢?
安森美新增100V N溝道MOSFET系列:NTP641x/
安森美新增100V N溝道MOSFET系列:NTP641x/NTB641x/NTD641x 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道...
MDD推出的MDD7N65D這款功率MOSFET,采用VDMOS芯片技術(shù),具有高耐壓、驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通電阻低、卓越的開關(guān)特性和電容特性,可滿足應(yīng)用中各種...
MOSFET廠將在2021年受惠漲價(jià)潮 有望持續(xù)繳出新高水準(zhǔn)
金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)2021年在美系大廠喊漲兩成,加上中國(guó)MOSFET廠雙位數(shù)調(diào)漲帶動(dòng)下。法人看好,大中(6435)、杰力(5299)、富鼎...
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