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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2.1k 0
數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM27213系列專用MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
隨著高頻、高效率開(kāi)關(guān)電源在電信電源設(shè)備、數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)品等眾多領(lǐng)域的應(yīng)用持續(xù)拓展與深化,電源管理組件的性能優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)整體效率與穩(wěn)定性起著決...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器數(shù)明半導(dǎo)體 2k 0
ST發(fā)布業(yè)界先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體(ST)推出擁有高可靠性、高能效的新系列功率產(chǎn)品電晶體,可支援科技企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的要求,鎖定太陽(yáng)能微逆變器、太陽(yáng)能串列式逆變器...
意法半導(dǎo)體推出第三代碳化硅產(chǎn)品,推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用未來(lái)發(fā)展
作為 SiC 功率 MOSFET市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者,意法半導(dǎo)體整合先進(jìn)的設(shè)計(jì)技術(shù),進(jìn)一步挖掘 SiC的節(jié)能潛力,繼續(xù)推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)變革。
2021-12-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET意法半導(dǎo)體 2k 0
晶圓代工產(chǎn)能吃緊 MOSFET產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂瓉?lái)漲價(jià)潮
晶圓代工產(chǎn)能吃緊,MOSFET供給也連帶緊縮,加上晶圓代工及封測(cè)報(bào)價(jià)全面上漲,全宇昕(6651)將在第二季起對(duì)客戶溝通議價(jià),漲幅約落在5~15%左右,藉...
事實(shí)上IGBT的結(jié)構(gòu)與MOSFET十分接近,只是在其背面增加了N+和P+層,“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOSFET優(yōu)點(diǎn)的...
南芯科技推出車(chē)規(guī)級(jí)8通道半橋驅(qū)動(dòng)器SC77708Q
今日,南芯科技(證券代碼:688484)宣布推出車(chē)規(guī)級(jí) 8 通道半橋驅(qū)動(dòng)器 SC77708Q,可驅(qū)動(dòng)多達(dá) 16 個(gè)外部 N 溝通 MOSFET,支持 2...
2024-07-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器南芯科技 2k 0
測(cè)不對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)波形六大原因
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久,往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)量上遇到問(wèn)題,即測(cè)得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰,導(dǎo)致搞不清楚是器件...
亞成微汽車(chē)電氣智能化解決方案將亮相北京2024新能源汽車(chē)技術(shù)展
2月28日,第二屆中國(guó)國(guó)際新能源汽車(chē)技術(shù)零部件及服務(wù)展覽會(huì),將在北京·中國(guó)國(guó)際展覽中心(順義新館W1館)舉辦。該展會(huì)是從設(shè)計(jì)到制造、從使用到服務(wù)的專業(yè)全...
2024-02-23 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFETOBC 2k 0
NP60P02D6 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP60P02D6采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適用于 用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -20v id...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
MOSFET是對(duì)稱的,只有柵極是確定的,哪一端是源級(jí),哪一端是漏極只有加載了電壓才能確定。對(duì)于NMOS來(lái)說(shuō),它靠電子導(dǎo)電,電子的“源泉”定義為源級(jí)。所以...
MT3287 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管70V,80A,6.8mΩ。
MT3287 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管是一款高性能的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。其獨(dú)特的70V耐壓、80A的電流承載能力以及6.8毫歐的低電阻特性...
2024-07-04 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2k 0
IR推出應(yīng)用于汽車(chē)的AUIR3200S MOSFET驅(qū)動(dòng)IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出車(chē)用AUIR3200S MOSF...
低壓PowerPath驅(qū)動(dòng)器可從3.3V或5V電源切換到備用電池
LTC1473L 解決了在高電流水平下在 3.3V 或 5V 電源和備用電池組 (3 節(jié)或 4 節(jié) NiMH) 之間無(wú)縫切換電源的問(wèn)題。通過(guò)驅(qū)動(dòng)兩組背靠...
東芝半導(dǎo)體N溝道30V MOSFET器件SSM6K809R介紹
隨著科技的不斷革新發(fā)展,MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過(guò)技術(shù)的迭代升級(jí)有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時(shí)進(jìn)一步降低器件的自身?yè)p耗依舊是亟待解決的問(wèn)題。為...
2022-08-26 標(biāo)簽:MOSFET東芝半導(dǎo)體 2k 0
針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器 目前,現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多,這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過(guò)程。 ...
2010-01-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2k 0
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析
過(guò)去一年是新能源汽車(chē)市場(chǎng)爆發(fā)的一年,據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù),2021年新能源汽車(chē)銷售352萬(wàn)輛,同比大幅增長(zhǎng)157.5%。新能源汽車(chē)技術(shù)發(fā)展迅速,暢銷車(chē)輛在動(dòng)力性...
2022-11-12 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET快充 2k 0
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