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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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全SiC MOSFET模塊實現系統(tǒng)的低損耗和小型化
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半導體器件,在高速開關性能和高溫環(huán)境中,優(yōu)于目前主流應用的硅(Si)IGBT和MOSFET器...
合科泰N溝道MOSFET HKTG50N03在65W PD快充的應用
65W PD 快充幾乎已經成為智能手機的標配了,但是快充所面臨的高效率、小體積、不燙手需求矛盾,仍然是工程師面臨的主要問題。傳統(tǒng)的快充同步整流方案效率不...
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專精于高頻領域,預計2022年功率MOSFET全球市場規(guī)??蛇_85億美元 功率MOSFET是電力控制中必不可缺的專精于高頻領域的功率器件。功率MOSFE...
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
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國產碳化硅MOSFET在儲能與逆變器市場替代IGBT單管的分析報告:基于可靠性與性能的全面評估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導...
英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰(zhàn),來實現系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進。源極底置是...
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昕感科技發(fā)布一款1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0
近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0,導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
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